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公开(公告)号：CN104221154A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201380016026.9
申请日：2013-03-18
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明的一种薄膜晶体管(100)，在栅极(20)和沟道(44)之间具备作为包含镧和锆的氧化物(可包含不可避免的杂质；这一点对于氧化物均相同)的栅绝缘层(34)，沟道(44)是由包含铟和锌，并且包含将铟作为1时原子数比为0.015以上且0.075以下的锆(Zr)的第一氧化物；包含铟，并且包含将所述铟(In)作为1时原子数比为0.055以上且0.16以下的锆(Zr)的第二氧化物；或者包含铟，并且包含将所述铟作为1时原子数比为0.055以上且0.16以下的镧的第三氧化物，构成的沟道用氧化物。
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公开(公告)号：CN103999207A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280058844.0
申请日：2012-10-25
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: H01L21/822 , H01L21/316 , H01L27/04
CPC classification number: H01G4/1254 , H01G4/1263 , H01G4/306 , H01L21/02205 , H01L21/02282 , H01L21/02288 , H01L21/76817 , H01L27/016 , H01L28/40 , H01L29/84
Abstract: 本发明的一个固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层(可以包含不可避免的杂质)，其中，所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成，所述前躯体层将前躯体溶液作为原料，所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(Nb)的前躯体作为溶质，并且用于形成所述氧化物层的加热温度为520℃以上且650℃以下。
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公开(公告)号：CN103987680A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280055282.4
申请日：2012-11-07
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: C04B35/622 , B28B11/10 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8246 , H01L27/04 , H01L27/105 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L41/22
CPC classification number: H01L27/1255 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1637 , B41J2/1645 , H01L21/28291 , H01L21/67098 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/1262 , H01L27/127 , H01L28/55 , H01L29/78391 , H01L29/7869 , H01L41/0973 , H01L41/317 , H01L41/332 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/147 , H01L45/1608
Abstract: 本发明的一种功能性设备的制造方法包括模压工艺、功能性固体材料层形成工艺。模压工艺中，在对以功能性固体材料前驱体溶液作为起始材料的功能性固体材料前驱体层推压用于形成模压结构的模具的期间的至少一部分时间内，以使对所述功能性固体材料前驱体层供应热量的热源的第一温度高于所述功能性固体材料前驱体层的第二温度的方式，对所述功能性固体材料前驱体层实施模压加工的模压工艺。另外，功能性固体材料层形成工艺中，在所述模压工艺后，在含氧气氛中通过用高于所述第一温度的第三温度对所述功能性固体材料前驱体层进行热处理，从而由所述功能性固体材料前驱体层形成功能性固体材料层。
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公开(公告)号：CN103946930A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280056688.4
申请日：2012-11-15
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
CPC classification number: H01L21/02565 , H01B1/08 , H01L21/02614 , H01L29/247 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供无定形导电性氧化物膜的形成方法，其特征在于，进行以下工序：在基板上涂布含有a×y摩尔份的(A1)、a×(1-y)摩尔份的(A2)、1摩尔份的(B)和(C)的组合物，形成涂膜，在氧化性气氛下加热该涂膜，其中，(A1)选自由除铈以外的镧系元素中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐和卤化物的1种以上金属化合物，(A2)选自由铅、铋、镍、钯、铜和银中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐和卤化物的1种以上金属化合物；(B)选自由钌、铱、铑和钴中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐、卤化物、亚硝酰基羧酸盐、亚硝酰基硝酸盐、亚硝酰基硫酸盐和亚硝酰基卤化物的1种以上金属化合物；以及(C)含有选自羧酸、醇、酮、二醇和二醇醚的1种以上的溶剂。
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公开(公告)号：CN102388435A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201080016856.8
申请日：2010-04-09
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: H01L21/208 , B29C59/02 , C01B33/02 , C01B33/027
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B33/02 , C01B33/027 , C01B33/18 , C01P2004/01 , C01P2004/20 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/1208 , C23C18/1279 , C23C18/14 , H01L21/02164 , H01L21/02282 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02623 , H01L21/02656 , H01L21/31 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明涉及图案的形成方法，该方法包括下述步骤：步骤一，在基板和图案状模的间隙配置选自氢化硅化合物和卤化硅化合物的至少一种硅烷化合物；步骤二，对配置的上述硅烷化合物实施选自热处理和紫外线照射处理的至少一种处理。通过在惰性气氛或还原性气氛下进行上述步骤二，可以形成包含硅的图案；通过在含氧气氛下进行上述步骤二的至少一部分，可以形成包含硅氧化物的图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102870245B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180021920.6
申请日：2011-05-06
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: H01L41/318 , H01L41/33 , B41J2/16 , C23C18/12 , C23C18/06 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , B05D5/06 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2/1637 , B41J2/1639 , B41J2/1643 , B41J2/1645 , C23C18/06 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , C23C18/1295 , H01L21/02104 , H01L21/0237 , H01L21/02521 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L21/38 , H01L21/441 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L29/786 , H01L29/7869 , H01L41/0973 , H01L41/318 , H01L41/33
Abstract: 本发明之一的功能设备的制造方法依次包括：功能固体材料前驱体层形成工序，通过在基材上涂布功能液体材料来形成功能固体材料的前驱体层；干燥工序，将前驱体层加热至80℃-250℃范围内的第一温度，以事先降低前驱体层的流动性；模压工序，在将前驱体层加热至80℃-300℃范围内的第二温度的状态下，对前驱体层施行模压加工，从而在前驱体层形成模压结构；功能固体材料层形成工序，将前驱体层以高于第二温度的第三温度进行热处理，由此从前驱体层形成功能固体材料层。
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公开(公告)号：CN102971807A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180034573.0
申请日：2011-07-08
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: H01B13/00 , C01G55/00 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/2206 , C01G55/00 , C01G55/002 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , H01B1/08 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02628 , H01L29/4908 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种前体组合物，其用于通过简易的液相工艺来形成显示高导电性、同时即使加热至高温也稳定维持非晶体结构的导电性氧化物膜。本发明的前体组合物含有选自镧系元素（其中，排除铈）的羧酸盐、硝酸盐和硫酸盐中的至少1种，选自钌、铱或铑的羧酸盐、亚硝酰羧酸盐、亚硝酰硝酸盐和亚硝酰硫酸盐中的至少1种，与含有选自羧酸、醇和酮中的至少1种的溶剂。
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公开(公告)号：CN102282103A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201080004416.0
申请日：2010-01-07
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: C01B33/04 , H01L21/208 , H01L21/316 , C01B33/02 , C01B33/12
CPC classification number: H01L21/02628 , C01B33/029 , C01B33/04 , C01B33/12 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02675
Abstract: 本发明涉及高级硅烷组合物，其含有高级硅烷化合物和溶剂，其特征在于，上述溶剂含有环状烃，所述环状烃具有1个或2个双键，不具有烷基，仅由碳和氢构成，折射率为1.40～1.51，介电常数为3.0以下且分子量为180以下。本发明的高级硅烷组合物可以通过液相方法形成安全且具有期望膜厚的优质的膜。
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公开(公告)号：CN102089357A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980127026.X
申请日：2009-07-09
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人金泽大学 , JSR株式会社
CPC classification number: C08G77/60 , C07F7/0896
Abstract: 本发明涉及聚合物的制造方法，其特征在于，使下述式（1）所示的化合物在下述式（2）所示的双核金属络合物的存在下进行反应。R4-nMHn（1）（式（1）中，R为1价有机基团，M为硅原子或锗原子，n为2或3。) ［CpM（μ-CH2）］2 （2）（式（2）中，Cp为环戊二烯基系配位体，Ｍ为选自Rh及Ir的金属原子，Ｍ-Ｍ间为双键。)。
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公开(公告)号：CN102388435B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201080016856.8
申请日：2010-04-09
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: H01L21/208 , B29C59/02 , C01B33/02 , C01B33/027
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B33/02 , C01B33/027 , C01B33/18 , C01P2004/01 , C01P2004/20 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/1208 , C23C18/1279 , C23C18/14 , H01L21/02164 , H01L21/02282 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02623 , H01L21/02656 , H01L21/31 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明涉及图案的形成方法，该方法包括下述步骤：步骤一，在基板和图案状模的间隙配置选自氢化硅化合物和卤化硅化合物的至少一种硅烷化合物；步骤二，对配置的上述硅烷化合物实施选自热处理和紫外线照射处理的至少一种处理。通过在惰性气氛或还原性气氛下进行上述步骤二，可以形成包含硅的图案；通过在含氧气氛下进行上述步骤二的至少一部分，可以形成包含硅氧化物的图案。
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