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公开(公告)号：CN119824390A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510312070.9
申请日：2025-03-17
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛帷半导体设备(上海)有限公司
IPC: C23C16/44 , H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 本申请公开了一种炉管设备，涉及半导体制造设备领域，炉管设备，包括：工艺管，所述工艺管的内部用于形成工艺区；法兰件，设置于所述工艺管的下方，用于承载所述工艺管；晶舟，用于承载多个基片；密封盖，设置于所述晶舟和所述法兰件的下方，所述密封盖包括进气通道和吹扫部，所述进气通道具有进气端和出气端，所述进气端用于接收进气，所述出气端与所述吹扫部连通，所述吹扫部设置有多个气孔，所述多个气孔朝向所述工艺区设置，所述吹扫部靠近所述法兰件。通过气体的持续吹扫能够显著减少法兰件和密封盖表面的颗粒沉积，从而降低污染风险，优化工艺环境的洁净度，并能够降低法兰件和密封盖的清洁频率。
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