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公开(公告)号：CN117476790B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311359061.2
申请日：2023-10-19
Applicant: 湖北大学 , 广州金升阳科技有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0336 , H01L31/0304 , H01L31/0296 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供了一种双结耦合型自驱动紫外光电探测器及其制备方法。本发明的双结耦合型自驱动紫外光电探测器，在基于pn结n‑Ga2O3:Sn/p‑GaN器件的基础上，再构建n‑ZnO/n‑Ga2O3:Sn异质nn结，使异质nn结与pn结两者内建电场方向一致，利用两者内建电场叠加耦合在光照下可以共同作用分离和传输光生载流子，以此来提升探测器的综合性能；通过对器件进行的光电性能测试发现，通过异质nn结和pn结的内建电场的叠加耦合的器件性能有了显著提高：在同样的255nm波长光照下，器件响应速度更快，响应度提升明显，且具有超高探测率。
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公开(公告)号：CN117476790A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311359061.2
申请日：2023-10-19
Applicant: 湖北大学 , 广州金升阳科技有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0336 , H01L31/0304 , H01L31/0296 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供了一种双结耦合型自驱动紫外光电探测器及其制备方法。本发明的双结耦合型自驱动紫外光电探测器，在基于pn结n‑Ga2O3:Sn/p‑GaN器件的基础上，再构建n‑ZnO/n‑Ga2O3:Sn异质nn结，使异质nn结与pn结两者内建电场方向一致，利用两者内建电场叠加耦合在光照下可以共同作用分离和传输光生载流子，以此来提升探测器的综合性能；通过对器件进行的光电性能测试发现，通过异质nn结和pn结的内建电场的叠加耦合的器件性能有了显著提高：在同样的255nm波长光照下，器件响应速度更快，响应度提升明显，且具有超高探测率。
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公开(公告)号：CN117071071A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311060691.X
申请日：2023-08-22
Applicant: 湖北大学 , 广州金升阳科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种p型氧化镓薄膜及其制备方法和应用。本发明的p型氧化镓薄膜的制备方法，通过物理气相沉积法在真空腔体内烧蚀、溅射或蒸发MxGa1‑xN靶材得到MxGa1‑xN团簇，同时通入O2氧化团簇得到M‑N共掺杂的Ga2O3薄膜。通过等价元素铝或钪等掺杂即合金化提高了氧化镓的导带底和价带顶，抑制氧空位缺陷电离的同时降低了氮受主激活能，同时有效提高了N受主元素在氧化镓薄膜中的溶解度及N受主稳定性；通过本发明的方法制备的共掺杂p型氧化镓薄膜为高质量外延薄膜，空穴载流子浓度高、电阻率低，p型导电稳定性好，且所需的设备和制备工艺简单、生产成本低，将促进氧化镓在超宽禁带半导体器件领域的应用。
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公开(公告)号：CN117071071B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311060691.X
申请日：2023-08-22
Applicant: 湖北大学 , 广州金升阳科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种p型氧化镓薄膜及其制备方法和应用。本发明的p型氧化镓薄膜的制备方法，通过物理气相沉积法在真空腔体内烧蚀、溅射或蒸发MxGa1‑xN靶材得到MxGa1‑xN团簇，同时通入O2氧化团簇得到M‑N共掺杂的Ga2O3薄膜。通过等价元素铝或钪等掺杂即合金化提高了氧化镓的导带底和价带顶，抑制氧空位缺陷电离的同时降低了氮受主激活能，同时有效提高了N受主元素在氧化镓薄膜中的溶解度及N受主稳定性；通过本发明的方法制备的共掺杂p型氧化镓薄膜为高质量外延薄膜，空穴载流子浓度高、电阻率低，p型导电稳定性好，且所需的设备和制备工艺简单、生产成本低，将促进氧化镓在超宽禁带半导体器件领域的应用。
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公开(公告)号：CN117613130A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311472717.1
申请日：2023-11-07
Applicant: 湖北大学 , 广州金升阳科技有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种铁电退极化场增强多结光伏型器件及其制备方法。本发明的多结光伏型器件，具体为铁电退极化场增强BFMO/n‑Ga2O3/ZnO多结光伏型自驱动深紫外光电探测器；本发明的器件，BFMO与n‑Ga2O3接触形成异质结；n‑Ga2O3与ZnO接触形成异质结。由于n‑Ga2O3、BFMO、ZnO三者能带结构的良好匹配，n‑Ga2O3/ZnO和n‑Ga2O3/BFMO异质结界面处的内建电场具有相同的方向。通过调控BFMO中的铁电退极化电场方向与BFMO/n‑Ga2O3异质结、n‑Ga2O3/ZnO异质结界面处内建电场方向一致，使三个同方向电场共同分离光生载流子，从而实现器件性能的提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114134569B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202111449351.7
申请日：2021-11-30
Applicant: 湖北大学 , 广州金升阳科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Cu‑SnO2单晶薄膜及其制备方法和应用，涉及半导体技术领域。本发明提供的Cu‑SnO2单晶薄膜的制备方法包括：制备Cu‑SnO2陶瓷靶材；提供一衬底，利用Cu‑SnO2陶瓷靶材在所述衬底表面制备Cu‑SnO2薄膜层；在氧气的气氛下，对Cu‑SnO2薄膜退火，最后对退火后的Cu‑SnO2薄膜进行O2等离子体处理。将本发明的Cu‑SnO2单晶薄膜作为半导体层制备肖特基二极管，可实现金属电极和二氧化锡单晶薄膜的肖特基接触，所设计的环形电极可通过调节两种金属电极的间距调节漏电流的大小，从而调节二极管的反向耐压值。本发明制备的Cu‑SnO2肖特基二极管具有高的肖特基势垒高度、良好整流特性和高的反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN114134569A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111449351.7
申请日：2021-11-30
Applicant: 湖北大学 , 广州金升阳科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种SnO2(Cu)单晶薄膜及其制备方法和应用，涉及半导体技术领域。本发明提供的SnO2(Cu)单晶薄膜的制备方法包括：制备SnO2(Cu)陶瓷靶材；提供一衬底，利用SnO2(Cu)陶瓷靶材在所述衬底表面制备SnO2(Cu)薄膜层；在氧气的气氛下，对SnO2(Cu)薄膜退火，最后对退火后的SnO2(Cu)薄膜进行O2等离子体处理。将本发明的SnO2(Cu)单晶薄膜作为半导体层制备肖特基二极管，可实现金属电极和二氧化锡单晶薄膜的肖特基接触，所设计的环形电极可通过调节两种金属电极的间距调节漏电流的大小，从而调节二极管的反向耐压值。本发明制备的SnO2(Cu)肖特基二极管具有高的肖特基势垒高度、良好整流特性和高的反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN118156308A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410166054.9
申请日：2024-02-06
Applicant: 广州金升阳科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，包括：衬底；第1导电型的半导体层，层叠于衬底之上；漏电极，位于第1导电型的半导体层之上的一侧；源电极，位于第1导电型的半导体层之上的另一侧；沟槽栅电极，从第1导电型的半导体层上表面向内延伸，且与所述第1导电型的半导体之间隔着栅介质；漏电极包括漏电极的第一、第二部分，第一部分与第1导电型的半导体层之间存在肖特基势垒，第二部分与第1导电型的半导体层形成欧姆接触；源电极包括源电极的第一、第二部分，第一部分与所述第1导电型的半导体层之间存在肖特基势垒，第二部分与所述第1导电型的半导体层形成欧姆接触。本发明可以实现更大的开态通流能力且具备一定的雪崩能力。
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公开(公告)号：CN118156299A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410166053.4
申请日：2024-02-06
Applicant: 广州金升阳科技有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，包括：衬底层；第一基于氮化物的半导体层，置于衬底层之上；第二基于氮化物的半导体层，置于第一基于氮化物的半导体层上且带隙大；漏电极，第一、二部分分别和第二基于氮化物的半导体层肖特基、欧姆接触；源电极，第一、二部分分别和第二基于氮化物的半导体层肖特基、欧姆接触；第一栅电极结构，位于漏电极外侧，延伸到第一基于氮化物的半导体层，包括第一栅介质和第一肖特基栅电极；第二栅电极结构，延伸到第一基于氮化物的半导体层，包括第二栅介质和第二肖特基栅电极；漏电极第二部分介于第一栅介质和漏电极第一部分之间；源电极第二部分介于第二栅介质和源电极第一部分之间。本发明能保证开态通流能力。
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公开(公告)号：CN119507035A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411552802.3
申请日：2024-11-01
Applicant: 湖北大学 , 广州华瑞升阳投资有限公司
Abstract: 本发明提供一种氧化物单晶厚膜的制备方法，包括：将金属源前驱体转移至真空生长设备金属源区的坩埚内，同时将衬底放置于真空生长设备生长区的衬底托上；对真空生长设备进行抽真空处理，并将金属源区和生长区均由室温开始加热升温；对真空生长设备内充入惰性气体，并将生长区继续加热至900℃～1400℃，同时将金属源区继续加热至1100℃～1500℃；保持金属源区和生长区的温度不变，向真空生长设备内通入载气与反应气体，载气将金属源前驱体受热后反应形成的金属亚氧化物定向输送至衬底表面，反应气体与金属亚氧化物在衬底表面充分混合反应生长氧化物单晶厚膜。本发明的制备方法简单价廉，适合大规模批量生产。
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