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公开(公告)号：CN111261619A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911157725.0
申请日：2019-11-22
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明的名称为悬浮压接功率半导体模块。属于高压功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有芯片和电极片通过焊料高温焊接而存在焊接应力和焊接空洞的问题。它的主要特征是：包括模块底板，绝缘导热片，金属A、K电极，上、下钼圆片，功率半导体芯片，门极组件，模块塑料外壳；上钼圆片中心设有安装孔；门极引线组件卡入该安装孔内定位；金属A电极、下钼圆片、功率半导体芯片、上钼圆片、门极引线组件和金属K电极依次为压接接触。本发明具有可消除芯片高温焊接产生的形变和应力，能满足客户对模块产品提出的高电压、大电流要求的特点，主要用于高压软启动电源、高压静止无功补偿电源、高压脉冲功率电源、高压直流输电等领域的高压半导体器件。
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公开(公告)号：CN220672584U
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202322232242.0
申请日：2023-08-18
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
Abstract: 本实用新型的名称一种正装结构的功率半导体模块。属于功率半导体模块制造技术领域。它主要是提供一种芯片反装结构变成正装结构的压接方式。它的主要特征是：包括铝底板、外壳、以及两组芯片组件；其中，一组芯片组件由第一碟形弹簧、第一绝缘板、电极K极、第一压块、第一芯片、公共电极的一端和第三铜垫块依次叠压组成；另一组芯片组件由第二碟形弹簧、第二绝缘板、公共电极的另一端、第二压块、第二芯片、第二电极A极和氮化铝片依次叠压组成；第一芯片和第二芯片均正装。本实用新型具有模块内芯片均为正装、可避免出现电压击穿而失效的现象、提高产品合格率和降低生产成本的特点，主要用于正反装芯片功率半导体模块的改进。
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公开(公告)号：CN219626642U
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202320484980.1
申请日：2023-03-14
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型的名称一种具有自密封结构的模块。属于功率器件制造技术领域。它主要是解决现有悬浮压接功率器件存在灌封材料渗入芯片表面影响器件压降稳定性的问题。它的主要特征是：包括模块底板、绝缘导热片、金属电极A、下垫块、下钼圆片、压接芯片、上钼圆片、上压块、金属电极K、门极引线组件和模块塑料外壳；上钼圆片、上压块、金属电极K中心设有安装孔；门极引线组件卡入该安装孔内定位，引出门极控制极G；压接芯片的边缘设有用于定位的圆形凸台；金属电极A、下垫块、下钼圆片、压接芯片、上钼圆片、上压块、金属电极K依次为压接接触。本实用新型具有可靠、实用和具有自密封结构的特点，主要用于功率半导体模块的设计及封装。
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公开(公告)号：CN218925804U
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202320057759.8
申请日：2023-01-09
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: B21D7/022
Abstract: 本实用新型的名称一种工件折弯装置。属于机械加工技术领域。它主要是解决现有折弯装置无法满足多种不同的折弯需要以及通用性和固定效果均较差的问题。它的主要特征是：包括底座及通过固定柱固定在底座上的工作台；所述工作台上设置有包括固定夹板和移动夹板的工件夹具，包括折弯块及其位置调节机构的工件折弯模具，以及包括位于工作台上导向槽内的折弯杆的工件折弯驱动机构；所述折弯块包括矩形部分和弧形部分；所述工件夹具与折弯块的矩形部分相配合；所述导向槽为弧形，与折弯块的弧形部分相配合。本实用新型具有通用性好和固定效果好的特点，主要用于不同直径的管件不同折弯需要的折弯。
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公开(公告)号：CN208046588U
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201820546229.9
申请日：2018-04-17
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本实用新型的名称为一种高压功率半导体阀组驱动装置。属于功率半导体器件应用技术领域。它主要是解决现有高压半导体阀组的每只器件的驱动系统和低压控制系统之间的绝缘隔离问题。它的主要构成是：由分频系统、控制系统、隔离系统、驱动系统和保护系统五部分组成。分频系统包括光脉冲转换电路、放大电路、两组分频电路和光信号转换电路；控制系统包括模拟输入信号放大电路、两组开关控制电路和两组隔离电源；隔离系统由N个晶体磁环叠加构成；驱动系统包括脉冲耦合电路、整流电路和滤波电路。本实用新型具有使用安全、开关性能可靠和开通一致性良好的特点，主要用于不同应用领域的高压半导体阀组组件触发脉冲装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN221447140U
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202322900043.2
申请日：2023-10-27
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
Abstract: 本实用新型的名称一种功率半导体压接模块绝缘耐压结构。属于功率器件制造技术领域。它主要是解决压接模块沿着氮化铝边缘向上爬电问题。它的主要特征是：包括底板、外壳和氮化铝；所述底板上沿氮化铝边缘开有槽，使槽内流入硅胶防止氮化铝边缘爬电；所述外壳与底板接触的的底面上开有与槽相通的豁口，形成排气通道，以便更好的将圆环状槽内的气泡抽出，增强模块绝缘性能。本实用新型具有提升产品的绝缘性能可靠性和绝缘性能上限值的特点，主要用于绝缘耐压标准≥4500V的功率半导体压接模块。
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公开(公告)号：CN217134363U
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202220915441.4
申请日：2022-04-20
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/29
Abstract: 本实用新型的名称是一种具有芯片密封结构的功率半导体模块。属于功率半导体模块制造技术领域。它主要是解决现有功率半导体模块中芯片和压块之间的缝隙会渗入硅凝（橡）胶的问题。它的主要特征是：包括散热底板、绝缘导热片电极、外壳、芯片、门极引线、压块、辅助阴极、绝缘板、碟形弹簧、门极片、门极块、压板、紧固螺钉、盖板和外壳内填充的硅凝胶或硅橡胶层；在所述芯片与压块的接触面边沿外侧设有第一密封层。本实用新型具有芯片与压块的接触面边沿外侧设有密封层、可有效避免硅凝（橡）胶或环氧树脂渗入芯片与压块接触面、提升模块电参数特别是通态压降稳定性、耐久性和可靠性的特点，主要用于提供一种具有芯片密封结构的功率半导体模块。
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公开(公告)号：CN215465653U
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202121402353.6
申请日：2021-06-23
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
Abstract: 本实用新型的名称一种硅凝胶灌注机。属于功率半导体器件生产设备技术领域。它主要是解决现有人工灌注硅凝胶存在工艺流程时间长、混合和灌注量一致性差和大量浪费人力物力的问题。它的主要特征是：包括硅凝胶灌注机基座、载物平台、涂胶头、工业照相机和三维立体机械手装置；所述工业照相机安装在载物平台上方的硅凝胶灌注机基座上；所述三维立体机械手装置设置在硅凝胶灌注机基座上；所述涂胶头安装在三维立体机械手装置的移动夹持机构上；所述涂胶头设有电控灌注开关。本实用新型具有可提高涂胶准确性、减少操作工人的工作量和提高硅凝胶灌注效率的特点，主要用于功率半导体器件制造中对半导体芯片的自动涂胶保护。
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公开(公告)号：CN220196029U
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202222087074.6
申请日：2022-08-09
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
Abstract: 本实用新型的名称一种电极折弯机。属于功率半导体器件生产设备技术领域。它主要是解决目前电极人工折弯存在费力和效率低的问题。它的主要特征是：包括底座、滚轮及滚轮驱动机构和防撞条及防撞条驱动机构；底座上设有固定位置的工位放置槽；滚轮及滚轮驱动机构设置在底座的一侧；防撞条及防撞条驱动机构设置在底座的相对的另一侧；防撞条低于滚轮的底部，且与滚轮相配合。折弯过程：模块到达固定位置后，防撞条伸入电极底部，滚轮开始移动，碾压电极，达到水平位置是滚轮停止前进，折弯结束，防撞条退出，滚轮退回。本实用新型具有由机械代替人工电极折弯、省时省力和电极折弯效率高的特点，主要用于功率半导体器件生产过程中电极的折弯。
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公开(公告)号：CN211788998U
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201922036828.3
申请日：2019-11-22
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型的名称为悬浮压接功率半导体模块。属于高压功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有芯片和电极片通过焊料高温焊接而存在焊接应力和焊接空洞的问题。它的主要特征是：包括模块底板，绝缘导热片，金属A、K电极，上、下钼圆片，功率半导体芯片，门极组件，模块塑料外壳；上钼圆片中心设有安装孔；门极引线组件卡入该安装孔内定位；金属A电极、下钼圆片、功率半导体芯片、上钼圆片、门极引线组件和金属K电极依次为压接接触。本实用新型具有可消除芯片高温焊接产生的形变和应力，能满足客户对模块产品提出的高电压、大电流要求的特点，主要用于高压软启动电源、高压静止无功补偿电源、高压脉冲功率电源、高压直流输电等领域的高压半导体器件。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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