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公开(公告)号：CN103221831A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201280003745.2
申请日：2012-01-25
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: G01R29/12 , G01R29/14 , G01R29/24 , H01L22/14 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种静电带电测量方法和装置，其同时满足以下的三个条件，即(1)非破坏性地测量静电带电，(2)在金属、绝缘物混杂时减少测量对象受环境的影响来测量静电带电，(3)非接近地测量静电带电。本发明的静电带电测量方法具备：施加步骤，对测量对象物施加预先选定的振动频率、振幅的振动；强度测量步骤，测量伴随着测量对象物的振动而产生的电磁波的强度；状态测量步骤，根据在测量步骤中测量出的电磁波的强度来对测量对象物的静电带电状态进行测量。
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公开(公告)号：CN102648405A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201080052086.2
申请日：2010-11-19
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: G01N21/956 , H01L21/66
CPC classification number: G01N21/9505 , G01L1/241 , G01N21/21 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种检查缺陷的方法、进行缺陷检查后的晶圆或者使用该晶圆制造的半导体元件、晶圆或者半导体元件的质量管理方法以及缺陷检查装置。通过偏振器（8）对来自光源装置（7）的光赋予了偏振光后向被检查体（W）倾斜入射，对其散射光使用配置在暗视场且具有偏振光分离元件（12）的CCD摄像装置（10）进行拍摄，基于得到的P偏振光分量图像与S偏振光分量图像，求出偏振光分量强度、和作为它们的比的偏振光方向。根据通过在未对被检查体施加应力的状态下与对被检查体施加静荷重而在被检查体的光照射侧的面上施加了作为拉伸应力的静应力的状态下的拍摄而得到的图像，求出偏振光分量强度、偏振光方向，通过与规定的阈值进行对比来进行缺陷的检测、分类。能够高精度地检测被检查体的内部析出物、空洞缺陷、表面的异物或者划伤、表层的裂缝的缺陷，能够通过确定缺陷的种类对缺陷进行分类。通过对半导体元件制作用晶圆检查缺陷，进行质量管理，使得不良品大幅度地减少。
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公开(公告)号：CN105431744A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201480041180.6
申请日：2014-03-13
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: G01R29/24 , G01H11/06 , G01R29/0878 , G01R29/14 , G01V3/088 , G06F1/00 , G06T11/206 , H01L21/00 , H01L2221/00
Abstract: 本发明提供对测量对象物(200)的测量面上的静电分布进行测量的静电分布测量装置(1)，其具有：阵列天线(2)，其接收由振动在测量面上的多个区域(211)的每个区域内产生的电场；振动单元(3)，其使测量对象物(200)或阵列天线(2)振动；测量单元(4)，其对阵列天线(2)接收的多个区域(211)的每个区域内的电场的强度、频率以及相位的至少一个进行测量；计算单元(5)，其根据测量单元(4)的测量结果，对多个区域(211)的每个区域内的静电量进行计算；以及描绘单元(6)，其根据多个区域(211)的每个区域内的静电量，对测量面上的静电分布进行描绘，阵列天线(2)具有对应于多个区域(211)的每个区域的多个天线元件(21)。
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公开(公告)号：CN104136881A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380007820.7
申请日：2013-02-01
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: G01B11/02
CPC classification number: G01B11/0608 , G01B2210/56
Abstract: 本发明涉及计测物品表面上的突起或突条的高度的方法及用于该方法的装置，在计测形成在物品表面上的细微的突起或突条的高度时，能够以非接触的方式高效并且短时间地计测高度。以形成相对于物品(1)的表面呈小角度的摄影光轴(OA)的方式设置摄像装置(20)，在来自照明光源(40)的照明光下通过摄像装置(20)对物品(1)的表面进行摄影，通过图像处理装置(30)计测由摄影而得到的图像中与突起或突条的高度相当的尺寸，根据摄像装置(20)的摄影倍率来求得突起的高度。另外，对物品(1)表面呈小角度地照射激光，一边进行扫描一边测定由物品(1)表面上的突起或突条产生的散射光的强度，根据强度分布中峰值的宽度来求得突起或突条的高度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102037348A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200980118003.2
申请日：2009-05-22
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: G01N21/956 , H01L21/66
CPC classification number: G01N21/9505 , G01N21/94 , G01N21/9501 , G01N29/2418 , G01N2021/4792 , G01N2021/8848 , G01N2021/8896 , G06T7/001 , G06T2207/30148 , H01L22/12
Abstract: 本发明提供检查缺陷的方法和缺陷检查装置。经由偏光镜(5)使来自光源装置(4)的光成为偏光，并对被检查体(W)从倾斜方向入射，以具有配置在暗视野的偏光分离元件(9)的CCD摄像装置(7)对其散射光(SB)进行摄像，对于得到的P偏光成分图像和S偏光成分图像得到成分光强度，求得作为它们的比的偏光方向。根据对被检查体不施加应力的状态和施加了应力的状态下的光散射体的由摄像得到的图像求取成分光强度、偏光方向，与规定的阈值进行对比，由此能够高精度地检测被检查体的内部析出物、空洞缺陷、表面的异物或划痕、表层的裂纹的缺陷，确定缺陷的种类，进行缺陷的分类。
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公开(公告)号：CN104136881B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201380007820.7
申请日：2013-02-01
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: G01B11/02
CPC classification number: G01B11/0608 , G01B2210/56
Abstract: 本发明涉及计测物品表面上的突起或突条的高度的方法及用于该方法的装置，在计测形成在物品表面上的细微的突起或突条的高度时，能够以非接触的方式高效并且短时间地计测高度。以形成相对于物品(1)的表面呈小角度的摄影光轴(OA)的方式设置摄像装置(20)，在来自照明光源(40)的照明光下通过摄像装置(20)对物品(1)的表面进行摄影，通过图像处理装置(30)计测由摄影而得到的图像中与突起或突条的高度相当的尺寸，根据摄像装置(20)的摄影倍率来求得突起的高度。另外，对物品(1)表面呈小角度地照射激光，一边进行扫描一边测定由物品(1)表面上的突起或突条产生的散射光的强度，根据强度分布中峰值的宽度来求得突起或突条的高度。
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公开(公告)号：CN102648405B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201080052086.2
申请日：2010-11-19
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: G01N21/956 , H01L21/66
CPC classification number: G01N21/9505 , G01L1/241 , G01N21/21 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种检查缺陷方法和装置、晶圆、半导体元件及质量管理方法。通过偏振器对光赋予了偏振光后向被检查体倾斜入射，对散射光使用CCD摄像装置进行拍摄，基于得到的P偏振光分量图像与S偏振光分量图像，求出偏振光分量强度、和作为它们的比的偏振光方向。根据通过在未对被检查体施加应力的状态下与对被检查体施加静荷重而在被检查体的光照射侧的面上施加了作为拉伸应力的静应力的状态下的拍摄而得到的图像，求出偏振光分量强度、偏振光方向，通过与规定阈值进行对比来进行缺陷的检测、分类。能够高精度地检测被检查体缺陷，能够通过确定缺陷的种类对缺陷进行分类，对半导体元件制作用晶圆检查缺陷进行质量管理，使得不良品大幅度地减少。
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公开(公告)号：CN103502825A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280020502.X
申请日：2012-04-11
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: G01R29/12
Abstract: 本发明提供一种静电量计量装置以及静电量计量方法，其适合于处于难以进行计量的状况的制造现场，简便并且高精度地计量电子部件、机械部件等的静电量。本发明的静电量计量装置(1)具备：接收部(2)，其接收由于向计量对象物(10)施加的振动而产生的虚拟电磁波；测量部(3)，其测量由接收部(2)接收到的虚拟电磁波的强度、频率以及相位的至少一个；计算部(4)，其根据测量部(3)的测量结果，计算计量对象物(10)的静电量。
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公开(公告)号：CN102037348B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980118003.2
申请日：2009-05-22
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: G01N21/956 , H01L21/66
CPC classification number: G01N21/9505 , G01N21/94 , G01N21/9501 , G01N29/2418 , G01N2021/4792 , G01N2021/8848 , G01N2021/8896 , G06T7/001 , G06T2207/30148 , H01L22/12
Abstract: 本发明提供检查缺陷的方法和缺陷检查装置。经由偏光镜(5)使来自光源装置(4)的光成为偏光，并对被检查体(W)从倾斜方向入射，以具有配置在暗视野的偏光分离元件(9)的CCD摄像装置(7)对其散射光(SB)进行摄像，对于得到的P偏光成分图像和S偏光成分图像得到成分光强度，求得作为它们的比的偏光方向。根据对被检查体不施加应力的状态和施加了应力的状态下的光散射体的由摄像得到的图像求取成分光强度、偏光方向，与规定的阈值进行对比，由此能够高精度地检测被检查体的内部析出物、空洞缺陷、表面的异物或划痕、表层的裂纹的缺陷，确定缺陷的种类，进行缺陷的分类。
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