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公开(公告)号：CN106067326B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201510926474.3
申请日：2015-12-14
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 一种错误校正电路包括：故障检测单元，适于检测多个数据之中的故障数据；数据输出控制单元，适于选择性地输出排除了故障数据的数据中的与预定量相对应的测试数据；以及错误校正单元，适用于对测试数据执行单位ECC操作。
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公开(公告)号：CN106024061B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201510959027.8
申请日：2015-12-18
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 一种操作半导体存储器件的方法包括：将编程脉冲施加至多个页中的每个页至少一次；通过初始测试电压来对所述多个页之中的参考页执行预读取操作；通过控制初始测试电压来重复预读取操作，直到预读取操作的结果是通过为止；将预读取操作的结果是通过时的初始测试电压设置为参考测试电压；以及通过利用参考测试电压对所述多个页执行读取操作来检测所述多个页之中的缺陷页。
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公开(公告)号：CN103165182A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210306235.4
申请日：2012-08-21
Applicant: 爱思开海力士有限公司
CPC classification number: G06F12/0246 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/3418
Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器件，非易失性存储器件包括：被设置在页的标志区域中的N个非易失性存储器单元；N个标志页缓冲器，被配置成将标志数据输入到标志区域的非易失性存储器单元中以及从标志区域的非易失性存储器单元输出标志数据；以及数据输入/输出控制单元，被配置成选择R个标志页缓冲器使得将标志数据输入到R个选中的标志页缓冲器中以及从R个选中的标志页缓冲器输出标志数据，并且不经由未选中的N-R个标志页缓冲器输入和输出标志数据，其中R个选中的标志页缓冲器中没有一个与R个选中的标志页缓冲器中的另一个直接相邻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103578538B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201210460697.1
申请日：2012-11-15
Applicant: 爱思开海力士有限公司
CPC classification number: G11C16/16 , G11C11/5642 , G11C16/02 , G11C16/0483 , G11C16/14 , G11C16/26
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器件及其操作方法，所述半导体存储器件包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储块，每个存储块包括多个页，其中，所述多个页中的每个包括指示数据是否储存在相应页中的至少一个标志单元；以及外围电路，所述外围电路被配置成响应于擦除请求来从选中的存储块的标志单元中读取数据，并且基于标志单元的数据而省略对选中的存储块的擦除操作。
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公开(公告)号：CN103165182B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201210306235.4
申请日：2012-08-21
Applicant: 爱思开海力士有限公司
CPC classification number: G06F12/0246 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/3418
Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器件，非易失性存储器件包括：被设置在页的标志区域中的N个非易失性存储器单元；N个标志页缓冲器，被配置成将标志数据输入到标志区域的非易失性存储器单元中以及从标志区域的非易失性存储器单元输出标志数据；以及数据输入/输出控制单元，被配置成选择R个标志页缓冲器使得将标志数据输入到R个选中的标志页缓冲器中以及从R个选中的标志页缓冲器输出标志数据，并且不经由未选中的N‑R个标志页缓冲器输入和输出标志数据，其中R个选中的标志页缓冲器中没有一个与R个选中的标志页缓冲器中的另一个直接相邻。
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公开(公告)号：CN106067326A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201510926474.3
申请日：2015-12-14
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 一种错误校正电路包括：故障检测单元，适于检测多个数据之中的故障数据；数据输出控制单元，适于选择性地输出排除了故障数据的数据中的与预定量相对应的测试数据；以及错误校正单元，适用于对测试数据执行单位ECC操作。
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公开(公告)号：CN106024061A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201510959027.8
申请日：2015-12-18
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 一种操作半导体存储器件的方法包括：将编程脉冲施加至多个页中的每个页至少一次；通过初始测试电压来对所述多个页之中的参考页执行预读取操作；通过控制初始测试电压来重复预读取操作，直到预读取操作的结果是通过为止；将预读取操作的结果是通过时的初始测试电压设置为参考测试电压；以及通过利用参考测试电压对所述多个页执行读取操作来检测所述多个页之中的缺陷页。
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公开(公告)号：CN103578538A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210460697.1
申请日：2012-11-15
Applicant: 爱思开海力士有限公司
CPC classification number: G11C16/16 , G11C11/5642 , G11C16/02 , G11C16/0483 , G11C16/14 , G11C16/26
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器件及其操作方法，所述半导体存储器件包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储块，每个存储块包括多个页，其中，所述多个页中的每个包括指示数据是否储存在相应页中的至少一个标志单元；以及外围电路，所述外围电路被配置成响应于擦除请求来从选中的存储块的标志单元中读取数据，并且基于标志单元的数据而省略对选中的存储块的擦除操作。
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