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公开(公告)号：CN111819678B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201980015219.X
申请日：2019-01-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/68
Abstract: 提供一种衬底总成、衬底支架总成及处理设备。所述衬底总成可包括外部晕圈，所述外部晕圈包含第一材料并界定第一孔隙。所述衬底总成也可包括晕环，所述晕环包含第二材料且至少部分地设置在所述第一孔隙内。所述晕环可界定同心地定位在所述第一孔隙内的第二孔隙，其中所述晕环耦合到所述外部晕圈以在其中容置衬底。
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公开(公告)号：CN102439693A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080022632.8
申请日：2010-06-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , H01J37/317 , H01L21/266
CPC classification number: H01L21/67213 , C23C14/48 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/2001 , H01J2237/2007 , H01J2237/20292 , H01J2237/204 , H01J2237/31711 , H01L21/266 , H01L21/67769 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种工作件处理系统(100)包含：处理腔室(114)，其经组态以支撑工作件用于离子植入；第一遮罩(172、174、176)，其储存于所述处理腔室(114)外部且处于遮罩台(170)中；以及机器人系统(106)，其经组态以自所述遮罩台(170)撷取所述第一遮罩(172、174、176)，且将所述第一遮罩定位于所述工作件上游，使得所述工作件经由所述第一遮罩而接收第一选择性植入。一种方法包含：将第一遮罩(172、174、176)储存于处理腔室(114)外部且处于遮罩台(170)中；自所述遮罩台(170)撷取所述第一遮罩；将所述第一遮罩定位于已定位在所述处理腔室(114)中的工作件上游以用于离子植入；以及经由所述第一遮罩而执行第一选择性植入。
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公开(公告)号：CN102428542A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021679.2
申请日：2010-04-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 凯文·M·丹尼尔斯 , 罗素·J·洛 , 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/48 , H01J37/3171 , H01J2237/08 , H01J2237/303 , H01J2237/31711 , H01L21/266
Abstract: 本发明揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可使用用于处理基板的遮罩而达成。所述遮罩可并入至诸如离子植入系统的基板处理系统中。所述遮罩可包括：一或多个第一孔，其安置于第一列中；以及一或多个第二孔，其安置于第二列中，每一列沿所述遮罩的宽度方向延伸，其中所述一或多个第一孔及所述一或多个第二孔为非一致的。
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公开(公告)号：CN109417012B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201780024188.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 科斯特尔·拜洛 , 皮尔·卢比克 , 泰勒·洛克威尔 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 维克拉姆·辛 , 凯文·M·丹尼尔斯 , 理查德·J·赫尔特 , 彼得·F·库鲁尼西 , 亚历山大·利坎斯奇
IPC: H01J37/32 , H01J37/317
Abstract: 本发明的实施例提供一种处理设备及处理衬底的方法，所述处理设备可以包含：等离子体腔室，以容纳等离子体并且具有包括电绝缘体的主体部分；提取板，沿着等离子体腔室的提取侧安置，所述提取板是导电的并且具有提取孔隙；衬底平台，安置在等离子体腔室的外部并且邻近提取孔隙，所述衬底平台处在接地电势；以及射频发生器，电耦合到所述提取板，当等离子体存在于等离子体腔室中时所述射频发生器相对于接地电势在提取板处建立正直流自身偏置电压。
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公开(公告)号：CN102428542B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201080021679.2
申请日：2010-04-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 凯文·M·丹尼尔斯 , 罗素·J·洛 , 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/48 , H01J37/3171 , H01J2237/08 , H01J2237/303 , H01J2237/31711 , H01L21/266
Abstract: 本发明揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可使用用于处理基板的遮罩而达成。所述遮罩可并入至诸如离子植入系统的基板处理系统中。所述遮罩可包括：一或多个第一孔，其安置于第一列中；以及一或多个第二孔，其安置于第二列中，每一列沿所述遮罩的宽度方向延伸，其中所述一或多个第一孔及所述一或多个第二孔为非一致的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104285273A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201380023331.0
申请日：2013-03-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01L21/265 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/0825
Abstract: 处理基板的技术可由离子植入系统来实现，此离子植入系统包括具有离子源腔室的离子源。离子源腔室具有定义离子产生区及萃取孔的壁，经由萃取孔萃取离子产生区中产生的离子。萃取系统位于靠近萃取孔的离子源下游。材料源包括包含第一材料的第一源、包含第二材料的第二源、及第一导管与第二导管，第一导管可与第一源及离子源腔室连通，以提供来自第一源的第一材料至离子源腔室，且第二导管与第二源连通。离子源腔室外侧的第一区提供来自第二源的第二材料至第一区。
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公开(公告)号：CN102203955A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980144167.2
申请日：2009-10-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/042 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/266 , H01J37/3171 , H01J2237/31711 , H01L31/18
Abstract: 一种制造太阳能电池的技术。在一特定的例示性实施例中，所述技术可以包括在太阳能电池的上方设置罩幕，所述罩幕包括多个条状物，其中所述多个条状物彼此相间隔以定义出至少一狭缝；将所需物种的带状离子束导向所述太阳能电池，以离子植入所述太阳能电池的一部分，其中所述太阳能电池的所述部分由所述罩幕的所述至少一狭缝所定义；以及定向所述带状离子束，使所述带状离子束的较长剖面尺寸在一平面上与所述狭缝垂直。
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公开(公告)号：CN111819678A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980015219.X
申请日：2019-01-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/68
Abstract: 一种衬底总成可包括外部晕圈，所述外部晕圈包含第一材料并界定第一孔隙。所述衬底总成也可包括晕环，所述晕环包含第二材料且至少部分地设置在所述第一孔隙内。所述晕环可界定同心地定位在所述第一孔隙内的第二孔隙，其中所述晕环耦合以在其中容置衬底。
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公开(公告)号：CN109417012A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780024188.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 科斯特尔·拜洛 , 皮尔·卢比克 , 泰勒·洛克威尔 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 维克拉姆·辛 , 凯文·M·丹尼尔斯 , 理查德·J·赫尔特 , 彼得·F·库鲁尼西 , 亚历山大·利坎斯奇
IPC: H01J37/32 , H01J37/317
Abstract: 一种处理设备可以包含：等离子体腔室，以容纳等离子体并且具有包括电绝缘体的主体部分；提取板，沿着等离子体腔室的提取侧安置，所述提取板是导电的并且具有提取孔隙；衬底平台，安置在等离子体腔室的外部并且邻近提取孔隙，所述衬底平台处在接地电势；以及射频发生器，电耦合到所述提取板，当等离子体存在于等离子体腔室中时所述射频发生器相对于接地电势在提取板处建立正直流自身偏置电压。
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公开(公告)号：CN102439693B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201080022632.8
申请日：2010-06-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , H01J37/317 , H01L21/266
CPC classification number: H01L21/67213 , C23C14/48 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/2001 , H01J2237/2007 , H01J2237/20292 , H01J2237/204 , H01J2237/31711 , H01L21/266 , H01L21/67769 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种工作件处理系统(100)包含：处理腔室(114)，其经组态以支撑工作件用于离子植入；第一遮罩(172、174、176)，其储存于所述处理腔室(114)外部且处于遮罩台(170)中；以及机器人系统(106)，其经组态以自所述遮罩台(170)撷取所述第一遮罩(172、174、176)，且将所述第一遮罩定位于所述工作件上游，使得所述工作件经由所述第一遮罩而接收第一选择性植入。一种方法包含：将第一遮罩(172、174、176)储存于处理腔室(114)外部且处于遮罩台(170)中；自所述遮罩台(170)撷取所述第一遮罩；将所述第一遮罩定位于已定位在所述处理腔室(114)中的工作件上游以用于离子植入；以及经由所述第一遮罩而执行第一选择性植入。
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