公开(公告)号：CN103999207A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280058844.0

申请日：2012-10-25

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  德光永辅 ,  尾上允敏 ,  宫迫毅明

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/316 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01G4/1254 ,  H01G4/1263 ,  H01G4/306 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/76817 ,  H01L27/016 ,  H01L28/40 ,  H01L29/84

Abstract: 本发明的一个固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层(可以包含不可避免的杂质)，其中，所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成，所述前躯体层将前躯体溶液作为原料，所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(Nb)的前躯体作为溶质，并且用于形成所述氧化物层的加热温度为520℃以上且650℃以下。