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发明公开
具有增强的容许过擦除的控制栅极方案的存储器结构无效

公开(公告)号：CN101253572A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200680031644.0

申请日：2006-06-13

Applicant: 爱特梅尔公司

Inventor： 妮克拉·泰莱科 , 维克托·恩古耶

IPC: G11C11/34

CPC classification number: G11C16/3468 , G11C16/26 , G11C16/3477

Abstract: 本发明涉及半导体存储器，且特定来说涉及非易失性或快闪存储器以及减小存储器阵列(301)中任何过擦除的存储器单元的影响的方法。当读取存储器单元(M1 231、M2 232)时，向至少一个目标存储器单元的控制栅极(CGN)施加读取电压(306)，且还向与所述目标存储器单元在同一行中的至少另一个存储器单元的控制栅极(CGN－2，CGN+2，...)施加低于过擦除的存储器单元阈值电压的负偏置电压(308)。向这些其它存储器单元施加负偏置电压使附近的单元关断，以在读取、编程或擦除操作期间隔离可能来自过擦除的存储器单元的电流。

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