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公开(公告)号：CN109004820B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201810896264.8
申请日：2018-08-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/07 , H02J7/00 , H03K19/003 , H03K19/084
Abstract: 适用于GaN功率器件高速栅驱动的开关自举充电电路，属于电源管理技术领域。控制逻辑模块根据欠压信号和低侧栅驱动信号产生第一控制信号和第二控制信号；第一PMOS管的栅极连接第二控制信号，其源极连接电源电压，其漏极连接第一NMOS管的源极；第一反相器的输入端连接第一控制信号，其输出端连接第二反相器的输入端并通过第一电容后连接第一二极管的阴极和第二NMOS管的栅极；第一二极管的阳极和第二NMOS管的源极连接电源电压；第一NMOS管的栅极连接第二NMOS管的漏极并通过第二电容后连接第二反相器的输出端，其漏极作为开关自举充电电路的输出端。本发明能够防止充电时自举电容上电压过大，能够实现片上集成，电路结构简单，可靠性高；尤其适用于GaN高速栅驱动。
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公开(公告)号：CN108768145B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201810560701.9
申请日：2018-05-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/088
Abstract: 适用于GaN功率开关器件的高速半桥栅驱动电路，属于电源管理技术领域。前级逻辑控制模块用于将脉冲宽度调制信号转化为电源轨为低压电源轨的第一短脉冲信号和第二短脉冲信号；电平位移模块根据第一短脉冲信号和第二短脉冲信号产生电源轨为高压电源轨且与脉冲宽度调制信号具有相同的占空比的第一控制信号；高压转低压电平位移模块将第一控制信号转化为电源轨为低压电源轨的第二控制信号用于控制前级逻辑控制模块的开启和关断，从而调整第一短脉冲信号和第二短脉冲信号的脉冲宽度；缓冲模块将第一控制信号转化为栅驱动信号DRVH。本发明具有速度高和功耗低的优点，应用于GaN功率开关器件时还能解决电源轨不匹配导致的信号丢失问题。
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公开(公告)号：CN108958348A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810915216.9
申请日：2018-08-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/575
Abstract: 一种高电源抑制比的带隙基准源，属于电子电路技术领域。包括电源自偏置模块、启动模块、带隙基准核心模块和偏置模块，电源自偏置电路将电源电压通过第七NMOS管转换为第一电源轨信号作为偏置模块的电源轨，启动模块和电源自偏置模块一起为偏置模块建立偏置，偏置模块为带隙基准核心模块提供偏置；启动电路的第二开关管和第三开关管在电源建立的时候工作防止整个电路停留在零状态，在电路进入正常工作状态之后退出；启动电路中的电阻网络用于调整带隙基准核心模块的负温度系数电压，调整之后的负温度系数电压与带隙基准核心模块产生的正温度系数电压叠加产生基准电压。本发明具有更高的电源抑制能力、结构简单、精度高和稳定性高的特点。
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公开(公告)号：CN108494234A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810309410.2
申请日：2018-04-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/088 , H03K17/081 , H03K17/687
Abstract: 适用于GaN高速栅驱动电路的浮动电源轨，属于电源管理技术领域。本发明采用双浮动电源轨的设计，能够实现同时满足GaN功率开关器件在安全电压内工作和低压转高压电平位移电路拥有足够的动态范围的浮动电源轨；高压转低压电平位移电路、电压钳位电路、逻辑控制电路和第一浮动电源轨产生电路构成闭环，用于产生第一电源轨BST作为GaN高速栅驱动电路中的缓冲电路的电源轨，能够保护GaN功率开关器件栅源电压工作在安全范围内；第二浮动电源轨产生电路构成开环，用于产生第二电源轨BSTA作为GaN高速栅驱动电路中的低压转高压电平位移电路的电源轨，能够保证其具有足够的动态范围。
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公开(公告)号：CN109032241B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201810970002.1
申请日：2018-08-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 一种带电流限功能的低压差线性稳压器，属于电子电路技术领域。本发明在功率管栅极通过推挽电压缓冲器连接电流限模块，当未发生过流时，电流限模块不工作与功率管栅极不连通，由误差放大器和反馈电阻网络来调节LDO的输出电压；当负载电流超过设定的电流限值后，电流限模块开始工作，快速将功率管的栅源电压钳位在一个定值，将较大的负载电流快速限制在一个较低的值，同时将功率管栅极电压拉低，则LDO输出电压也会降低，避免了功率管长时间过大电流。本发明既保证了正常情况下LDO有稳定的输出电压，也保证了过流情况下负载电流不会长时间保持在很大的值，避免了功率管的损坏，同时也降低了电路功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109039029B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201810925805.5
申请日：2018-08-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 一种适用于GaN功率器件栅驱动电路的自举充电电路，属于电源管理技术领域。包括自举充电模块、低压开关逻辑控制模块、过零检测模块、高压开关逻辑控制模块和高压电平位移模块，低压开关逻辑控制模块在第一低侧控制信号的控制下产生用于控制自举充电模块中第一PMOS管的低压开关信号，高压开关逻辑控制模块在过零检测信号、第一低侧控制信号和第二欠压信号的控制下产生用于控制自举充电模块中第二PMOS管的高压开关信号，过零检测信号由过零检测模块根据第二低侧控制信号采样栅驱动电路的开关节点处信号产生，高压电平位移模块用于得到合适电源轨的高压开关信号。本发明能够避免自举充电中负压过冲的现象，且解决了反向恢复损耗与高频过流性能退化的问题。
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公开(公告)号：CN108958348B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201810915216.9
申请日：2018-08-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/575
Abstract: 一种高电源抑制比的带隙基准源，属于电子电路技术领域。包括电源自偏置模块、启动模块、带隙基准核心模块和偏置模块，电源自偏置电路将电源电压通过第七NMOS管转换为第一电源轨信号作为偏置模块的电源轨，启动模块和电源自偏置模块一起为偏置模块建立偏置，偏置模块为带隙基准核心模块提供偏置；启动电路的第二开关管和第三开关管在电源建立的时候工作防止整个电路停留在零状态，在电路进入正常工作状态之后退出；启动电路中的电阻网络用于调整带隙基准核心模块的负温度系数电压，调整之后的负温度系数电压与带隙基准核心模块产生的正温度系数电压叠加产生基准电压。本发明具有更高的电源抑制能力、结构简单、精度高和稳定性高的特点。
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公开(公告)号：CN107707103B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201711035193.4
申请日：2017-10-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种适用于BUCK变换器的分段斜坡补偿电路，属于电子电路技术领域。振荡器电路引入BUCK变换器的输出电压信息，将运算放大器的负向输入端电压钳位到其正向输入端电压，并通过电流镜给第一电容充电，得到运算放大器的负向输入端电压即斜坡电压信号，再将斜坡电压信号与第二基准电压比较得到周期型的斜坡电压信号；斜坡电流产生电路在不同占空比下产生不同斜率的补偿斜坡，经过斜坡电路求和电路之后在采样电阻上产生一个与占空比相关的斜坡电压；基极电流补偿电路用于稳定系统。与传统斜坡补偿电路相比，本发明在不同的占空比下采用不同的斜坡补偿斜率，提供系统稳定性；且采用三极管做缓冲器，提高了分段的精确度。
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公开(公告)号：CN109951178A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910265089.7
申请日：2019-04-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K17/081 , H03K17/687
Abstract: 一种GaN栅驱动电路的系统保护方法，属于电子电路技术领域。GaN栅驱动电路直接驱动GaN功率管，将GaN功率管与Si基驱动器安装在同一个低热阻热传导材料上，通过检测Si MOS管的结温能够准确感测GaN功率管的结温变化，通过采样与GaN功率管串联的Si MOS管的电流能够准确采样GaN功率管的电流，设计针对多条电源轨的多重欠压保护，当GaN栅驱动电路正常工作时Si MOS管开启，当系统出现过温、过流或欠压任一种情况时关断Si MOS管，从而关断GaN功率管实现系统保护；另外，针对高压驱动电路还在过流比较器中设置过流信号、过温信号和欠压信号作为使能信号，实现在过温时同时触发过流保护。
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公开(公告)号：CN109004820A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810896264.8
申请日：2018-08-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/07 , H02J7/00 , H03K19/003 , H03K19/084
Abstract: 适用于GaN功率器件高速栅驱动的开关自举充电电路，属于电源管理技术领域。控制逻辑模块根据欠压信号和低侧栅驱动信号产生第一控制信号和第二控制信号；第一PMOS管的栅极连接第二控制信号，其源极连接电源电压，其漏极连接第一NMOS管的源极；第一反相器的输入端连接第一控制信号，其输出端连接第二反相器的输入端并通过第一电容后连接第一二极管的阴极和第二NMOS管的栅极；第一二极管的阳极和第二NMOS管的源极连接电源电压；第一NMOS管的栅极连接第二NMOS管的漏极并通过第二电容后连接第二反相器的输出端，其漏极作为开关自举充电电路的输出端。本发明能够防止充电时自举电容上电压过大，能够实现片上集成，电路结构简单，可靠性高；尤其适用于GaN高速栅驱动。
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