公开(公告)号：CN100437886C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN01810986.1

申请日：2001-07-18

Applicant: 特利康控股有限公司 ,  史蒂文·罗伯特·伯吉斯

Inventor： 史蒂文·罗伯特·伯吉斯 ,  卡斯藤·乔更斯

IPC: H01J37/34

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/564 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/3408 ,  H01J2237/022

Abstract: 一种磁控管溅射装置，具有控制器(10a)或者在支架(12)上的衬底(3)上选择性地控制等离子体的释放扩展。在衬底要涂覆上靶材时这个控制器也可以约束等离子体。这在将靶材沉积到所需的衬底例如晶片上的沉积间隔中能够清洁靶的表面，并且保证了靶自身上不会形成由背散射沉积的靶材组成的层或者薄片。一种压筒线圈位于磁控管和支架之间以增加近乎垂直到达衬底表面的靶材的均匀性和密度。

公开(公告)号：CN1436361A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN01810986.1

申请日：2001-07-18

Applicant: 特利康控股有限公司 ,  史蒂文·罗伯特·伯吉斯

Inventor： 史蒂文·罗伯特·伯吉斯 ,  卡斯藤·乔更斯

IPC: H01J37/34

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/564 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/3408 ,  H01J2237/022

Abstract: 一种磁控管溅射装置，具有控制器(10a)或者在支架(12)上的衬底(3)上选择性地控制等离子体的释放扩展。在衬底要涂覆上靶材时这个控制器也可以约束等离子体。这在将靶材沉积到所需的衬底例如晶片上的沉积间隔中能够清洁靶的表面，并且保证了靶自身上不会形成由背散射沉积的靶材组成的层或者薄片。一种压筒线圈位于磁控管和支架之间以增加近乎垂直到达衬底表面的靶材的均匀性和密度。