公开(公告)号：CN118891961A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202380026490.X

申请日：2023-02-24

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 津川优太 ,  矢野清治 ,  田中淳一

IPC: H05K1/09 ,  H05K1/03

Abstract: 陶瓷复合基板具备：陶瓷板；第1电路部，其设置于陶瓷板的主面；和第2电路部，其以沿着规定方向在与第1电路部之间隔开间隔的状态下设置于主面。第1电路部具有设置于主面的接合体、借助接合体接合到主面的金属体、和以覆盖金属体的表面及接合体中的从金属体伸出的部分的方式形成的金属被膜。接合体包含与金属体接合且银的含量为50质量％以上的银接合层。金属被膜包含以覆盖银接合层中的与第2电路部相对的侧面的方式形成的侧方部分。上述侧方部分的靠近第2电路部的端部与银接合层的靠近第2电路部的端部之间的规定方向上的距离L大于金属被膜的厚度H。

公开(公告)号：CN118844120A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202380026489.7

申请日：2023-02-24

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 津川优太 ,  矢野清治 ,  田中淳一

IPC: H05K1/09 ,  H05K1/03

Abstract: 陶瓷复合基板具备：陶瓷板；第1电路部，其设置于陶瓷板的主面；和第2电路部，其以沿着规定方向在与第1电路部之间隔开间隔的状态下设置于主面。第1电路部具有设置于主面的接合体、借助接合体接合到主面的金属体、和以覆盖金属体的表面及接合体中的从金属体伸出的部分的方式形成的金属被膜。接合体包含与金属体接合且银的含量为50质量％以上的第1接合层、和与主面接合且银的含量比第1接合层少的第2接合层。第2接合层与第2电路部之间的规定方向上的距离D2小于第1接合层与第2电路部之间的规定方向上的距离D1。

公开(公告)号：CN116964022A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280020393.5

申请日：2022-03-01

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 青野良太 ,  竹藤隆之 ,  牛岛穰 ,  田中淳一

IPC: C04B37/02

Abstract: 本公开文本的一个方面提供复合基板，其具有陶瓷板和介由钎料层而接合于上述陶瓷板上的金属基材，所述钎料层含有银及活性金属，将从上述陶瓷板起朝向上述金属基材20μm位置处的维氏硬度设为X，将从上述陶瓷板起朝向上述金属基材70μm位置处的维氏硬度设为Y时，上述X为70～110HV，上述Y相对上述X之比为0.92以下。

公开(公告)号：CN116997538A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280021577.3

申请日：2022-03-01

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 青野良太 ,  竹藤隆之 ,  牛岛穰 ,  田中淳一

IPC: C04B37/02

Abstract: 本公开文本的一个方面提供复合基板，其具有陶瓷板、设置于上述陶瓷板上的钎料层、和介由上述钎料层而与上述陶瓷板接合的金属基材，所述钎料层含有银及锡，所述金属基材包含由银及锡扩散而形成的区域，将与上述陶瓷板和上述金属基材的接合面正交的截面中的、银分散区域的厚度设为X，将锡分散区域的厚度设为Y时，上述Y相对上述X之比为0.10～1.00。