公开(公告)号：CN104285273B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201380023331.0

申请日：2013-03-21

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 具本雄 ,  理查尔·M·怀特 ,  史费特那·B·瑞都凡诺 ,  凯文·M·丹尼尔斯 ,  艾利克·R·科步 ,  大卫·W·皮特曼

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01L21/265 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/0825

Abstract: 本发明的处理基板的方法可由离子植入系统来实现，此离子植入系统包括具有离子源腔室的离子源。离子源腔室具有定义离子产生区及萃取孔的壁，经由萃取孔萃取离子产生区中产生的离子。萃取系统位于靠近萃取孔的离子源下游。材料源包括包含第一材料的第一源、包含第二材料的第二源、及第一导管与第二导管，第一导管可与第一源及离子源腔室连通，以提供来自第一源的第一材料至离子源腔室，且第二导管与第二源连通。离子源腔室外侧的第一区提供来自第二源的第二材料至第一区。

公开(公告)号：CN104285273A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380023331.0

申请日：2013-03-21

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 具本雄 ,  理查尔·M·怀特 ,  史费特那·B·瑞都凡诺 ,  凯文·M·丹尼尔斯 ,  艾利克·R·科步 ,  大卫·W·皮特曼

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01L21/265 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/0825

Abstract: 处理基板的技术可由离子植入系统来实现，此离子植入系统包括具有离子源腔室的离子源。离子源腔室具有定义离子产生区及萃取孔的壁，经由萃取孔萃取离子产生区中产生的离子。萃取系统位于靠近萃取孔的离子源下游。材料源包括包含第一材料的第一源、包含第二材料的第二源、及第一导管与第二导管，第一导管可与第一源及离子源腔室连通，以提供来自第一源的第一材料至离子源腔室，且第二导管与第二源连通。离子源腔室外侧的第一区提供来自第二源的第二材料至第一区。