公开(公告)号：CN116222214A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202111476919.4

申请日：2021-12-02

Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 ,  盛帷半导体设备(上海)有限公司 ,  盛美半导体设备韩国有限公司 ,  清芯科技有限公司

Inventor： 王晖 ,  张山 ,  沈辉 ,  吕策 ,  周冬成 ,  金宗焕 ,  朴载成 ,  王坚 ,  王俊 ,  贾社娜 ,  张晓燕 ,  金泳律

IPC: F27B17/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明揭示了一种高温炉管，包括：工艺管，工艺管的顶端设置有顶盖，顶盖上设置有通孔；供气管，与工艺管顶盖上的通孔连通，工艺气体通过供气管和工艺管顶盖上的通孔通入工艺管内部；晶舟，设置于工艺管内部，包括支撑架和支撑平板，支撑平板沿支撑架的长度方向分布有多层，用于支撑多片基板，每片基板放置于每层支撑平板上，每层支撑平板托住每片基板的整个底部。本发明通过设置多层支撑平板，且每层支撑平板托住每片基板的整个底部，避免了基板在1200℃以上的高温工艺下发生向下变形而导致基板内晶格缺陷的产生，提升了芯片的良率。

公开(公告)号：CN115707793A

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN202110961832.X

申请日：2021-08-20

Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 ,  盛帷半导体设备(上海)有限公司 ,  盛美半导体设备韩国有限公司 ,  清芯科技有限公司

Inventor： 王晖 ,  张山 ,  朴载成 ,  沈辉 ,  金宗焕 ,  陈宇 ,  石家燕 ,  张晓燕 ,  周东成 ,  夏光煜 ,  王俊 ,  金泳律

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明揭示了一种使用炉管处理晶圆的方法，包括以下步骤：将载有晶圆的晶舟装载至炉管腔体中；将炉管腔体中的压力值设定在第一压力值之上，将炉管腔体内的温度从初始温度升高至设定的目标温度；保持炉管腔体内的温度不变，将炉管腔体内的压力降低至设定的目标压力值；开始工艺以处理晶圆；工艺完成后，保持炉管腔体内的温度不变，将炉管腔体内的压力从目标压力值升高至第一压力值之上；将炉管腔体中的压力值设定在第一压力值之上，将炉管腔体内的温度从目标温度降低至初始温度；将炉管腔体中的压力值升高至大气压；将载有晶圆的晶舟从炉管腔体中转移出来。相对于传统的工艺步骤，采用本发明能够减少晶圆上的颗粒物数量。

公开(公告)号：CN117321751A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202180097343.2

申请日：2021-04-25

Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 ,  盛美半导体设备韩国有限公司 ,  清芯科技有限公司

Inventor： 王晖 ,  李康植 ,  吴均 ,  程成 ,  郑敦宇 ,  孙永成 ,  王俊 ,  金泳律

IPC: H01L21/677

Abstract: 本发明的实施例提供了一种基板处理设备，包括化学液体处理装置。化学液体处理装置包括第一化学液体处理部、配置为与第一化学液体处理部堆叠的第二化学液体处理部、位于第一化学液体处理部和第二化学液体处理部的对面的热处理部、以及位于第一和第二化学液体处理部与热处理部之间的基板传输部。基板传输部配置为具有平行分层排列的至少两个第一机器手、至少一个第二机器手和至少一个第三机器手、以及至少一对第一缓冲单元，位于两个相邻的第一机器手之间，配置为经由所述至少一个第二机器手向所述至少一对第一缓冲单元中装载基板和从所述至少一对第一缓冲单元中卸载基板。至少两个第一机器手配置为在第一化学液体处理部和热处理部之间传送基板，至少一个第三机器手配置为在第二化学液体处理部和热处理部之间传送基板。

公开(公告)号：CN115903404A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202110963138.1

申请日：2021-08-20

Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 ,  盛美半导体设备韩国有限公司 ,  清芯科技有限公司

Inventor： 李康植 ,  吴均 ,  王晖 ,  程成 ,  郑敦宇 ,  孙永成 ,  王文军 ,  邵乾 ,  王俊 ,  王德云 ,  金泳律

IPC: G03F7/30 ,  G03F7/16 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明揭示一种涂覆显影设备，包括依次连接的设备前端模块、工艺站以及接口站，工艺站包括涂覆单元、显影单元、至少一个横向移动的移动传输部以及至少一个侧面机械手，当基板在涂覆单元完成处理后，由至少一个侧面机械手将基板搬入移动传输部中，并由移动传输部传送至接口站；当基板在显影单元完成处理后，由至少一个侧面机械手将基板搬入移动传输部中，并由移动传输部传送至设备前端模块。在本发明中，配置移动传输部和侧面机械手，负责在设备前端模块和接口站之间传送在涂覆或显影单元完成处理之后的基板，能够降低涂覆或显影单元内部的机械手运行负荷，从而降低机械手运行效率对涂覆显影设备产出率的影响，进而提高涂覆显影设备的产出率。

公开(公告)号：CN117826536A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202211203651.1

申请日：2022-09-29

Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 ,  盛美半导体设备韩国有限公司 ,  清芯科技有限公司

Inventor： 李康植 ,  吴均 ,  王晖 ,  程成 ,  郑敦宇 ,  孙永成 ,  王文军 ,  邵乾 ,  王俊 ,  王德云 ,  金泳律

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及半导体生产中的设备，具体为一种热处理装置。装置包括冷却单元、加热单元和传输单元。冷却单元包括用于冷却基板的冷却板，加热单元包括用于加热基板的加热板；传输单元包括传输臂、升降模块和直线模块，传输臂承托基板并在冷却单元和加热单元之间传输基板；传输臂设置在升降模块上，升降模块驱动传输臂上升和下降，直线模块驱动传输臂在冷却板和加热板之间传输基板。本发明优化了装置的内部空间。

公开(公告)号：CN115725953A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211066276.0

申请日：2022-09-01

Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 ,  盛美半导体设备韩国有限公司 ,  清芯科技有限公司

Inventor： 王晖 ,  张山 ,  王俊 ,  张晓燕 ,  贾社娜 ,  沈辉 ,  王坚 ,  金京俊 ,  李翰相 ,  白晛祐 ,  金在鹤 ,  金泳律

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明揭示了一种薄膜沉积装置，包括：处理腔室；气体供应组件，设置于处理腔室顶壁；加热托盘，设置于气体供应组件下方，用于承载并加热基板；射频源；旋转机构，控制基板旋转或者加热托盘旋转或者基板与加热托盘同步旋转，旋转的旋转轴垂直且穿过基板；旋转时，保持射频源为打开状态。本发明补偿了基板上沉积的薄膜厚度的不均匀，实现了PECVD层堆栈结构薄膜沉积的均匀性和稳定性，避免了基板上沉积的薄膜在后续刻蚀工艺过程中刻蚀通孔偏离垂直方向的现象，从而进一步保证了半导体器件性能的稳定性。