公开(公告)号：CN102648405B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201080052086.2

申请日：2010-11-19

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 坂井一文 ,  野中一洋 ,  山口信介

IPC: G01N21/956 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N21/9505 ,  G01L1/241 ,  G01N21/21 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种检查缺陷方法和装置、晶圆、半导体元件及质量管理方法。通过偏振器对光赋予了偏振光后向被检查体倾斜入射，对散射光使用CCD摄像装置进行拍摄，基于得到的P偏振光分量图像与S偏振光分量图像，求出偏振光分量强度、和作为它们的比的偏振光方向。根据通过在未对被检查体施加应力的状态下与对被检查体施加静荷重而在被检查体的光照射侧的面上施加了作为拉伸应力的静应力的状态下的拍摄而得到的图像，求出偏振光分量强度、偏振光方向，通过与规定阈值进行对比来进行缺陷的检测、分类。能够高精度地检测被检查体缺陷，能够通过确定缺陷的种类对缺陷进行分类，对半导体元件制作用晶圆检查缺陷进行质量管理，使得不良品大幅度地减少。

公开(公告)号：CN102648405A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201080052086.2

申请日：2010-11-19

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 坂井一文 ,  野中一洋 ,  山口信介

IPC: G01N21/956 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N21/9505 ,  G01L1/241 ,  G01N21/21 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种检查缺陷的方法、进行缺陷检查后的晶圆或者使用该晶圆制造的半导体元件、晶圆或者半导体元件的质量管理方法以及缺陷检查装置。通过偏振器（8）对来自光源装置（7）的光赋予了偏振光后向被检查体（W）倾斜入射，对其散射光使用配置在暗视场且具有偏振光分离元件（12）的CCD摄像装置（10）进行拍摄，基于得到的P偏振光分量图像与S偏振光分量图像，求出偏振光分量强度、和作为它们的比的偏振光方向。根据通过在未对被检查体施加应力的状态下与对被检查体施加静荷重而在被检查体的光照射侧的面上施加了作为拉伸应力的静应力的状态下的拍摄而得到的图像，求出偏振光分量强度、偏振光方向，通过与规定的阈值进行对比来进行缺陷的检测、分类。能够高精度地检测被检查体的内部析出物、空洞缺陷、表面的异物或者划伤、表层的裂缝的缺陷，能够通过确定缺陷的种类对缺陷进行分类。通过对半导体元件制作用晶圆检查缺陷，进行质量管理，使得不良品大幅度地减少。