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公开(公告)号：CN117487539A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311338017.3
申请日：2023-10-17
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及硅量子点技术领域，具体涉及一种易分离的双色荧光硅量子点的合成方法。其中包括PL光谱最大峰值能量在350‑420nm的光致蓝色发光硅量子点(B‑Si QDs)，和PL光谱最大峰值能量在650‑900nm的光致红色发光硅量子点(R‑Si QDs)。本发明通过高温热还原法，同时制备出光致蓝色发光和光致红色发光硅量子点，且实验重复性优异；无需长时间的尺寸分离或复杂的改性处理，仅仅通过静置反应后的溶液便可自动分离B‑Si QDs和R‑Si QDs。本发明制备出的B‑Si QDs的荧光在不同波长激发下有激发依赖性，在光开关、生物成像、分子探针领域具有潜在的应用场景，R‑Si QDs的荧光在不同波长激发下没有激发依赖性，在光电子器件领域、生物标记物具有潜在的应用场景。
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