公开(公告)号：CN104221154A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201380016026.9

申请日：2013-03-18

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  井上聪 ,  潘仲慧 ,  宫迫毅明 ,  李金望

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明的一种薄膜晶体管(100)，在栅极(20)和沟道(44)之间具备作为包含镧和锆的氧化物(可包含不可避免的杂质；这一点对于氧化物均相同)的栅绝缘层(34)，沟道(44)是由包含铟和锌，并且包含将铟作为1时原子数比为0.015以上且0.075以下的锆(Zr)的第一氧化物；包含铟，并且包含将所述铟(In)作为1时原子数比为0.055以上且0.16以下的锆(Zr)的第二氧化物；或者包含铟，并且包含将所述铟作为1时原子数比为0.055以上且0.16以下的镧的第三氧化物，构成的沟道用氧化物。

公开(公告)号：CN103946930A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280056688.4

申请日：2012-11-15

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  李金望

IPC: H01B13/00 ,  C01G55/00 ,  H01B1/08 ,  H01B1/20 ,  H01B5/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02614 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供无定形导电性氧化物膜的形成方法，其特征在于，进行以下工序：在基板上涂布含有a×y摩尔份的(A1)、a×(1-y)摩尔份的(A2)、1摩尔份的(B)和(C)的组合物，形成涂膜，在氧化性气氛下加热该涂膜，其中，(A1)选自由除铈以外的镧系元素中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐和卤化物的1种以上金属化合物，(A2)选自由铅、铋、镍、钯、铜和银中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐和卤化物的1种以上金属化合物；(B)选自由钌、铱、铑和钴中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐、卤化物、亚硝酰基羧酸盐、亚硝酰基硝酸盐、亚硝酰基硫酸盐和亚硝酰基卤化物的1种以上金属化合物；以及(C)含有选自羧酸、醇、酮、二醇和二醇醚的1种以上的溶剂。

公开(公告)号：CN102971807B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201180034573.0

申请日：2011-07-08

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  李金望

IPC: H01B13/00 ,  C01G55/00 ,  H01B5/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/2206 ,  C01G55/00 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/40 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种前体组合物，其用于通过简易的液相工艺来形成显示高导电性、同时即使加热至高温也稳定维持非晶体结构的导电性氧化物膜。本发明的前体组合物含有选自镧系元素（其中，排除铈）的羧酸盐、硝酸盐和硫酸盐中的至少1种，选自钌、铱或铑的羧酸盐、亚硝酰羧酸盐、亚硝酰硝酸盐和亚硝酰硫酸盐中的至少1种，与含有选自羧酸、醇和酮中的至少1种的溶剂。

公开(公告)号：CN104160456A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201380011944.2

申请日：2013-02-28

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  李金望

IPC: H01B13/00 ,  B05D5/12 ,  H01B5/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1233 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1295 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/288 ,  H01L29/247

Abstract: 本发明提供一种导电性膜的形成方法，其特征在于，经过下述工序：涂膜形成工序，在基板上，涂布含有1种以上的下述金属化合物以及溶剂的组合物而形成涂膜，所述金属化合物选自：选自铜、钯、铑、钌、铱、镍及铋中的金属的羧酸盐、醇盐、二酮化物及亚硝酰羧酸盐；以及氢自由基处理工序，向该涂膜供给氢自由基来进行氢自由基处理。

公开(公告)号：CN102971807A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201180034573.0

申请日：2011-07-08

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  李金望

IPC: H01B13/00 ,  C01G55/00 ,  H01B5/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/2206 ,  C01G55/00 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/40 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种前体组合物，其用于通过简易的液相工艺来形成显示高导电性、同时即使加热至高温也稳定维持非晶体结构的导电性氧化物膜。本发明的前体组合物含有选自镧系元素（其中，排除铈）的羧酸盐、硝酸盐和硫酸盐中的至少1种，选自钌、铱或铑的羧酸盐、亚硝酰羧酸盐、亚硝酰硝酸盐和亚硝酰硫酸盐中的至少1种，与含有选自羧酸、醇和酮中的至少1种的溶剂。

公开(公告)号：CN104160456B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201380011944.2

申请日：2013-02-28

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  李金望

IPC: H01B13/00 ,  B05D5/12 ,  H01B5/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1233 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1295 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/288 ,  H01L29/247

Abstract: 本发明提供一种导电性膜的形成方法，其特征在于，经过下述工序：涂膜形成工序，在基板上，涂布含有1种以上的下述金属化合物以及溶剂的组合物而形成涂膜，所述金属化合物选自：选自铜、钯、铑、钌、铱、镍及铋中的金属的羧酸盐、醇盐、二酮化物及亚硝酰羧酸盐；以及氢自由基处理工序，向该涂膜供给氢自由基来进行氢自由基处理。