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    半导体器件及其制造方法
    1.
    发明授权
    半导体器件及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN109037320B

    公开(公告)日：2023-10-17

    申请号：CN201810589501.6

    申请日：2018-06-08

    Applicant: 瑞萨电子株式会社

    Inventor： 神田良

    IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

    Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件1包括：包括上表面的半导体衬底50；沟槽电极22，设置在形成在上表面上的沟槽20内；以及沟槽绝缘膜21，设置在沟槽电极22和半导体衬底50之间。半导体衬底50包括：第一导电类型的第一半导体层，到达第一半导体层的沟槽电极22的下端；第二导电类型的深层19，部分地设置在第一半导体层上并且与沟槽绝缘膜21接触；第二导电类型的第二半导体层，设置在第一半导体层上和深层19上并且与沟槽绝缘膜21接触；以及第一导电类型的第三半导体层，设置在深层19之上的第二半导体层上。

    沟槽栅极IGBT
    2.
    发明授权
    沟槽栅极IGBT 有权

    公开(公告)号：CN108231865B

    公开(公告)日：2023-09-05

    申请号：CN201711263226.0

    申请日：2017-12-05

    Applicant: 瑞萨电子株式会社

    Inventor： 神田良 ,  松浦仁 ,  菊地修一

    IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

    Abstract: 本公开涉及沟槽栅极IGBT。提供了一种高性能的沟槽栅极IGBT。根据一个实施例的沟槽栅极IGBT包括：半导体衬底(11)；设置在半导体衬底(11)上的沟道层(15)；设置在沟道层(15)两侧的两个浮置P型层(12)，浮置P型层(12)比沟道层(15)深；设置在两个浮置P型层(12)之间的两个发射极沟槽(13)，发射极沟槽(13)分别与浮置P型层(12)接触；设置在两个发射极沟槽(13)之间的至少两个栅极沟槽(14)；和设置在两个栅极沟槽14之间的源极扩散层(19)，源极扩散层(19)与栅极沟槽(14)中的每一个接触。

    半导体装置
    3.
    发明授权
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN106409819B

    公开(公告)日：2021-10-01

    申请号：CN201610443218.3

    申请日：2016-06-20

    Applicant: 瑞萨电子株式会社

    Inventor： 武藤邦治 ,  板东晃司 ,  金泽孝光 ,  神田良 ,  田村晃洋 ,  峰岸宏文

    IPC: H01L25/07

    Abstract: 本发明涉及半导体装置，提高半导体装置的可靠性。形成有控制电路的半导体芯片(CHP3)与多个IGBT芯片中的半导体芯片(CHP1(HU))经由高侧用中继基板(RB1)而电连接。即，半导体芯片(CHP1(HU))与半导体芯片(CHP3)经由导线(W1)、高侧用中继基板(RB1)和导线(W2)而电连接。同样地，形成有控制电路的半导体芯片(CHP3)与多个IGBT芯片中的半导体芯片(CHP1(LW))经由低侧用中继基板(RB2)而电连接。即，半导体芯片(CHP1(LW))与半导体芯片(CHP3)经由导线W1、低侧用中继基板(RB2)和导线(W2)而电连接。

    半导体装置、功率控制装置和电子系统
    4.
    发明授权
    半导体装置、功率控制装置和电子系统 有权

    公开(公告)号：CN105391440B

    公开(公告)日：2020-06-16

    申请号：CN201510526881.5

    申请日：2015-08-25

    Applicant: 瑞萨电子株式会社

    Inventor： 神田良 ,  户田铁 ,  中村纯一 ,  梅津和之 ,  栗原智敦 ,  永津贵大 ,  中原宁 ,  嘉屋旨哲

    IPC: H03K19/094 ,  H03K19/0175

    Abstract: 本发明涉及半导体装置、功率控制装置和电子系统。为了降低包括诸如驱动器IC的半导体装置的功率控制装置以及电子系统的成本等，所述驱动器IC包括高侧驱动器、电平移位电路、第一和第二晶体管、以及比较器电路。所述第一晶体管形成在终止区中。所述第二晶体管形成在所述终止区中并由第一电源电压驱动。所述比较器电路形成在所述第一区中以在感测节点的电压低于所述第一电源电压时驱动所述第一晶体管导通，而在所述感测节点的电压高于所述第一电源电压时驱动所述第一晶体管关断。所述第二晶体管是耗尽型晶体管。

    半导体装置、功率控制装置和电子系统
    5.
    发明公开
    半导体装置、功率控制装置和电子系统 有权

    公开(公告)号：CN105391440A

    公开(公告)日：2016-03-09

    申请号：CN201510526881.5

    申请日：2015-08-25

    Applicant: 瑞萨电子株式会社

    Inventor： 神田良 ,  户田铁 ,  中村纯一 ,  梅津和之 ,  栗原智敦 ,  永津贵大 ,  中原宁 ,  嘉屋旨哲

    IPC: H03K19/094 ,  H03K19/0175

    Abstract: 本发明涉及半导体装置、功率控制装置和电子系统。为了降低包括诸如驱动器IC的半导体装置的功率控制装置以及电子系统的成本等，所述驱动器IC包括高侧驱动器、电平移位电路、第一和第二晶体管、以及比较器电路。所述第一晶体管形成在终止区中。所述第二晶体管形成在所述终止区中并由第一电源电压驱动。所述比较器电路形成在所述第一区中以在感测节点的电压低于所述第一电源电压时驱动所述第一晶体管导通，而在所述感测节点的电压高于所述第一电源电压时驱动所述第一晶体管关断。所述第二晶体管是耗尽型晶体管。

    半导体器件
    7.
    发明授权
    半导体器件 有权

    公开(公告)号：CN104282733B

    公开(公告)日：2019-12-03

    申请号：CN201410322611.8

    申请日：2014-07-08

    Applicant: 瑞萨电子株式会社

    Inventor： 神田良 ,  户田铁 ,  中原宁 ,  嘉屋旨哲

    IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40

    Abstract: 本发明涉及半导体器件。场板电极以折叠方式或以螺旋形状在沿着第一电路区域的边缘的方向上重复地设置。耦合晶体管将第一电路耦合到电源电压低于第一电路的第二电路。第二导电类型区域设置在耦合晶体管周围。场板电极的一部分与第二导电类型区域部分地重叠。场板电极在相对在分离区域的宽度方向上的中央而位于第一电路区域侧的部分，被电耦合到耦合晶体管的漏电极。第二电路的地电位或电源电位在相对所述中央而位于第二导电类型区域侧的部分，被施加到场板电极。

    半导体器件
    8.
    发明授权
    半导体器件 有权

    公开(公告)号：CN104600046B

    公开(公告)日：2019-04-02

    申请号：CN201410594450.8

    申请日：2014-10-29

    Applicant: 瑞萨电子株式会社

    Inventor： 嘉屋旨哲 ,  中原宁 ,  新家东 ,  神田良 ,  栗原智敦 ,  户田铁

    IPC: H01L23/495

    Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：第一导电类型的衬底、第一电路区域、分隔区域、第二电路区域和整流元件。整流元件具有：第二导电类型层、第一高浓度第二导电类型区域、第二高浓度第二导电类型区域、元件隔离膜、第一绝缘层和第一导电膜。第一接触耦合至第一高浓度第二导电类型区域，而第二接触耦合至第二高浓度第二导电类型区域。第三接触耦合至第一导电膜。第一接触、第二接触和第三接触彼此分隔开。

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