-
公开(公告)号：CN111312299A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010251812.9
申请日：2020-04-01
Applicant: 湖州中芯半导体科技有限公司
IPC: G11B33/08
Abstract: 本发明涉及量子计算技术领域，且公开了一种基于CVD钻石的量子信息存储设备，包括外壳、内壳、主板、CVD钻石晶片、单色激光器和微波线圈，内壳位于外壳的内部且底部固定设置于外壳的底部，主板水平位于内壳的内部，主板的表面四角处均开设有插孔，多个插孔的内部均活动套接有螺杆，多个螺杆的下端均与内壳的底部固定连接，多个螺杆的杆壁且位于主板的下方均活动套接有弹簧，多个弹簧的下端均与内壳的底部固定连接，多个弹簧的上端均与主板的下表面固定连接，多个螺杆的杆壁且位于主板的上方设有紧固机构，主板的下表面和内壳的底部之间设有缓冲机构。该基于CVD钻石的量子信息存储设备及其制备方法，可以为量子计算机系统提供信息储存的能力。
-
公开(公告)号：CN111307776A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010230331.X
申请日：2020-03-27
Applicant: 湖州中芯半导体科技有限公司
IPC: G01N21/64 , G01N21/17 , G01N23/2251
Abstract: 本发明涉及金刚石技术领域，且公开了一种确定CVD金刚石晶向的方法，包括以下方法步骤：步骤1，准备原料和工具：单色激光器、氦氖激光器、半波片、CVD金刚石单晶、扫描电镜、硅光电探测器和屏幕，检查和校正单色激光器、氦氖激光器、扫描电镜和硅光电探测器，保证其可以正常使用，检查半波片和CVD金刚石单晶是否完好；步骤2，数据采集：首先将CVD金刚石单晶固定在平台上，通过单色激光器照射，并使其光束处于同一直线上，单色激光器处于常开模式产生的激光照射CVD金刚石单晶。该确定CVD金刚石晶向的方法，可以便于确定晶面在晶体中的空间方位和这晶面的好磨方向，且定向精度能够满足生产需要。
-
公开(公告)号：CN111256830B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202010238055.1
申请日：2020-03-30
Applicant: 湖州中芯半导体科技有限公司
IPC: G01J4/00
Abstract: 本发明涉及偏振光检测技术领域，且公开了一种用CVD金刚石单晶检测偏振光的方法，包括如下步骤：S1.实验工具准备，准备合适尺寸大小的CVD金刚石单晶片、汇聚透镜、带偏压的硅光电探测器、可绕快轴旋转的半波片和可发射照射激光的激光发射器；S2.实验工具位置摆放，将激光发射器、CVD金刚石单晶片、汇聚透镜和硅光电探测器从左至右依次摆放。该用CVD金刚石单晶检测偏振光的方法，具备利用CVD金刚石单晶片在不同角度的偏振光下发出红色荧光强度的差异，能够快速检测处偏振光，且所使用的实验设备结构简单，便于搭建使用，能够有效解决偏振光检测手段受到具体实验条件限制的问题的优点。
-
公开(公告)号：CN111378957A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010238028.4
申请日：2020-03-30
Applicant: 湖州中芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及手机钢化膜技术领域，且公开了一种CVD钻石手机钢化膜，包括硅胶膜、CVD碳化硅膜和CVD钻石膜，所述硅胶膜、CVD碳化硅膜和CVD钻石膜从上往下依次分布设置；所述硅胶膜，其按质量分数包括硅橡胶胶体12-20份，架桥剂17-23份，铂金水0.5-1.2份，交联剂3-7份，负离子粉末2-5份。该改性PTFE油封材料制备工艺，能够解决目前普通玻璃材质的钢化膜硬度不佳，容易发生碎裂，从而导致手机屏幕刮花，而且对眼睛没有护眼效果的问题。
-
公开(公告)号：CN111360411A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010231730.8
申请日：2020-03-27
Applicant: 湖州中芯半导体科技有限公司
IPC: B23K26/36 , B23K26/402 , B23K26/08 , B23K26/70 , B23K37/04
Abstract: 本发明涉及金刚石加工技术领域，且公开了一种生产超薄CVD金刚石的方法，包括如下步骤：S1.准备待处理加工的CVD金刚石片、功率大于10W的激光器和用于驱动激光器运动的数控机床；S2.将CVD金刚石片固定在数控机床工作面上，打开激光器发射出激光照射样品表面，CVD金刚石片表面的碳原子与空气中的氧气结合成为二氧化碳气体逸出，从而消耗金刚石的厚度；S3.通过数控机床在平行于CVD金刚石片表面的平面内沿固定路径循环移动激光器，使得激光器照射出的激光光斑能够覆盖CVD金刚石片表面的所有区域。该生产超薄CVD金刚石的方法，具备能够精准控制CVD金刚石片的加工厚度，保证了加工质量的优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111323838A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010251790.6
申请日：2020-04-01
Applicant: 湖州中芯半导体科技有限公司
IPC: G01V8/10
Abstract: 本发明涉及遥感探测技术领域，且公开了一种基于CVD钻石量子传感的水下金属探测器及其制备方法，包括左壳体和右壳体，左壳体的内壁固定连接有隔板，隔板的上表面固定连接有锂电池，隔板的下表面固定连接有调节机构，调节机构的底端固定连接有固定框，固定框的内壁固定连接有CVD钻石晶片，左壳体的内壁固定连接有微波线圈，隔板的下表面固定连接有单色激光器，左壳体的内壁固定连接有永磁体和固定环。该基于CVD钻石量子传感的水下金属探测器及其制备方法，具备能够提高水下金属探测器金属探测灵敏度和空间分辨率，提高了水下金属探测器的探测效果，也能够有效提高水下金属探测的便捷性，同时提高水下金属探测效率等优点。
-
公开(公告)号：CN111308583A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010256768.0
申请日：2020-04-02
Applicant: 湖州中芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及光学器件技术领域，且公开了一种CVD金刚石布鲁斯特窗口结构及，包括CVD金刚石，所述CVD金刚石为直径12.7mm，且高度不小于15mm的圆柱体单晶CVD金刚石，所述CVD金刚石的底面为(100)晶面。所述CVD金刚石上切割有布鲁斯特窗口第一平面和布鲁斯特窗口第二平面，所述布鲁斯特窗口第一平面和布鲁斯特窗口第二个平面均为完整的椭圆形，所述布鲁斯特窗口第一平面为沿与底面成65°角的一个平面切割CVD金刚石加工而成，所述布鲁斯特窗口第二个平面为布鲁斯特窗口第一平面沿圆柱体轴线平移2.0mm切割而成，CVD金刚石布鲁斯特窗口制备方法，包括以下步骤：S1：制备CVD金刚石晶体。该CVD金刚石布鲁斯特窗口结构能够承受较大的激光功率密度。
-
公开(公告)号：CN111290059A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010238063.6
申请日：2020-03-30
Applicant: 湖州中芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，且公开了一种基于CVD钻石的相干光源装置及其制造方法，包括以下装置：CVD钻石、透射电子显微镜、计算机、单色激光器、液氦制冷装置和透镜组，所述CVD钻石的表面经过光刻的处理，所述CVD钻石的表面经过特殊加工处理，且所述CVD钻石的表面分布有间距10微米，直径100纳米的半球结构，所述单色激光器的型号为400-532纳米型单色激光器，所述透射电子显微镜的型号为TEM型透射电子显微镜；包括以下步骤：步骤一：使用所述TEM型号的透射电子显微镜在所述CVD钻石表面的半球内注入浓度1ppb的氮原子；步骤二：对所述CVD钻石进行一千摄氏度的退火。该基于CVD钻石的相干光源装置及其制造方法，便于675纳米相干光源的制造。
-
公开(公告)号：CN111268674A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010256294.X
申请日：2020-04-02
Applicant: 湖州中芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及材料科学技术领域，且公开了一种提高CVD钻石特定区域氮原子浓度的方法，包括以下步骤：步骤一：准备工作：预备透射电子显微镜，以及用于对CVD钻石进行固定的装置，将需要用于注入的氮原子材料放置在透射电子显微镜内，用于预备使用，并启动透射电子显微镜氮原子进行预加工，检验设备是否出现问题，透射电子显微镜对需要注入的氮原子材料进行预加热；步骤二：固定材料的准备工作：对CVD钻石晶片进行加热，并采用氮原子测定专用的高精度机器，对CVD钻石晶片内的氮原子浓度进行测定，单位需要精确到个位。该提高CVD钻石特定区域氮原子浓度的方法，解决了氮原子在CVD钻石内部分布不受人工条件控制的问题。
-
公开(公告)号：CN111290059B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202010238063.6
申请日：2020-03-30
Applicant: 湖州中芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，且公开了一种基于CVD钻石的相干光源装置及其制造方法，包括以下装置：CVD钻石、透射电子显微镜、计算机、单色激光器、液氦制冷装置和透镜组，所述CVD钻石的表面经过光刻的处理，所述CVD钻石的表面经过特殊加工处理，且所述CVD钻石的表面分布有间距10微米，直径100纳米的半球结构，所述单色激光器的型号为400‑532纳米型单色激光器，所述透射电子显微镜的型号为TEM型透射电子显微镜；包括以下步骤：步骤一：使用所述TEM型号的透射电子显微镜在所述CVD钻石表面的半球内注入浓度1ppb的氮原子；步骤二：对所述CVD钻石进行一千摄氏度的退火。该基于CVD钻石的相干光源装置及其制造方法，便于675纳米相干光源的制造。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
55
records
(took 0.073 seconds)
