公开(公告)号：CN116565490A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310745021.5

申请日：2023-06-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 薛钰琛 ,  刘伟申 ,  王凯旋 ,  魏峰

IPC: H01P1/203

Abstract: 本发明提出一种基于双面平行带线的具有宽带差模和共模无反射特性的差分到差分滤波器，包括印制在介质基板上的两对输入或输出双面平行带线传输线、多个半波长双面平行带线谐振器、轴线AA′每侧的一个或多个四分之波长双面平行带线谐振器和连接双面平行带线传输线正面传输线和背面传输线的电阻。本发明由于谐振器仅能被差模信号所激励使其具有频率选择特性，而无法被共模能量激励，不具有频率选择特性，因而共模能量在宽频带范围内被传输线终端加载的匹配电阻耗散，有效拓宽了共模能量的无反射带宽，且可以通过对半波长双面平行带线谐振器和四分之波长双面平行带线谐振器数量增加，实现更好的通带选择性。

公开(公告)号：CN119710619A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411898821.1

申请日：2024-12-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李萍剑 ,  王凯旋 ,  李雪松

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明公开了一种钝化二硫化钼薄膜中硫空位缺陷的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明中，将钼箔和二硫化钼一起放在氩/氧氛围中退火，利用钼箔比起二硫化钼更容易被氧化的特性，使得氧气和二硫化钼的反应倾向于缺陷钝化(弱反应)而不是氧化刻蚀(强反应)；在此基础上，通过调节氩/氧中的氧气的比例、气体流量、压强、钝化温度和钝化时间，控制氧气和二硫化钼的反应程度，从而钝化硫空位缺陷，最终获得高质量的二硫化钼薄膜，有望促进其在光电器件上的进一步应用。

公开(公告)号：CN119685792A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411892167.3

申请日：2024-12-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 詹宗苗 ,  王凯旋 ,  李萍剑 ,  李雪松

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明公开了一种制备二硫化铼薄膜的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明中，首先将七氧化二铼融入熔融态的钠钙玻璃作为铼源；然后在钠离子的催化下，硫粉和氧化铼在熔融态钠钙玻璃内部反应生成二硫化铼，进而扩散到熔融态玻璃表面，最后在载气带动下，在上方的云母衬底上沉积形成连续薄膜。本发明在云母衬底上合成的高质量二硫化铼薄膜，有望促进其在电学器件上的进一步应用。