公开(公告)号：CN117926199A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311811928.3

申请日：2023-12-27

Applicant: 烟台大学

Inventor： 任萍 ,  王文哲 ,  李奂宇 ,  马啸飞 ,  张尚洲

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  A61L27/06 ,  A61L27/50

Abstract: 本发明提供一种TiVCrZrWAg高熵合金薄膜材料及其制备方法和应用，包括如下步骤：对硅基底进行清洗和烘干处理；将清洗和烘干后的硅基底置于磁控溅射装置的真空腔体中，将TiVCrZrW靶材和Ag靶材安装在磁控溅射装置的靶位上；向真空腔体中通入Ar气体作为溅射气体，调节腔体中的工作压强；轰击TiVCrZrW靶材和Ag靶材后，TiVCrZrW靶材、Ag靶材同时开始溅射，两个靶材的溅射厚度相等；溅射结束后，将腔体冷却到室温，得到TiVCrZrWAg高熵合金薄膜。本发明提供的TiVCrZrWAg高熵合金薄膜材料及其制备方法和应用，在TiVCrZrW高熵合金中引入银元素，细化了薄膜的晶粒结构，提高了其致密性，显著改善了摩擦性能和耐腐蚀性能，对于高性能机械部件的性能提升具有重大意义。