-
公开(公告)号：CN115043410A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202111642538.9
申请日：2021-12-29
Applicant: 渤海大学
Abstract: 本发明属于低维纳米材料制备领域，特别涉及一种Sm3+掺杂SiO2纳/微米棒材料及其制备方法。采用管式炉装置，Sm3+在该反应中不作为金属催化剂，将一定比例的SiO粉和Sm2O3粉混合均匀，置于炉中心高温区，将收集基底放置于低温区，将炉内腔体充入氩气并将管式炉中心区升温至1150℃，保温2‑3h，冷却后可在低温区的基底上收集到白色粉末为Sm3+掺杂SiO2纳/微米棒。本发明具有方法简单、反应快速、低成本、无污染、样品纯度高，无需添加催化剂等优点。制备的Sm3+掺杂SiO2纳/微米棒在结构和尺寸上可实现有序生长，在催化、滤光、光吸收、医药、磁介质及新材料等领域具有应用潜力。
-
公开(公告)号：CN115043409A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202111642507.3
申请日：2021-12-29
Applicant: 渤海大学
Abstract: 本发明属于纳米材料领域，主要涉及一种Tb3+掺杂SiO2纳米线及纳米晶粒材料的制备方法。采用管式炉装置，Tb3+在该反应中不作为金属催化剂，将一定比例的SiO粉和Tb4O7粉混合均匀，置于炉中心高温区，将收集基底放置于低温区，将炉内腔体充入氩气并将管式炉中心区升温至1150℃，保温2‑3h，冷却后可在低温区的基底上收集到白色粉末为Tb3+掺杂SiO2纳米线及纳米晶粒。本发明具有方法简单、反应快速、低成本、无污染、样品纯度高，无需添加催化剂等优点。制备的Tb3+掺杂SiO2纳米线及纳米晶粒在结构和尺寸上可实现有序生长，在催化、滤光、光吸收、医药、磁介质及新材料等领域具有应用潜力。
-
公开(公告)号：CN115043409B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202111642507.3
申请日：2021-12-29
Applicant: 渤海大学
Abstract: 本发明属于纳米材料领域，主要涉及一种Tb3+掺杂SiO2纳米线及纳米晶粒材料的制备方法。采用管式炉装置，Tb3+在该反应中不作为金属催化剂，将一定比例的SiO粉和Tb4O7粉混合均匀，置于炉中心高温区，将收集基底放置于低温区，将炉内腔体充入氩气并将管式炉中心区升温至1150℃，保温2‑3h，冷却后可在低温区的基底上收集到白色粉末为Tb3+掺杂SiO2纳米线及纳米晶粒。本发明具有方法简单、反应快速、低成本、无污染、样品纯度高，无需添加催化剂等优点。制备的Tb3+掺杂SiO2纳米线及纳米晶粒在结构和尺寸上可实现有序生长，在催化、滤光、光吸收、医药、磁介质及新材料等领域具有应用潜力。
-
公开(公告)号：CN108557782A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810352312.7
申请日：2018-04-19
Applicant: 渤海大学
IPC: C01B21/072 , B82Y40/00
Abstract: 本发明的二价铕掺杂氮化铝纳米分级结构的制备方法属于LED荧光粉和纳米材料制备的技术领域。本发明的方法，有如下步骤：将Al与Eu2O3粉末按100：0.5～1的摩尔比例放入混料机中混合均匀，压成压块；将压块置于石墨锅内，放入卧式直流电弧放电装置的反应室内的铜锅阳极中，钨棒阴极与铜锅阳极相对水平放置；将反应室抽成真空后充入氮气，铜锅通入循环冷却水；在放电过程中，阴极逆时针旋转速度为2π/min，保持电压为20～30V，电流为80～120A，反应5～15分钟；再在氮气环境中钝化6～7小时，在冷凝壁上和石墨锅中收集灰白色的毛绒状粉末为Eu2+掺杂AlN纳米分级结构。本发明具有方法简单、反应快速、低成本、无污染、产量大、样品纯度高，可重复性好、无需添加催化剂等优点。
-
公开(公告)号：CN105016376A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410161329.6
申请日：2014-04-21
Applicant: 渤海大学
Abstract: 本发明公开了一种硫化锌孪晶纳米带的制备方法，其包括以下步骤：将锌粉、硫粉按摩尔比1∶1比例混合均匀，压成密度为4～5g/cm3的混合粉的压块；将压块置于石墨锅内，放入直流电弧放电装置的反应室内的铜锅阳极中，钨棒阴极与铜锅阳极相对放置；将反应室抽成真空后充入氩气，氩气气压为10～20kPa，铜锅通入循环冷却水；在放电过程中，保持电压为20～40V，电流为80～120A，反应5～10分钟；再在氩气环境中钝化6～8小时，在钨棒阴极上收集白色的毛绒状粉末为硫化锌孪晶纳米带。本发明制备过程简单、产量高、样品纯度高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109759364A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811628164.3
申请日：2018-12-28
Applicant: 渤海大学
Abstract: 一种速冻水产原材料用清洗装置，包括底板，底板四角均分别固定安装竖向的支撑柱，四根支撑柱顶端通过一块水平板固定连接，底板顶面固定安装两条导轨，两条导轨分别位于底板的前后两端，每条导轨两侧内壁之间活动安装一根水平的第一螺杆，其中一根第一螺杆带有电机，每条导轨的前后两端内壁分别开设凹槽，每根第一螺杆上配合设有第一螺母，每个第一螺母的前后两端均分别固定安装凸块，每块凸块能插入至对应的一条凹槽内，每个第一螺母顶端固定安装竖向的升降杆，两根升降杆的活动杆顶端相对边均分别活动安装旋转轴。凸块插入至凹槽内，通过凸块与凹槽的配合，可以对第一螺母进行限定，使第一螺母对第一螺杆的自转而在导轨内移动。
-
公开(公告)号：CN105016378B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410161338.5
申请日：2014-04-21
Applicant: 渤海大学
Abstract: 本发明公开了一种硫化亚锡纳米片的制备方法，其包括以下步骤：将锡粉、硫粉按摩尔比1∶1比例混合均匀，压成密度为4～5g/cm3的混合粉的压块；将压块置于石墨锅内，放入直流电弧放电装置的反应室内的铜锅阳极中，钨棒阴极与铜锅阳极相对放置；将反应室抽成真空后充入氩气，氩气气压为5～30kPa，铜锅通入循环冷却水；在放电过程中，保持电压为20～40V，电流为80～120A，反应3～5分钟；再在氩气环境中钝化6～8小时，在石墨锅中收集黑色的粉末为硫化锡纳米片。本发明制备过程简单、产量高、样品纯度高。
-
公开(公告)号：CN105016378A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410161338.5
申请日：2014-04-21
Applicant: 渤海大学
Abstract: 本发明公开了一种硫化锡纳米片的制备方法，其包括以下步骤：将锡粉、硫粉按摩尔比1∶1比例混合均匀，压成密度为4～5g/cm3的混合粉的压块；将压块置于石墨锅内，放入直流电弧放电装置的反应室内的铜锅阳极中，钨棒阴极与铜锅阳极相对放置；将反应室抽成真空后充入氩气，氩气气压为5～30kPa，铜锅通入循环冷却水；在放电过程中，保持电压为20～40V，电流为80～120A，反应3～5分钟；再在氩气环境中钝化6～8小时，在石墨锅中收集黑色的粉末为硫化锡纳米片。本发明制备过程简单、产量高、样品纯度高。
-
公开(公告)号：CN116145256A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310142405.8
申请日：2023-02-21
Applicant: 渤海大学
Abstract: 本发明提供了一种Al掺杂SiO2微米枝状晶体材料及其制备方法，采用管式炉装置，将一定比例的Al粉和SiO2粉混合均匀，置于炉中心高温区，将收集基底放置于低温区，将炉内腔体充入氩气并将管式炉中心区升温至1150℃，保温2‑3h，冷却后可在低温区的基底上收集到白色粉末为Al掺杂SiO2微米枝状晶体材料，本发明具有方法简单、反应快速、低成本、无污染、样品纯度高，无需添加催化剂优点，制备的Al掺杂SiO2微米枝状晶体材料在结构和尺寸上可实现有序生长，在催化、光吸收、医药、磁介质、光信息、光致发光和热辐射、存储以及Si基光电子集成及新材料等领域具有应用潜力。
-
公开(公告)号：CN108557782B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201810352312.7
申请日：2018-04-19
Applicant: 渤海大学
IPC: C01B21/072 , B82Y40/00
Abstract: 本发明的二价铕掺杂氮化铝纳米分级结构的制备方法属于LED荧光粉和纳米材料制备的技术领域。本发明的方法，有如下步骤：将Al与Eu2O3粉末按100：0.5～1的摩尔比例放入混料机中混合均匀，压成压块；将压块置于石墨锅内，放入卧式直流电弧放电装置的反应室内的铜锅阳极中，钨棒阴极与铜锅阳极相对水平放置；将反应室抽成真空后充入氮气，铜锅通入循环冷却水；在放电过程中，阴极逆时针旋转速度为2π/min，保持电压为20～30V，电流为80～120A，反应5～15分钟；再在氮气环境中钝化6～7小时，在冷凝壁上和石墨锅中收集灰白色的毛绒状粉末为Eu2+掺杂AlN纳米分级结构。本发明具有方法简单、反应快速、低成本、无污染、产量大、样品纯度高，可重复性好、无需添加催化剂等优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.029 seconds)
