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公开(公告)号：CN100485983C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200580037002.7
申请日：2005-10-20
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： A·R·巴尔克南德 , E·P·A·M·巴克斯 , L·F·费纳
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , G11C13/04 , G11C23/00 , G11C2213/81 , H01L27/15 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01S5/0622 , H01S5/341
Abstract: 本发明涉及一种能带带隙能够被电性改变的半导体装置。本发明的思想是提供一种装置，该装置基于嵌入在材料(307)中的纳米线(306)，当适当地处理例如锆钛酸铅PZT、氮化铝AlN或者氧化锌ZnO的这种压电材料时，材料(307)显示出变形。借助将电压应用于该材料，可以通过施加对压电材料(307、312)的部分变形而可逆地应变纳米线(306)。利用所得到的带隙变化调整从例如LED或者激光器发射的光的颜色。这是带隙与发出光的频率成比例的事实的结果。在其它领域的应用中，能够控制半导体结中的接触电阻，并且该特征在存储器和开关中有非常有利的。
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公开(公告)号：CN101048881A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200580037002.7
申请日：2005-10-20
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： A·R·巴尔克南德 , E·P·A·M·巴克斯 , L·F·费纳
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , G11C13/04 , G11C23/00 , G11C2213/81 , H01L27/15 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01S5/0622 , H01S5/341
Abstract: 本发明涉及一种能带带隙能够被电性改变的半导体装置。本发明的思想是提供一种装置，该装置基于嵌入在材料(307)中的纳米线(306)，当适当地处理例如锆钛酸铅PZT、氮化铝AlN或者氧化锌ZnO的这种压电材料时，材料(307)显示出变形。借助将电压应用于该材料，可以通过施加对压电材料(307、312)的部分变形而可逆地应变纳米线(306)。利用所得到的带隙变化调整从例如LED或者激光器发射的光的颜色。这是带隙与发出光的频率成比例的事实的结果。在其它领域的应用中，能够控制半导体结中的接触电阻，并且该特征在存储器和开关中有非常有利的。
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公开(公告)号：CN1985378A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200580023972.1
申请日：2005-07-12
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： R·叙尔迪努 , P·阿加瓦尔 , A·R·巴尔克宁德 , E·P·A·M·巴克斯
IPC: H01L29/775 , H01L29/78 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L21/336 , B82B3/00
CPC classification number: H01L29/78 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/20 , H01L29/76 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/818 , Y10S977/938
Abstract: 晶体管器件由连续的线形纳米结构形成，该纳米结构具有源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区。源区(20)和漏区(26)由纳米线形成而沟道区(24)由纳米管形成。提供与沟道区(24)相邻的绝缘栅极(32)，用以控制源区和漏区之间沟道区中的导电性。
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公开(公告)号：CN1977385A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200580019435.X
申请日：2005-06-07
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： E·A·希岑 , E·P·A·M·巴克斯 , R·J·E·赫廷 , A·R·巴尔克宁德
IPC: H01L29/775 , H01L21/336 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/775 , B82Y10/00 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/02639 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/267 , H01L29/66666 , H01L29/78642 , H01L29/78681 , H01L29/78696 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0512 , H01L2924/0002 , Y10S977/70 , Y10S977/701 , Y10S977/707 , Y10S977/72 , Y10S977/721 , Y10S977/722 , Y10S977/723 , Y10S977/742 , Y10S977/762 , Y10S977/938 , H01L2924/00
Abstract: 使用纳米线(16)来制造半导体器件。导电栅极(22)可以用来控制沿着纳米线(16)的导电性，在该情况下接触之一是漏极(12)，以及另一个是源极(18)。纳米线(16)可以生长在衬底(2)中的沟槽或通孔(8)中或特别地在衬底(2)的外延层(3)中。栅极(22)可以只提供在纳米线(16)的一端。纳米线(16)沿着其长度可以是相同的材料；可替换地，可以使用不同的材料，特别是邻近栅极(22)和在栅极(22)和沟槽的基底之间的不同的材料。
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公开(公告)号：CN101558290A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200780045234.6
申请日：2007-12-06
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： N·N·卡亚 , E·P·A·M·巴克斯 , T·斯特芬 , L·M·博格斯特伦
IPC: G01N21/47 , H01L29/06 , H01L31/105 , G01N33/551 , G01N33/552
CPC classification number: G01N21/4738 , B82Y15/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00
Abstract: 用于感测物质(30)的半导体传感器装置(10)，包括在半导体主体(12)的表面上形成的台面形状的半导体区(11，11’)，而包括要被感测的物质(30)的流体(20)能够沿着台面形状的半导体区(11)流动，其中台面形状的半导体区(11)在纵向方向上观看时相继地包括第一半导体子区(1)、第二半导体子区(2)和第三子区(3)，该第一半导体子区包括第一半导体材料，该第二半导体子区包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，该第三子区包括与第二半导体材料不同的第三半导体材料。根据本发明，第一和第三半导体材料包括光学钝态材料而第二半导体材料包括光学活性材料，要被感测的物质(30)能够改变来自第二子区(2)的电磁辐射(E)的特性并且半导体传感器装置(10)形成为使得其特性已被改变的电磁辐射(E)能够到达检测器(50)。根据本发明的传感器装置(10)能够很灵敏、相对紧凑且易于制造。该辐射(E)能够来自外部源(40)或者能够在装置(10)中生成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101506648A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780031465.1
申请日：2007-08-21
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： O·文恩尼克 , E·P·A·M·巴克斯 , A·L·鲁斯特
IPC: G01N27/12
CPC classification number: G01N27/127
Abstract: 一种制造用于感测物质的半导体传感器装置(10)的方法，所述半导体传感器装置包括多个相互平行的台形半导体区域(1)，所述台形半导体区域(1)形成于半导体主体(11)的表面上并在第一端连接到第一导电连接区域(2)且在第二端连接到第二导电连接区域(3)，同时包括待感测的物质的气体或液体能够在所述台形半导体区域(1)之间流动，且待感测的所述物质能够影响所述多个台形半导体区域(1)的电特性，其中在所述半导体主体(11)的表面形成第一连接区域(2)并形成第一端连接到所述第一连接区域(2)的多个台形半导体区域(1)，接下来形成在所述多个台形半导体区域(1)的第二端连接到所述多个台形半导体区域(1)的第二连接区域(3)。根据本发明，在形成所述多个台形半导体区域(1)之后，用能够相对于所述多个台形半导体区域(1)和所述半导体传感器装置(10)的其他边界部分的材料选择性地去除的填充材料(4)来填充这些区域(1)之间的露出空间，接下来在所得到的结构上沉积导电层(30)，由该导电层(30)形成所述第二连接区域(3)，之后以选择性方式去除所述填充材料(4)，由此使所述多个台形半导体区域(1)之间的空间再次露出。通过这种方式，利用容易在工业规模上应用的方法制造传感器装置(10)，并获得高成品率。
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公开(公告)号：CN100511885C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200580037053.X
申请日：2005-10-20
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： A·R·巴尔克南德 , E·P·A·M·巴克斯 , L·F·费纳
CPC classification number: H01L29/12 , B82Y10/00 , H01L27/15 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676
Abstract: 本发明涉及能量带隙可以可逆地改变的半导体器件。本发明的思想是提供一种器件，其基于与在适当寻址时呈现出可逆体积变化的材料机械接触的半导电材料(306)，所述体积可逆变化的材料例如为相变材料(307)。该器件可例如用于发光器件、开关器件以及存储器。通过向相变材料施加局部体积膨胀，半导电材料可以可逆地应变。所得到的半导电材料的带隙变化可用于调谐从例如LED或激光器发射的光的颜色。在其它应用领域中，可控制半导体结的接触电阻，这一特征在存储器和开关中是非常有利的。
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公开(公告)号：CN101027797A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200580032628.9
申请日：2005-08-19
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： E·P·A·M·巴克斯 , M·H·R·兰克霍尔斯特
CPC classification number: H01L27/2409 , B82Y10/00 , G11C13/0004 , G11C13/025 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/148 , H01L45/1625 , Y10S977/762
Abstract: 根据本发明的方法旨在制造根据本发明的电装置(100)，该装置具有主体(102)，该主体具有包括在第一相和第二相之间可以变化的相变材料的电阻器，当该相变材料在第一相时该电阻器具有第一电阻，以及当该相变材料在第二相时该电阻器具有不同于第一电阻的第二电阻。该电阻器是电连接第一导体(172、120)和第二导体(108、121)的纳米线NW。该方法包括步骤：提供具有第一导体(172、120)的主体(102)，提供纳米线NW给第一导体(172、120)，由此电连接纳米线NW和第一导体(172、120)，并提供第二导体(108、121)给纳米线NW，由此电连接纳米线NW和第二导体(108、121)。
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公开(公告)号：CN100459181C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200380102776.4
申请日：2003-10-23
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： E·P·A·M·巴克斯 , A·R·巴肯恩德 , L·F·菲纳
IPC: H01L33/00 , H01L21/208
Abstract: InP或者其它II-VI或者III-V材料的化合物纳米管表现出非常大的蓝移。因此，通过引入这种纳米管提供在电磁频谱的可见光范围中具有光致发光和电致发光效应的器件。
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公开(公告)号：CN100409450C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN03806886.9
申请日：2003-03-27
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： E·P·A·M·巴克斯
Abstract: 纳米线(10)包括第一区(1)、第二区(2)和第三区(3)，其中第二区(2)的直径(c)大于第一和第三区(1，3)的直径(a)，于是至少部分中断纳米线(10)的量子化并使第二区给定更小的带隙。在小于100nm、优选小于20nm的轴向上，第二区(2)具有长度(b)。在具有电极的(光)电器件中，可以采用纳米线(10)作为量子点、单电子晶体管等。
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