-
公开(公告)号:CN106409819B
公开(公告)日:2021-10-01
申请号:CN201610443218.3
申请日:2016-06-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/07
Abstract: 本发明涉及半导体装置,提高半导体装置的可靠性。形成有控制电路的半导体芯片(CHP3)与多个IGBT芯片中的半导体芯片(CHP1(HU))经由高侧用中继基板(RB1)而电连接。即,半导体芯片(CHP1(HU))与半导体芯片(CHP3)经由导线(W1)、高侧用中继基板(RB1)和导线(W2)而电连接。同样地,形成有控制电路的半导体芯片(CHP3)与多个IGBT芯片中的半导体芯片(CHP1(LW))经由低侧用中继基板(RB2)而电连接。即,半导体芯片(CHP1(LW))与半导体芯片(CHP3)经由导线W1、低侧用中继基板(RB2)和导线(W2)而电连接。
-
公开(公告)号:CN106409819A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201610443218.3
申请日:2016-06-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H02M7/537 , H01L23/04 , H01L23/3107 , H01L23/49541 , H01L27/0664 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H02M7/53875 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L25/07
Abstract: 本发明涉及半导体装置,提高半导体装置的可靠性。形成有控制电路的半导体芯片(CHP3)与多个IGBT芯片中的半导体芯片(CHP1(HU))经由高侧用中继基板(RB1)而电连接。即,半导体芯片(CHP1(HU))与半导体芯片(CHP3)经由导线(W1)、高侧用中继基板(RB1)和导线(W2)而电连接。同样地,形成有控制电路的半导体芯片(CHP3)与多个IGBT芯片中的半导体芯片(CHP1(LW))经由低侧用中继基板(RB2)而电连接。即,半导体芯片(CHP1(LW))与半导体芯片(CHP3)经由导线W1、低侧用中继基板(RB2)和导线(W2)而电连接。
-