公开(公告)号：CN104246985A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380022225.0

申请日：2013-02-01

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： W.托伦 ,  X.刘 ,  G.梅茨格尔-布吕克尔 ,  N.杜 ,  S.维格 ,  N.米里迪 ,  C.苏 ,  C.伯纳迪 ,  L.奎瓦斯 ,  F.居约 ,  Y.陈 ,  H.奧马尼 ,  M.塔达约尼

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/76283 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568

Abstract: 一种用于非易失性存储器阵列的叠层栅结构具有半导体衬底，所述半导体衬底具有多个基本上平行的间隔开的有源区。叠层栅结构在有源区上方形成，并且每一个包括：在每个叠层栅结构之间的在垂直于第一方向的第二方向上的第一绝缘材料，在所述有源区上方的第二绝缘材料，在所述第二绝缘材料上方的电荷维持栅极，在所述电荷维持栅极上方的第三绝缘材料，在所述第三绝缘材料上方的控制栅极的第一部分，所述控制栅极的第二部分在所述控制栅极的所述第一部分的顶部表面上方以及在与之相邻并沿所述第二方向延伸的所述第一绝缘材料的顶部表面上方，并且第四绝缘材料在所述控制栅极的所述第二部分上方。

公开(公告)号：CN104246985B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380022225.0

申请日：2013-02-01

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： W.托伦 ,  X.刘 ,  G.梅茨格尔-布吕克尔 ,  N.杜 ,  S.维格 ,  N.米里迪 ,  C.苏 ,  C.伯纳迪 ,  L.奎瓦斯 ,  F.居约 ,  Y.陈 ,  H.奧马尼 ,  M.塔达约尼

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/76283 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568

Abstract: 一种用于非易失性存储器阵列的叠层栅结构具有半导体衬底，所述半导体衬底具有多个基本上平行的间隔开的有源区。叠层栅结构在有源区上方形成，并且每一个包括：在每个叠层栅结构之间的在垂直于第一方向的第二方向上的第一绝缘材料，在所述有源区上方的第二绝缘材料，在所述第二绝缘材料上方的电荷维持栅极，在所述电荷维持栅极上方的第三绝缘材料，在所述第三绝缘材料上方的控制栅极的第一部分，所述控制栅极的第二部分在所述控制栅极的所述第一部分的顶部表面上方以及在与之相邻并沿所述第二方向延伸的所述第一绝缘材料的顶部表面上方，并且第四绝缘材料在所述控制栅极的所述第二部分上方。