公开(公告)号：CN105453271B

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201480042961.7

申请日：2014-07-01

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： C.苏 ,  J.杨 ,  Y.陈

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明公开了一种存储器装置，所述存储器装置具有一对导电浮栅，所述导电浮栅具有彼此面对的内侧壁，并且设置在第一导电类型的衬底上面并与其绝缘。一对间隔开的导电控制栅，所述导电控制栅各自设置在所述浮栅中的一个上面并与其绝缘，并且各自包括彼此面对的内侧壁。一对绝缘材料的第一间隔物，所述第一间隔物沿着控制栅内侧壁并且在所述浮栅上面延伸。所述浮栅内侧壁与所述第一间隔物的侧表面对准。一对绝缘材料的第二间隔物各自沿着所述第一间隔物中的一个并且沿着所述浮栅内侧壁中的一个延伸。形成到所述衬底中的沟槽，所述沟槽具有与所述第二间隔物的侧表面对准的侧壁。设置在所述沟槽中的硅碳。注入到所述硅碳中的材料，所述材料形成具有第二导电类型的第一区域。

公开(公告)号：CN107078035A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580050301.8

申请日：2015-08-03

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： C.苏 ,  H.V.陈 ,  M.塔达尤尼 ,  N.杜 ,  J.杨

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11534 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/11531 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/7624 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11534 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明公开了一种形成半导体设备的方法，所述方法以具有硅、在所述硅上的第一绝缘层和在所述第一绝缘层上的硅层的衬底开始。仅从第二衬底区域移除所述硅层和所述绝缘层。在所述衬底第一区域中的所述硅层上方和在所述第二衬底区域中的所述硅上方形成第二绝缘层。在所述第一衬底区域中形成第一多个沟槽，每个沟槽延伸穿过所有的层并且延伸到所述硅中。在所述第二衬底区域中形成第二多个沟槽，每个沟槽延伸穿过所述第二绝缘层并且延伸到所述硅中。在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成绝缘材料。在所述第一衬底区域中形成逻辑设备，并且在所述第二衬底区域中形成存储器单元。

公开(公告)号：CN106575656A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580042672.1

申请日：2015-07-13

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： J.杨 ,  M.吴 ,  C.陈 ,  C.苏 ,  N.杜

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/788

Abstract: 本发明涉及非易失性存储器单元，所述非易失性存储器单元包括第一导电类型的半导体衬底、在第二导电类型的衬底中间隔开的第一区和第二区，在所述衬底中两者之间具有沟道区。浮栅具有竖直设置在所述沟道区的第一部分上方的第一部分和竖直设置在所述第一区上方的第二部分。所述浮栅包括终止于一个或多个尖锐边缘的倾斜上表面。擦除栅竖直设置在所述浮栅上方，其中所述一个或多个尖锐边缘面向所述擦除栅。控制栅具有横向相邻于所述浮栅设置并竖直设置在所述第一区上方的第一部分。选择栅具有竖直设置在所述沟道区的第二部分上方并横向相邻于所述浮栅的第一部分。

公开(公告)号：CN107112355B

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201580072463.1

申请日：2015-12-08

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： C.陈 ,  M.吴 ,  J.杨 ,  C.苏

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器单元，该非易失性存储器单元包括第一导电类型的衬底，该第一导电类型的衬底具有第二导电类型的第一区域、该述第二导电类型的与该第一区域间隔开的第二区域，在第一区域和第二区域之间形成沟道区域。浮栅被设置在与第一区域相邻的沟道区域的第一部分上方并与其绝缘。选择栅被设置在与第二区域相邻的沟道区域的第二部分上方，该选择栅由金属材料形成并且通过二氧化硅层和高K绝缘材料层而与沟道区域的第二部分绝缘。控制栅被设置在浮栅上方并与其绝缘。擦除栅被设置在第一区域上方并与其绝缘，并且被设置成与所述浮栅横向相邻并与其绝缘。

公开(公告)号：CN107078035B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201580050301.8

申请日：2015-08-03

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： C.苏 ,  H.V.陈 ,  M.塔达尤尼 ,  N.杜 ,  J.杨

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11534 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种形成半导体设备的方法，所述方法以具有硅、在所述硅上的第一绝缘层和在所述第一绝缘层上的硅层的衬底开始。仅从第二衬底区域移除所述硅层和所述绝缘层。在所述衬底第一区域中的所述硅层上方和在所述第二衬底区域中的所述硅上方形成第二绝缘层。在所述第一衬底区域中形成第一多个沟槽，每个沟槽延伸穿过所有的层并且延伸到所述硅中。在所述第二衬底区域中形成第二多个沟槽，每个沟槽延伸穿过所述第二绝缘层并且延伸到所述硅中。在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成绝缘材料。在所述第一衬底区域中形成逻辑设备，并且在所述第二衬底区域中形成存储器单元。

公开(公告)号：CN107112355A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580072463.1

申请日：2015-12-08

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： C.陈 ,  M.吴 ,  J.杨 ,  C.苏

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器单元，该非易失性存储器单元包括第一导电类型的衬底，该第一导电类型的衬底具有第二导电类型的第一区域、该述第二导电类型的与该第一区域间隔开的第二区域，在第一区域和第二区域之间形成沟道区域。浮栅被设置在与第一区域相邻的沟道区域的第一部分上方并与其绝缘。选择栅被设置在与第二区域相邻的沟道区域的第二部分上方，该选择栅由金属材料形成并且通过二氧化硅层和高K绝缘材料层而与沟道区域的第二部分绝缘。控制栅被设置在浮栅上方并与其绝缘。擦除栅被设置在第一区域上方并与其绝缘，并且被设置成与所述浮栅横向相邻并与其绝缘。

公开(公告)号：CN105453271A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480042961.7

申请日：2014-07-01

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： C.苏 ,  J.杨 ,  Y.陈

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/823425 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明公开了一种存储器装置，所述存储器装置具有一对导电浮栅，所述导电浮栅具有彼此面对的内侧壁，并且设置在第一导电类型的衬底上面并与其绝缘。一对间隔开的导电控制栅，所述导电控制栅各自设置在所述浮栅中的一个上面并与其绝缘，并且各自包括彼此面对的内侧壁。一对绝缘材料的第一间隔物，所述第一间隔物沿着控制栅内侧壁并且在所述浮栅上面延伸。所述浮栅内侧壁与所述第一间隔物的侧表面对准。一对绝缘材料的第二间隔物各自沿着所述第一间隔物中的一个并且沿着所述浮栅内侧壁中的一个延伸。形成到所述衬底中的沟槽，所述沟槽具有与所述第二间隔物的侧表面对准的侧壁。设置在所述沟槽中的硅碳。注入到所述硅碳中的材料，所述材料形成具有第二导电类型的第一区域。