公开(公告)号：CN105391440B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201510526881.5

申请日：2015-08-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 神田良 ,  户田铁 ,  中村纯一 ,  梅津和之 ,  栗原智敦 ,  永津贵大 ,  中原宁 ,  嘉屋旨哲

IPC: H03K19/094 ,  H03K19/0175

Abstract: 本发明涉及半导体装置、功率控制装置和电子系统。为了降低包括诸如驱动器IC的半导体装置的功率控制装置以及电子系统的成本等，所述驱动器IC包括高侧驱动器、电平移位电路、第一和第二晶体管、以及比较器电路。所述第一晶体管形成在终止区中。所述第二晶体管形成在所述终止区中并由第一电源电压驱动。所述比较器电路形成在所述第一区中以在感测节点的电压低于所述第一电源电压时驱动所述第一晶体管导通，而在所述感测节点的电压高于所述第一电源电压时驱动所述第一晶体管关断。所述第二晶体管是耗尽型晶体管。

公开(公告)号：CN105391440A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510526881.5

申请日：2015-08-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 神田良 ,  户田铁 ,  中村纯一 ,  梅津和之 ,  栗原智敦 ,  永津贵大 ,  中原宁 ,  嘉屋旨哲

IPC: H03K19/094 ,  H03K19/0175

Abstract: 本发明涉及半导体装置、功率控制装置和电子系统。为了降低包括诸如驱动器IC的半导体装置的功率控制装置以及电子系统的成本等，所述驱动器IC包括高侧驱动器、电平移位电路、第一和第二晶体管、以及比较器电路。所述第一晶体管形成在终止区中。所述第二晶体管形成在所述终止区中并由第一电源电压驱动。所述比较器电路形成在所述第一区中以在感测节点的电压低于所述第一电源电压时驱动所述第一晶体管导通，而在所述感测节点的电压高于所述第一电源电压时驱动所述第一晶体管关断。所述第二晶体管是耗尽型晶体管。

公开(公告)号：CN103369808A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310105009.4

申请日：2013-03-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 谢花正司 ,  泽野博之 ,  河田诚治 ,  藤井正浩 ,  中村纯一

IPC: H05B41/392

CPC classification number: G01J1/44

Abstract: 本发明提供了一种光电转换设备，其具有输出电流与照度的高线性并且可应用于照度传感器。该光电转换设备通过利用补充电流来补充响应于入射光所生成的第一电流而输出适当电流。该补充电流基于响应于光而流动的第二电流生成。该第二电流由与生成第一电流的器件元件面积相同的器件生成。当第二电流流动时，基于第二电流的方向生成补充电流并且随后将其添加至第一电流。