-
公开(公告)号：CN102286755A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110276871.2
申请日：2011-09-19
Applicant: 瓮福(集团)有限责任公司 , 天津大学
Abstract: 本发明公开了一种氟气发生装置，包括包括电解槽（1）、氢气脱HF器（2）、氟气净化管（3）、氟化氢原料罐（4）、氟化氢液化器（5）、直流电源（6），其中：在电解槽槽体（7）上设置有截面成半环形的两个加热夹套（16），夹套（16）设置循环水进水口（17）和出水口（18）；电解槽阳极（9）与阳极导电杆（12）连接；阳极导电杆（12）是中空的，阳极导电杆（12）上开有氟气进口（29）；阴极（10）为截面为矩形的圆环型，紧邻阴、阳极室隔断（8）的外部，通过阴极导电杆（13）固定在顶盖（20）上。本发明可以生产高纯度的氟气、可满足不同使用压力，结构简单，部件更换和维护方便，操作过程简单，价格便宜，可随开随用。
-
公开(公告)号：CN102286755B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110276871.2
申请日：2011-09-19
Applicant: 瓮福(集团)有限责任公司 , 天津大学
Abstract: 本发明公开了一种氟气发生装置，包括包括电解槽（1）、氢气脱HF器（2）、氟气净化管（3）、氟化氢原料罐（4）、氟化氢液化器（5）、直流电源（6），其中：在电解槽槽体（7）上设置有截面成半环形的两个加热夹套（16），夹套（16）设置循环水进水口（17）和出水口（18）；电解槽阳极（9）与阳极导电杆（12）连接；阳极导电杆（12）是中空的，阳极导电杆（12）上开有氟气进口（29）；阴极（10）为截面为矩形的圆环型，紧邻阴、阳极室隔断（8）的外部，通过阴极导电杆（13）固定在顶盖（20）上。本发明可以生产高纯度的氟气、可满足不同使用压力，结构简单，部件更换和维护方便，操作过程简单，价格便宜，可随开随用。
-
公开(公告)号：CN102320573A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110276860.4
申请日：2011-09-19
Applicant: 瓮福(集团)有限责任公司 , 天津大学
IPC: C01B7/19
Abstract: 本发明公开了一种制备电子级氢氟酸的方法，包括；工业级HF原料的气化：从无水氟化氢贮槽引出气体氟化氢，除去其中的非挥发性和高沸点杂质；氟气氧化和脱轻组分；通过氟气氧化反应器把HF中的As3+氧化为As5+，S、P、B等元素形成的部分不挥发性成分氧化为挥发性成分，然后通过脱轻组分设备除去；高沸精馏，把HF中以HAsF6或盐MAsF6的形式存在As5+以及H2SO4、H3PO4、HSiF6、H2O和金属离子盐等高沸物，通过精馏除去；水洗精馏；把前面过程中没有除去的杂质进一步脱除。经过上述步骤后从水洗精馏塔顶馏出的HF溶于水就制得符合电子级产品质量要求的氢氟酸。本方法简单可靠，能使氢氟酸中的金属和非金属元素对应的杂质含量低于半导体设备和材料国际标准SEMI－2标准。
-
公开(公告)号：CN102320573B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110276860.4
申请日：2011-09-19
Applicant: 瓮福(集团)有限责任公司 , 天津大学
IPC: C01B7/19
Abstract: 本发明公开了一种制备电子级氢氟酸的方法，包括；工业级HF原料的气化：从无水氟化氢贮槽引出气体氟化氢，除去其中的非挥发性和高沸点杂质；氟气氧化和脱轻组分；通过氟气氧化反应器把HF中的As3+氧化为As5+，S、P、B等元素形成的部分不挥发性成分氧化为挥发性成分，然后通过脱轻组分设备除去；高沸精馏，把HF中以HAsF6或盐MAsF6的形式存在As5+以及H2SO4、H3PO4、HSiF6、H2O和金属离子盐等高沸物，通过精馏除去；水洗精馏；把前面过程中没有除去的杂质进一步脱除。经过上述步骤后从水洗精馏塔顶馏出的HF溶于水就制得符合电子级产品质量要求的氢氟酸。本方法简单可靠，能使氢氟酸中的金属和非金属元素对应的杂质含量低于半导体设备和材料国际标准SEMI－2标准。
-
公开(公告)号：CN110142145A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910482913.4
申请日：2019-06-04
Applicant: 瓮福(集团)有限责任公司
IPC: B03D1/02 , B03D1/08 , B03D1/00 , B03D101/02 , B03D101/06 , B03D101/00 , B03D103/06
Abstract: 本发明公开了一种浮选脱除硅钙质胶磷矿中倍半氧化物及镁杂质的工艺，包括以下步骤：1）将硅钙质胶磷矿破碎、磨矿并加水调浆，进入正、反浮选系统；2）正浮选粗选：同时添加碳酸钠与硅酸钠分别作为pH调整剂和磷酸盐抑制剂，再添加正浮选捕收剂，充气浮选后留在浮选槽内的物料作为正浮选粗选尾矿，得粗选泡沫产品；3）正浮选精选及扫选：向粗选泡沫产品中添加硅酸钠，两次正浮选精选，得精选泡沫产品，再将两次精选尾矿混合调浆进行充气正浮选扫选；4）反浮选：向精选泡沫产品中添加抑制剂WFS，调pH值再添加捕收剂WF-01，进行反浮选脱镁。本发明具有浮选药剂用量较低、不加温等优点，适用于不同类型中低品位硅钙质胶磷矿提磷除杂。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110133067A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910518382.X
申请日：2019-06-15
Applicant: 瓮福(集团)有限责任公司
IPC: G01N27/26
Abstract: 本发明公开了一种氟化钙中氟的测定方法，具体步骤如下：在马弗炉中，氟化钙在氢氧化钾的作用下，在银坩埚内进行分解；将坩埚内的熔渣用热水进行浸出、稀盐酸溶解至清亮、过滤、洗涤和定容；分取样品溶液在25℃下以饱和甘汞电极为参比电极，用氟离子选择性电极测量溶液中的氟，从而求出氟化钙样品中氟的含量。该方法优点在于：分析简便快捷，结果准确可靠。
-
公开(公告)号：CN109813836A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910045746.7
申请日：2019-01-17
Applicant: 瓮福(集团)有限责任公司
IPC: G01N31/16
Abstract: 本发明公开了一种化学抛光槽液中硝酸的快速测定方法，其特征在于用硫酸亚铁溶液对配制的“标准硫酸-硝酸溶液”和“硫酸、硝酸、磷酸三酸混合化学抛光槽液”分别进行滴定，用它们消耗的硫酸亚铁溶液毫升数的比值，便可计算出化学抛光槽液中硝酸的含量。优点在于：分析时间短，结果准确可靠，测定的下限为0.5%。
-
公开(公告)号：CN104164671B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410393348.1
申请日：2014-08-12
Applicant: 瓮福(集团)有限责任公司
IPC: C23F3/03
Abstract: 本发明公开了一种新型铝合金无烟两酸抛光添加剂及其制备方法。该添加剂以磷酸和焦磷酸按一定质量比组成的溶液作为溶剂，缓蚀剂为钼酸钠，增光剂为硫酸铜、硫酸铁，分散剂为聚醚，络合剂为烟酸。制备步骤为，将一定量的钼酸钠、硫酸铜、硫酸铁、烟酸和聚醚加入磷酸和焦磷酸的混合物中，加热搅拌直至溶解。本发明的添加剂不产生传统“三酸”抛光过程中的氮氧化物黄烟和其他气体污染物，从而杜绝了抛光对人体和环境的损害，其抛光质量可以和“三酸”工艺相媲美，是一种环保高效的新型铝合金两酸抛光添加剂。
-
公开(公告)号：CN103754851B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410007262.0
申请日：2014-01-08
Applicant: 瓮福(集团)有限责任公司
IPC: C01B25/28
Abstract: 本发明公开了一种电池级晶体磷酸二氢铵的制备方法。该方法先将农用晶体状磷酸二氢铵溶解、过滤，然后将滤液进行树脂处理，最后将处理后的溶液进行浓缩降温结晶，离心过滤，洗涤，干燥后即可得到电池级晶体磷酸二氢铵产品。本发明方法工艺流程简单，易于实现规模化生产，与热法磷酸生产的高纯磷铵二氢铵相比，能耗低、粉尘等污染少、安全性强，产品纯度高，颗粒大且粒度分布均匀。
-
公开(公告)号：CN101973553B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201010529961.3
申请日：2010-11-03
Applicant: 瓮福(集团)有限责任公司 , 贵州大学
IPC: C01B33/107
Abstract: 用氟硅酸生产高纯度四氟化硅的方法，包括：①将氟硅酸与浓硫酸混合加热，产生气态混合物；②将气态混合物通入浓硫酸，除去水分；③将干燥的气态混合物通入含氟化氢的浓硫酸中，除去CO2、含氧氟硅化合物；④将气态混合物通入纯浓硫酸中，进一步除去水分、氟化氢；⑤气体混合物依次用活性炭、硅藻土过滤；⑥过滤后的四氟化硅再经过两段低温分离，调节气体温度、压力，得到液态/固态的高纯度产品；置于常温下，得到气体产品。本方法利用生产高纯度无水氟化氢过程中副产的四氟化硅制成高纯度四氟化硅产品，作为电子工业、光伏产业的晶体硅、非晶体硅原料的新来源，作为光纤行业基础原料二氧化硅的新原料来源。适用于副产氟硅酸的化工企业。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
110
records
(took 0.067 seconds)
