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公开(公告)号：CN101927455B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201010158651.5
申请日：2010-04-07
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B37/04 , C09G1/02 , B24B37/14 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/22 , B24B7/22 , B24B7/228 , B24B37/0056 , B24D3/28 , B24D11/00 , B24D13/147 , C09G1/04 , H01L21/02024
Abstract: 本发明涉及一种抛光半导体晶片的方法，其中，在第一步中，通过包含粒径为0.1-1.0μm的固着磨料的抛光垫并在供应不含固体材料的pH值为至少11.8的抛光剂的情况下抛光所述半导体晶片的背面，以及，在第二步中，抛光该半导体晶片的正面，其中供应pH值小于11.8的抛光剂。还涉及一种用于抛光半导体晶片的设备中的抛光垫，其包含含磨料层、由硬塑料构成层以及顺应无纺层，其中通过压敏粘合剂层将上述这些层彼此粘合。
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公开(公告)号：CN101927455A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010158651.5
申请日：2010-04-07
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B37/04 , B24D13/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/22 , B24B7/22 , B24B7/228 , B24B37/0056 , B24D3/28 , B24D11/00 , B24D13/147 , C09G1/04 , H01L21/02024
Abstract: 本发明涉及一种抛光半导体晶片的方法，其中，在第一步中，通过包含粒径为0.1-1.0μm的固着磨料的抛光垫并在供应不含固体材料的pH值为至少11.8的抛光剂的情况下抛光所述半导体晶片的背面，以及，在第二步中，抛光该半导体晶片的正面，其中供应pH值小于11.8的抛光剂。还涉及一种用于抛光半导体晶片的设备中的抛光垫，其包含含磨料层、由硬塑料构成层以及顺应无纺层，其中通过压敏粘合剂层将上述这些层彼此粘合。
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公开(公告)号：CN102205520B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201110084878.4
申请日：2011-03-29
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B29/02 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/044 , B24B37/08
Abstract: 双面抛光半导体晶片的方法，其包括在覆盖有第一抛光垫的上抛光盘与覆盖有第二抛光垫的下抛光盘之间对位于载体盘的切口中的半导体晶片进行同步双面抛光，其中在抛光期间位于载体盘中的半导体晶片的一部分面积暂时地突出于由上抛光盘和下抛光盘形成的加工间隙，其中这两个抛光垫均匀分布有宽度和深度为0.5至2mm的沟槽，从而在抛光垫上形成正方形区块的棋盘状分布，其中位于上抛光盘上的第一抛光垫具有大于20mm×20mm的区块，而位于下抛光盘上的第二抛光垫具有小于或等于20mm×20mm的区块，其中这两个抛光垫在区块上含有选自硅、铝和铈的元素的氧化物的、平均尺寸为0.1至1.0μm的磨料，其中在抛光期间送入pH值能够通过相应地添加碱性组分而在11至13.5的范围内改变的抛光剂溶液，其中在第一步骤中送入pH为11至12.5的抛光剂溶液，而在第二步骤中送入pH为大于或等于13的抛光剂溶液。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102205520A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110084878.4
申请日：2011-03-29
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B29/02 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/044 , B24B37/08
Abstract: 双面抛光半导体晶片的方法，其包括在覆盖有第一抛光垫的上抛光盘与覆盖有第二抛光垫的下抛光盘之间对位于载体盘的切口中的半导体晶片进行同步双面抛光，其中在抛光期间位于载体盘中的半导体晶片的一部分面积暂时地突出于由上抛光盘和下抛光盘形成的加工间隙，其中这两个抛光垫均匀分布有宽度和深度为0.5至2mm的沟槽，从而在抛光垫上形成正方形区块的棋盘状分布，其中位于上抛光盘上的第一抛光垫具有大于20mm×20mm的区块，而位于下抛光盘上的第二抛光垫具有小于或等于20mm×20mm的区块，其中这两个抛光垫在区块上含有选自硅、铝和铈的元素的氧化物的、平均尺寸为0.1至1.0μm的磨料，其中在抛光期间送入pH值能够通过相应地添加碱性组分而在11至13.5的范围内改变的抛光剂溶液，其中在第一步骤中送入pH为11至12.5的抛光剂溶液，而在第二步骤中送入pH为大于或等于13的抛光剂溶液。
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公开(公告)号：CN102049723A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010296792.3
申请日：2010-09-27
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B29/02
CPC classification number: B24B1/00 , H01L21/02024
Abstract: 本发明涉及一种抛光半导体晶片的方法，其包括用固定在抛光板上的且包含固结磨料的抛光垫抛光所述半导体晶片的一面，同时将抛光剂引入到该半导体晶片要抛光的那面与所述抛光垫之间，其中在抛光期间用固定系统固定该半导体晶片，所述固定系统被安装在载体上且包括具有容纳该半导体晶片的尺寸的衬里切口，通过不抛光那面的粘附力使该半导体晶片容纳在所述切口中，并且操纵所述载体使得该半导体晶片的部分表面在抛光期间暂时突出在抛光垫的表面之外。
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公开(公告)号：CN102205521B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201110084889.2
申请日：2011-03-29
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B29/02 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/0056 , H01L21/02024
Abstract: 用于抛光半导体晶片的方法，其是利用包含平均粒径为0.1至1.0μm的SiO2的牢固粘结磨料的抛光垫在送入包含碱性成分、不含固体且具有11至13.5的可变pH值的抛光剂水溶液的情况下进行的，其中所述抛光剂溶液在抛光过程中的pH值小于13，将所述pH值提高到13至13.5以结束抛光过程。
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公开(公告)号：CN102049723B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201010296792.3
申请日：2010-09-27
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/304 , B24B29/02 , H01L21/302
CPC classification number: B24B1/00 , H01L21/02024
Abstract: 本发明涉及一种抛光半导体晶片的方法，其包括用固定在抛光板上的且包含固结磨料的抛光垫抛光所述半导体晶片的一面，同时将抛光剂引入到该半导体晶片要抛光的那面与所述抛光垫之间，其中在抛光期间用固定系统固定该半导体晶片，所述固定系统被安装在载体上且包括具有容纳该半导体晶片的尺寸的衬里切口，通过不抛光那面的粘附力使该半导体晶片容纳在所述切口中，并且操纵所述载体使得该半导体晶片的部分表面在抛光期间暂时突出在抛光垫的表面之外。
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公开(公告)号：CN102205521A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110084889.2
申请日：2011-03-29
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B29/02 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/0056 , H01L21/02024
Abstract: 用于抛光半导体晶片的方法，其是利用包含平均粒径为0.1至1.0μm的SiO2的牢固粘结磨料的抛光垫在送入包含碱性成分、不含固体且具有11至13.5的可变pH值的抛光剂水溶液的情况下进行的，其中所述抛光剂溶液在抛光过程中的pH值小于13，将所述pH值提高到13至13.5以结束抛光过程。
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