公开(公告)号：CN117470794A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311338014.X

申请日：2023-10-17

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 郭小伟 ,  李若禺 ,  郝仟僖 ,  李小迪

IPC: G01N21/3504 ,  B81B7/02 ,  B81B7/04 ,  G01N21/01

Abstract: 本发明涉及光学器件领域，具体涉及一种基于超表面的红外窄带热辐射光源实现方法。所述的光源结构从上到下依次为密封层、超表面微阵列结构、绝缘层、金属加热层、复合介质支撑层、金属反射层和硅基衬底层。超表面结构由图案化的金属或介质微结构组成，表面覆盖有密封层。金属加热层与超表面微阵列结构之间用绝缘层隔开。金属加热层下方是复合介质支撑层，支撑层由两层薄膜组成，形成四端梁固支悬膜结构。硅基衬底层中具有一个矩形空腔，腔底集成了金属反射层。所述的基于超表面的红外窄带热辐射光源通过调整超表面结构参数可任意调谐发射波长，无需借助滤光装置即可实现窄带发射光谱，用作气体传感器光源能够有效减小器件尺寸并与CMOS工艺兼容，利于大规模生产和片上集成。

公开(公告)号：CN117946668A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311451559.1

申请日：2023-11-03

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 郭小伟 ,  何逸洲 ,  郝仟僖 ,  张驰

IPC: C09K11/59 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种降低近红外发射硅量子点的制备温度的方法，其包括以下步骤：1)通过水解‑缩合反应生成干凝胶；2)将干凝胶在三个平台温度下依次进行煅烧，之后将其研磨得到棕色粉末；3)将棕色粉末进行刻蚀，得到氢钝化的硅量子点粉末；4)将氢钝化的硅量子点粉末通过氢化硅烷化反应，得到烷基功能化的硅量子点粉末。优点是相对现有技术，1)降低了近红外发射硅量子点的制备温度，可以实现在720～900℃下制备出近红外发射硅量子点，性能等同于现有技术在1100～1400℃所制备的近红外发射硅量子点；2)对煅烧设备的石英管损耗较小且能耗较小，导致了成本较低，有利于近红外发射硅量子点技术的产业应用和推广。

公开(公告)号：CN117487539A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311338017.3

申请日：2023-10-17

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 郭小伟 ,  郝仟僖 ,  何逸洲 ,  刘永森

IPC: C09K11/59 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及硅量子点技术领域，具体涉及一种易分离的双色荧光硅量子点的合成方法。其中包括PL光谱最大峰值能量在350‑420nm的光致蓝色发光硅量子点(B‑Si QDs)，和PL光谱最大峰值能量在650‑900nm的光致红色发光硅量子点(R‑Si QDs)。本发明通过高温热还原法，同时制备出光致蓝色发光和光致红色发光硅量子点，且实验重复性优异；无需长时间的尺寸分离或复杂的改性处理，仅仅通过静置反应后的溶液便可自动分离B‑Si QDs和R‑Si QDs。本发明制备出的B‑Si QDs的荧光在不同波长激发下有激发依赖性，在光开关、生物成像、分子探针领域具有潜在的应用场景，R‑Si QDs的荧光在不同波长激发下没有激发依赖性，在光电子器件领域、生物标记物具有潜在的应用场景。