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公开(公告)号：CN109584936B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201811547433.3
申请日：2018-12-17
Applicant: 珠海博雅科技股份有限公司
IPC: G11C16/28
Abstract: 本发明公开了一种提高漏极电压稳定性的电路、存储芯片及存储器，包括三个模块，一个是电流转电压的电路，一个是差分比较器的电路，还有一个是基准电压生成电路，本发明为了确保读取操作中的漏极电流转换成电压的时候不受外界因素影响，设置了一级差分比较器以及用于做比对的基准电压，基准电压是带隙基准电压源经过调整后产生，将原先的读取操作转换而来的电压和基准电压作为两个输入端输入到一级差分比较器中，从而得到判断结果，保证了输出电压值不会发生较大的偏差，因此输出电压值不随Vcc电压、温度、工艺角的变化而变化。
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公开(公告)号：CN114664356A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210305192.1
申请日：2022-03-25
Applicant: 珠海博雅科技股份有限公司
Inventor： 安友伟
Abstract: 本申请公开了非易失性存储器的擦除方法和擦除装置。所述擦除方法包括：对选定扇区的存储单元执行擦除操作；对所述选定扇区的存储单元执行至少一种编程操作；根据所述至少一种编程操作的编程参数估计干扰强度是否超过预定值；以及在所述干扰强度超过预定值的情形下，对未选定扇区的干扰区域的存储单元进行干扰修复。所述擦除方法采用选择性的干扰修复操作以保证选定扇区的数据擦除速度以及提高未选定扇区的数据可靠性。
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公开(公告)号：CN114661133A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210180448.0
申请日：2022-02-25
Applicant: 珠海博雅科技股份有限公司
IPC: G06F1/3225 , G06F1/3296 , G06F11/07
Abstract: 本发明公开了一种降低功耗的非易失性存储器芯片，包括：看门狗电路、待机电源电路和深度掉电模式电路，看门狗电路用于在芯片处于待机模式的情况下，计算芯片处于待机模式下的待机时长，并在待机时长超过待机时间阈值的情况下，将待机时长重新置0且发送深度掉电模式使能信号到深度掉电模式电路或发送待机电压调节信号到待机电源电路，本发明实施例通过内置的看门狗电路，不仅能够保证芯片待机一定时间后，可以将待机时长重新置0且发送深度掉电模式使能信号到深度掉电模式电路使待机电源电路进入深度掉电模式从而降低芯片的功耗，还可以选择将待机时长重新置0且发送的待机电压调节信号以调节待机工作电压来降低芯片的功耗。
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公开(公告)号：CN114550781A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210105283.0
申请日：2022-01-28
Applicant: 珠海博雅科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多比特非易失性存储器的擦除修复方法、系统、装置，擦除修复方法包括：刷新缓存并加载待修复区域的待修复数据到缓存中；选定目标电压挡位，根据目标电压挡位确定目标电压挡位对应的修复校验电压和编程校验电压，修复校验电压比编程校验电压小；对待修复区域中任意一个存储单元，判断存储单元是否满足修复校验条件；当待修复区域中存在满足修复校验条件的存储单元，根据缓存中的待修复数据和编程校验电压对待修复区域的存储单元进行编程。因为判断存储单元是否满足擦除修复条件和修复时都是对待修复区域中的全部存储单元进行操作，所以可以减少加上存储阵列上的模拟电压的切换次数，从而降低在擦除修复过程中的功耗和时间。
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公开(公告)号：CN114530187A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210100755.3
申请日：2022-01-27
Applicant: 珠海博雅科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Nor Flash，包括：存储单元阵列；待检测电压源；字线电压异常检测阵列，包括多个字线电压异常检测电路，字线电压异常检测电路与待检测字线一一对应连接，字线电压异常检测电路包括测试开关、测试单元和比较电路，测试单元的栅极通过测试开关与对应的一个待检测字线连接，测试单元的漏极连接比较电路，在测试开关导通的情况下，比较电路根据测试单元的漏极输出的电流和参考阈值电流输出用于代表比较结果的电平信号，由于本发明实施例通过内置的字线电压异常检测阵列代替了传统的外部探针对所选定的字线进行电压异常检测，所以可以为整个字线电压异常检测提供便利和减少检测所花费的时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113409855B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202110509589.8
申请日：2021-05-11
Applicant: 珠海博雅科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种非易失性存储单元的参考电流确定方法、装置及存储介质，其中，参考电流确定方法包括：接收测试机发送的测试参考电流指令，测试参考电流指令包括最小挡位数；生成若干挡互不相同的参考电流值；遍历参考电流值对存储芯片执行读操作，并分别对存储芯片进行读操作校验，记录能够通过校验的参考电流值的挡位数量、最大参考电流值和最小参考电流值；当挡位数量大于或等于最小电流挡位数，根据最大参考电流值和最小参考电流值确定应用于存储芯片的最佳参考电流值。应用本发明的方法，可以使得生产工艺不同的存储芯片能够根据自身内部实际情况设置参考电流值，从而弥补了生产工艺波动等因素带来的性能差异，提高芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN113409857B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110509819.0
申请日：2021-05-11
Applicant: 珠海博雅科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种参考单元替换方法、装置及存储介质，其中，参考单元替换方法包括接收擦除操作指令；测量参考单元的输出电流，当所述参考单元的输出电流与所述参考单元的设计电流不同，对所述参考单元执行替换操作；根据所述擦除操作指令执行擦除操作。本发明实施例中，当接收到擦除操作指令，存储芯片执行擦除操作之前，对参考单元的进行检测，并对出现问题的参考单元进行替换，可以有效解决参考单元随着存储芯片的使用时间增长而逐渐失效的问题，提高存储芯片的可靠性；另一方面，相对于读写操作来说，擦除操作花费的时间较长，因此选择在擦除操作前进行参考单元检测，可以避免检测过程对存储芯片的读写速度的影响。
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公开(公告)号：CN114758689A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210366516.2
申请日：2022-04-08
Applicant: 珠海博雅科技股份有限公司
Inventor： 安友伟
Abstract: 本发明公开了一种用于非易失性存储器的擦除方法及上电修复方法，非易失性存储器包括多个用于存储数据的区域，擦除方法包括：将选定区域对应的标志位标记为第一状态，标志位位于状态标志区；对选定区域进行擦除操作；将选定区域对应的标志位标记为第二状态。上电修复方法包括上述擦除方法，以及在非易失性存储器上电后读取标志位存储区；若标志位存储区包括处于第一状态的标志位，则判断标志位存储区的对应区域是否包括过擦除存储单元；若对应区域包括过擦除存储单元，则在过擦除存储单元所在字线施加第二电压；重复上述流程，直至遍历标志位存储区，从而减小或消除意外掉电对非易失性存储器的不良影响，提高非易失性存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN114530182A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210105291.5
申请日：2022-01-28
Applicant: 珠海博雅科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种编程方法、系统、装置，编程方法包括：获取缓存中的编程数据以及编程数据对应在多比特非易失性存储器中的目标区域；从多个电压挡位中选定一个电压挡位作为目标电压挡位；根据编程数据、目标电压挡位以及编程数据与目标区域中存储单元的地址的对应关系，对编程数据在目标区域中对应的全部存储单元进行编程校验；当存在编程校验不通过的存储单元，根据缓存中的编程数据和目标电压挡位对目标区域中的全部存储单元进行编程，因为在进行编程校验和编程时都是根据选中的目标电压挡位对目标区域中的全部存储单元进行操作，所以可以减少加上存储阵列上的模拟电压的切换次数，从而降低在编程过程中的功耗和减少编程的时间。
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公开(公告)号：CN119517117A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411496203.4
申请日：2024-10-24
Applicant: 珠海博雅科技股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种参数配置电路、参数配置方法、非易失性存储器及芯片。该参数配置电路用于提供非易失性存储器的配置参数包括：存储阵列，存储阵列包括m个存储区域，每个存储区域包括n个存储单元，同一存储区域中的各存储单元依序记录在输入相应次数的用户数据时，配置参数中该存储区域对应数据位的数值变化，n和m均为正整数；转换单元，对于每个存储区域，转换单元累计该存储区域中各存储单元的存储数据以获得该存储区域对应数据位的数值；以及配置寄存器，根据转换单元提供的各数据位数值提供配置参数。通过简化用户数据写入流程缩短操作所需时间，降低了意外掉电发生在用户数据写入过程中的几率，提高了稳定性。
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