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公开(公告)号：CN108475609A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680074896.5
申请日：2016-12-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08
Abstract: 本发明公开了一种具有经改善的温度控制的离子源。离子源的一部分位于散热器中的凹腔内，其中离子源的一部分以及凹腔分别塑形以使得离子源的膨胀导致与散热器发生高压热接触。举例来说，离子源可具有锥形的柱体端，锥形的柱体端适配于散热器中的凹腔内。离子源的热膨胀导致锥形的柱体端压靠在散热器的凹腔内。通过恰当地选择散热器的温度、经过散热器的冷却剂流体的温度及流量、以及散热器与离子源之间的间隙的尺寸，离子源的温度可得到控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104285273B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380023331.0
申请日：2013-03-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01L21/265 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/0825
Abstract: 本发明的处理基板的方法可由离子植入系统来实现，此离子植入系统包括具有离子源腔室的离子源。离子源腔室具有定义离子产生区及萃取孔的壁，经由萃取孔萃取离子产生区中产生的离子。萃取系统位于靠近萃取孔的离子源下游。材料源包括包含第一材料的第一源、包含第二材料的第二源、及第一导管与第二导管，第一导管可与第一源及离子源腔室连通，以提供来自第一源的第一材料至离子源腔室，且第二导管与第二源连通。离子源腔室外侧的第一区提供来自第二源的第二材料至第一区。
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公开(公告)号：CN104813435B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380060603.4
申请日：2013-09-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/24 , H01J37/248 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/021 , C23C14/022 , C23C14/048 , C23C14/5826 , H01J37/241 , H01J37/243 , H01J37/248 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J2237/0206 , H01J2237/24535 , H01L2224/81913
Abstract: 描述一种离子布植机的维护方法。在一实施例中，进行电浆辅助调节，其中修正对萃取电极施加的偏压以抑制离子束的形成。增加供应至离子源中的电浆产生器的功率，从而产生高密度电浆，所述高密度电浆不被萃取电极所萃取。所述电浆从离子源腔室延伸经过萃取孔，接着高能离子调节萃取电极。在另一实施例中，进行电浆辅助清洁。在此模式下，将萃取电极移动至离离子源腔室更远的位置上且使用不同的源气体用来产生电浆。在一些实施例中，将所述模式的结合用来减少离子布植机中的故障。
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公开(公告)号：CN108475609B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201680074896.5
申请日：2016-12-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08
Abstract: 本发明公开了一种产生离子束的装置。其中具有经改善的温度控制的离子源的一部分位于散热器中的凹腔内，其中离子源的一部分以及凹腔分别塑形以使得离子源的膨胀导致与散热器发生高压热接触。举例来说，离子源可具有锥形的柱体端，锥形的柱体端适配于散热器中的凹腔内。离子源的热膨胀导致锥形的柱体端压靠在散热器的凹腔内。通过恰当地选择散热器的温度、经过散热器的冷却剂流体的温度及流量、以及散热器与离子源之间的间隙的尺寸，离子源的温度可得到控制。
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公开(公告)号：CN104813435A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380060603.4
申请日：2013-09-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/24 , H01J37/248 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/021 , C23C14/022 , C23C14/048 , C23C14/5826 , H01J37/241 , H01J37/243 , H01J37/248 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J2237/0206 , H01J2237/24535 , H01L2224/81913
Abstract: 描述一种在离子布植机中减少故障率的方法。在一实施例中，进行电浆辅助调节，其中修正对萃取电极施加的偏压以抑制离子束的形成。增加供应至离子源中的电浆产生器的功率，从而产生高密度电浆，所述高密度电浆不被萃取电极所萃取。所述电浆从离子源腔室延伸经过萃取孔，接着高能离子调节萃取电极。在另一实施例中，进行电浆辅助清洁。在此模式下，将萃取电极移动至离离子源腔室更远的位置上且使用不同的源气体用来产生电浆。在一些实施例中，将所述模式的结合用来减少离子布植机中的故障。
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公开(公告)号：CN104285273A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201380023331.0
申请日：2013-03-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01L21/265 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/0825
Abstract: 处理基板的技术可由离子植入系统来实现，此离子植入系统包括具有离子源腔室的离子源。离子源腔室具有定义离子产生区及萃取孔的壁，经由萃取孔萃取离子产生区中产生的离子。萃取系统位于靠近萃取孔的离子源下游。材料源包括包含第一材料的第一源、包含第二材料的第二源、及第一导管与第二导管，第一导管可与第一源及离子源腔室连通，以提供来自第一源的第一材料至离子源腔室，且第二导管与第二源连通。离子源腔室外侧的第一区提供来自第二源的第二材料至第一区。
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