一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法

    公开(公告)号:CN106683994A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201710020991.3

    申请日:2017-01-11

    Abstract: 本发明涉及微电子技术领域,一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法,包括以下步骤:(1)使用标准RCA清洗碳化硅片,并用氮气吹干;(2)采用干法刻蚀在碳化硅外延层表面进行刻蚀;(3)在刻蚀后的碳化硅片上依次淀积金属Ti、Ge、Al、Pt;(4)将碳化硅进行两步快速退火。本发明使用的Pt金属有抗氧化和方便金属键合的作用,Ge金属可以降低退火温度,采用两步快速热退火可以得到较平滑的欧姆接触,有效的降低了比接触电阻,消除铝基接触的不利因素。

    一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法

    公开(公告)号:CN106683994B

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201710020991.3

    申请日:2017-01-11

    Abstract: 本发明涉及微电子技术领域,一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法,包括以下步骤:(1)使用标准RCA清洗碳化硅片,并用氮气吹干;(2)采用干法刻蚀在碳化硅外延层表面进行刻蚀;(3)在刻蚀后的碳化硅片上依次淀积金属Ti、Ge、Al、Pt;(4)将碳化硅进行两步快速退火。本发明使用的Pt金属有抗氧化和方便金属键合的作用,Ge金属可以降低退火温度,采用两步快速热退火可以得到较平滑的欧姆接触,有效的降低了比接触电阻,消除铝基接触的不利因素。

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