公开(公告)号：CN102282103A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201080004416.0

申请日：2010-01-07

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  松木安生 ,  增田贵史

IPC: C01B33/04 ,  H01L21/208 ,  H01L21/316 ,  C01B33/02 ,  C01B33/12

CPC classification number: H01L21/02628 ,  C01B33/029 ,  C01B33/04 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675

Abstract: 本发明涉及高级硅烷组合物，其含有高级硅烷化合物和溶剂，其特征在于，上述溶剂含有环状烃，所述环状烃具有1个或2个双键，不具有烷基，仅由碳和氢构成，折射率为1.40～1.51，介电常数为3.0以下且分子量为180以下。本发明的高级硅烷组合物可以通过液相方法形成安全且具有期望膜厚的优质的膜。

公开(公告)号：CN102282103B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201080004416.0

申请日：2010-01-07

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  松木安生 ,  增田贵史

IPC: C01B33/04 ,  H01L21/208 ,  H01L21/316 ,  C01B33/02 ,  C01B33/12

CPC classification number: H01L21/02628 ,  C01B33/029 ,  C01B33/04 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675

Abstract: 本发明涉及高级硅烷组合物，其含有高级硅烷化合物和溶剂，其特征在于，上述溶剂含有环状烃，所述环状烃具有1个或2个双键，不具有烷基，仅由碳和氢构成，折射率为1.40～1.51，介电常数为3.0以下且分子量为180以下。本发明的高级硅烷组合物可以通过液相方法形成安全且具有期望膜厚的优质的膜。

公开(公告)号：CN102388435B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201080016856.8

申请日：2010-04-09

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  松木安生 ,  川尻陵 ,  增田贵史 ,  金田敏彦

IPC: H01L21/208 ,  B29C59/02 ,  C01B33/02 ,  C01B33/027

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/02 ,  C01B33/027 ,  C01B33/18 ,  C01P2004/01 ,  C01P2004/20 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/14 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/31 ,  Y10T428/24612

Abstract: 本发明涉及图案的形成方法，该方法包括下述步骤：步骤一，在基板和图案状模的间隙配置选自氢化硅化合物和卤化硅化合物的至少一种硅烷化合物；步骤二，对配置的上述硅烷化合物实施选自热处理和紫外线照射处理的至少一种处理。通过在惰性气氛或还原性气氛下进行上述步骤二，可以形成包含硅的图案；通过在含氧气氛下进行上述步骤二的至少一部分，可以形成包含硅氧化物的图案。

公开(公告)号：CN102388435A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201080016856.8

申请日：2010-04-09

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  松木安生 ,  川尻陵 ,  增田贵史 ,  金田敏彦

IPC: H01L21/208 ,  B29C59/02 ,  C01B33/02 ,  C01B33/027

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/02 ,  C01B33/027 ,  C01B33/18 ,  C01P2004/01 ,  C01P2004/20 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/14 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/31 ,  Y10T428/24612

Abstract: 本发明涉及图案的形成方法，该方法包括下述步骤：步骤一，在基板和图案状模的间隙配置选自氢化硅化合物和卤化硅化合物的至少一种硅烷化合物；步骤二，对配置的上述硅烷化合物实施选自热处理和紫外线照射处理的至少一种处理。通过在惰性气氛或还原性气氛下进行上述步骤二，可以形成包含硅的图案；通过在含氧气氛下进行上述步骤二的至少一部分，可以形成包含硅氧化物的图案。