公开(公告)号：CN106575656A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580042672.1

申请日：2015-07-13

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： J.杨 ,  M.吴 ,  C.陈 ,  C.苏 ,  N.杜

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/788

Abstract: 本发明涉及非易失性存储器单元，所述非易失性存储器单元包括第一导电类型的半导体衬底、在第二导电类型的衬底中间隔开的第一区和第二区，在所述衬底中两者之间具有沟道区。浮栅具有竖直设置在所述沟道区的第一部分上方的第一部分和竖直设置在所述第一区上方的第二部分。所述浮栅包括终止于一个或多个尖锐边缘的倾斜上表面。擦除栅竖直设置在所述浮栅上方，其中所述一个或多个尖锐边缘面向所述擦除栅。控制栅具有横向相邻于所述浮栅设置并竖直设置在所述第一区上方的第一部分。选择栅具有竖直设置在所述沟道区的第二部分上方并横向相邻于所述浮栅的第一部分。

公开(公告)号：CN107112355B

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201580072463.1

申请日：2015-12-08

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： C.陈 ,  M.吴 ,  J.杨 ,  C.苏

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器单元，该非易失性存储器单元包括第一导电类型的衬底，该第一导电类型的衬底具有第二导电类型的第一区域、该述第二导电类型的与该第一区域间隔开的第二区域，在第一区域和第二区域之间形成沟道区域。浮栅被设置在与第一区域相邻的沟道区域的第一部分上方并与其绝缘。选择栅被设置在与第二区域相邻的沟道区域的第二部分上方，该选择栅由金属材料形成并且通过二氧化硅层和高K绝缘材料层而与沟道区域的第二部分绝缘。控制栅被设置在浮栅上方并与其绝缘。擦除栅被设置在第一区域上方并与其绝缘，并且被设置成与所述浮栅横向相邻并与其绝缘。

公开(公告)号：CN107112355A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580072463.1

申请日：2015-12-08

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： C.陈 ,  M.吴 ,  J.杨 ,  C.苏

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器单元，该非易失性存储器单元包括第一导电类型的衬底，该第一导电类型的衬底具有第二导电类型的第一区域、该述第二导电类型的与该第一区域间隔开的第二区域，在第一区域和第二区域之间形成沟道区域。浮栅被设置在与第一区域相邻的沟道区域的第一部分上方并与其绝缘。选择栅被设置在与第二区域相邻的沟道区域的第二部分上方，该选择栅由金属材料形成并且通过二氧化硅层和高K绝缘材料层而与沟道区域的第二部分绝缘。控制栅被设置在浮栅上方并与其绝缘。擦除栅被设置在第一区域上方并与其绝缘，并且被设置成与所述浮栅横向相邻并与其绝缘。