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公开(公告)号：CN109039029A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810925805.5
申请日：2018-08-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 一种适用于GaN功率器件栅驱动电路的自举充电电路，属于电源管理技术领域。包括自举充电模块、低压开关逻辑控制模块、过零检测模块、高压开关逻辑控制模块和高压电平位移模块，低压开关逻辑控制模块在第一低侧控制信号的控制下产生用于控制自举充电模块中第一PMOS管的低压开关信号，高压开关逻辑控制模块在过零检测信号、第一低侧控制信号和第二欠压信号的控制下产生用于控制自举充电模块中第二PMOS管的高压开关信号，过零检测信号由过零检测模块根据第二低侧控制信号采样栅驱动电路的开关节点处信号产生，高压电平位移模块用于得到合适电源轨的高压开关信号。本发明能够避免自举充电中负压过冲的现象，且解决了反向恢复损耗与高频过流性能退化的问题。
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公开(公告)号：CN107491129B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201710674465.9
申请日：2017-08-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种高电源抑制比的低压差线性稳压器，属于电源管理技术领域。功率管的漏极通过第一分压电阻后连接第二分压电阻的一端和误差放大器的第一输入端，误差放大器的第二输入端接基准电压；钳位运放及前馈通路中第十四NMOS管MN14的栅极连接第十五NMOS管MN15的栅极和误差放大器的输出端，其漏极连接第十PMOS管MP10的漏极、第九PMOS管MP9的栅极和超级源随结构的正向输入端；第十PMOS管MP10的源极连接第九PMOS管MP9的漏极；第十一PMOS管MP11的栅漏短接并连接第十PMOS管MP10的栅极和第十五NMOS管MN15的漏极，其源极连接功率管的漏极；超级源随结构的负向输入端连接其输出端和功率管的栅极。本发明通过引入超级源随结构和钳位运放，提高了LDO高频段的电源抑制PSR。
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公开(公告)号：CN109818608B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201910079804.8
申请日：2019-01-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 一种高速高共模噪声抗扰的电平位移电路，属于集成电路技术领域。本发明用于将低电源轨的输入信号转换为高电源轨的输出信号，包括高速电流镜模块、锁存模块和辅助模块，高速电流镜模块用于将输入信号传输到其两个输出节点，提高了其两个输出节点的翻转速度，从而极大的提高了电平位移电路的速度；锁存模块通过两级锁存，首先对中间节点及高速电流镜模块两个输出节点的状态进行锁存，再对电平位移电路输出节点的状态进行锁存，减小功耗损失的同时增加了电路的稳定性；为了减小电路在电源轨高速浮动时对中间和输出节点电压的影响还设置了辅助模块。本发明具有响应速度快、低功耗和高共模噪声抗扰的特点，能够适用于GAN功率器件的驱动电路。
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公开(公告)号：CN108494234B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201810309410.2
申请日：2018-04-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/088 , H03K17/081 , H03K17/687
Abstract: 适用于GaN高速栅驱动电路的浮动电源轨，属于电源管理技术领域。本发明采用双浮动电源轨的设计，能够实现同时满足GaN功率开关器件在安全电压内工作和低压转高压电平位移电路拥有足够的动态范围的浮动电源轨；高压转低压电平位移电路、电压钳位电路、逻辑控制电路和第一浮动电源轨产生电路构成闭环，用于产生第一电源轨BST作为GaN高速栅驱动电路中的缓冲电路的电源轨，能够保护GaN功率开关器件栅源电压工作在安全范围内；第二浮动电源轨产生电路构成开环，用于产生第二电源轨BSTA作为GaN高速栅驱动电路中的低压转高压电平位移电路的电源轨，能够保证其具有足够的动态范围。
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公开(公告)号：CN109818608A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910079804.8
申请日：2019-01-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 一种高速高共模噪声抗扰的电平位移电路，属于集成电路技术领域。本发明用于将低电源轨的输入信号转换为高电源轨的输出信号，包括高速电流镜模块、锁存模块和辅助模块，高速电流镜模块用于将输入信号传输到其两个输出节点，提高了其两个输出节点的翻转速度，从而极大的提高了电平位移电路的速度；锁存模块通过两级锁存，首先对中间节点及高速电流镜模块两个输出节点的状态进行锁存，再对电平位移电路输出节点的状态进行锁存，减小功耗损失的同时增加了电路的稳定性；为了减小电路在电源轨高速浮动时对中间和输出节点电压的影响还设置了辅助模块。本发明具有响应速度快、低功耗和高共模噪声抗扰的特点，能够适用于GAN功率器件的驱动电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109039029B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201810925805.5
申请日：2018-08-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 一种适用于GaN功率器件栅驱动电路的自举充电电路，属于电源管理技术领域。包括自举充电模块、低压开关逻辑控制模块、过零检测模块、高压开关逻辑控制模块和高压电平位移模块，低压开关逻辑控制模块在第一低侧控制信号的控制下产生用于控制自举充电模块中第一PMOS管的低压开关信号，高压开关逻辑控制模块在过零检测信号、第一低侧控制信号和第二欠压信号的控制下产生用于控制自举充电模块中第二PMOS管的高压开关信号，过零检测信号由过零检测模块根据第二低侧控制信号采样栅驱动电路的开关节点处信号产生，高压电平位移模块用于得到合适电源轨的高压开关信号。本发明能够避免自举充电中负压过冲的现象，且解决了反向恢复损耗与高频过流性能退化的问题。
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公开(公告)号：CN108958348B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201810915216.9
申请日：2018-08-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/575
Abstract: 一种高电源抑制比的带隙基准源，属于电子电路技术领域。包括电源自偏置模块、启动模块、带隙基准核心模块和偏置模块，电源自偏置电路将电源电压通过第七NMOS管转换为第一电源轨信号作为偏置模块的电源轨，启动模块和电源自偏置模块一起为偏置模块建立偏置，偏置模块为带隙基准核心模块提供偏置；启动电路的第二开关管和第三开关管在电源建立的时候工作防止整个电路停留在零状态，在电路进入正常工作状态之后退出；启动电路中的电阻网络用于调整带隙基准核心模块的负温度系数电压，调整之后的负温度系数电压与带隙基准核心模块产生的正温度系数电压叠加产生基准电压。本发明具有更高的电源抑制能力、结构简单、精度高和稳定性高的特点。
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公开(公告)号：CN109004820A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810896264.8
申请日：2018-08-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/07 , H02J7/00 , H03K19/003 , H03K19/084
Abstract: 适用于GaN功率器件高速栅驱动的开关自举充电电路，属于电源管理技术领域。控制逻辑模块根据欠压信号和低侧栅驱动信号产生第一控制信号和第二控制信号；第一PMOS管的栅极连接第二控制信号，其源极连接电源电压，其漏极连接第一NMOS管的源极；第一反相器的输入端连接第一控制信号，其输出端连接第二反相器的输入端并通过第一电容后连接第一二极管的阴极和第二NMOS管的栅极；第一二极管的阳极和第二NMOS管的源极连接电源电压；第一NMOS管的栅极连接第二NMOS管的漏极并通过第二电容后连接第二反相器的输出端，其漏极作为开关自举充电电路的输出端。本发明能够防止充电时自举电容上电压过大，能够实现片上集成，电路结构简单，可靠性高；尤其适用于GaN高速栅驱动。
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公开(公告)号：CN108768145A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810560701.9
申请日：2018-05-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/088
CPC classification number: H02M1/088
Abstract: 适用于GaN功率开关器件的高速半桥栅驱动电路，属于电源管理技术领域。前级逻辑控制模块用于将脉冲宽度调制信号转化为电源轨为低压电源轨的第一短脉冲信号和第二短脉冲信号；电平位移模块根据第一短脉冲信号和第二短脉冲信号产生电源轨为高压电源轨且与脉冲宽度调制信号具有相同的占空比的第一控制信号；高压转低压电平位移模块将第一控制信号转化为电源轨为低压电源轨的第二控制信号用于控制前级逻辑控制模块的开启和关断，从而调整第一短脉冲信号和第二短脉冲信号的脉冲宽度；缓冲模块将第一控制信号转化为栅驱动信号DRVH。本发明具有速度高和功耗低的优点，应用于GaN功率开关器件时还能解决电源轨不匹配导致的信号丢失问题。
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公开(公告)号：CN109004820B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201810896264.8
申请日：2018-08-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/07 , H02J7/00 , H03K19/003 , H03K19/084
Abstract: 适用于GaN功率器件高速栅驱动的开关自举充电电路，属于电源管理技术领域。控制逻辑模块根据欠压信号和低侧栅驱动信号产生第一控制信号和第二控制信号；第一PMOS管的栅极连接第二控制信号，其源极连接电源电压，其漏极连接第一NMOS管的源极；第一反相器的输入端连接第一控制信号，其输出端连接第二反相器的输入端并通过第一电容后连接第一二极管的阴极和第二NMOS管的栅极；第一二极管的阳极和第二NMOS管的源极连接电源电压；第一NMOS管的栅极连接第二NMOS管的漏极并通过第二电容后连接第二反相器的输出端，其漏极作为开关自举充电电路的输出端。本发明能够防止充电时自举电容上电压过大，能够实现片上集成，电路结构简单，可靠性高；尤其适用于GaN高速栅驱动。
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