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公开(公告)号：CN102439695B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201080006938.4
申请日：2010-01-11
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
CPC classification number: H01L21/02664 , C30B29/403 , C30B33/02 , C30B33/06 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/762 , H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及形成至少部分地松弛的应变材料层的方法，所述方法包括以下步骤：提供晶种基板；对所述晶种基板进行图案化；在经图案化的所述晶种基板上生长应变材料层；将所述应变材料层由经图案化的所述晶种基板转移到中间基板上；和通过热处理来至少部分地松弛所述应变材料层。
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公开(公告)号：CN102113090B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN200980130447.8
申请日：2009-07-02
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
IPC: H01L21/20 , H01L33/00 , H01L31/18 , H01L21/58 , H01L21/762
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/6835 , H01L31/1848 , H01L31/1852 , H01L31/1892 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L2221/68359 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及在目标基板上形成至少部分地松弛的应变材料的方法，该方法包括相继执行的以下步骤：在中间基板上从应变材料层形成岛；通过第一热处理来至少部分地松弛所述应变材料岛；以及，将所述至少部分地松弛的应变材料岛转移到所述目标基板。
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公开(公告)号：CN103123895A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201310012880.X
申请日：2009-08-06
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
Inventor： 法布里斯·勒泰特 , 卡洛斯·马祖拉 , 迈克尔·R·卡梅斯 , 梅尔文·B·麦克劳林 , 内森·F·加的纳
IPC: H01L21/20 , H01L21/02 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/2007 , H01L21/02422 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/3245 , H01L33/0095
Abstract: 应变层的松弛。本发明涉及一种用于松弛应变材料层的方法，该方法包括以下步骤：在籽晶衬底上生长所述应变材料层；在所述应变材料层的一面上沉积第一低粘度层；通过所述第一低粘度层将所述应变材料层粘合到第一衬底，并且将所述应变材料层从所述籽晶衬底分离；在所述应变材料层的另一面上沉积第二低粘度层；在热处理步骤之前将第二衬底粘合到所述第二低粘度层，以形成夹层结构；使所述夹层结构经受热处理，使得造成所述第一低粘度层和所述第二低粘度层的回流，由此至少部分地松弛所述应变材料层。
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公开(公告)号：CN101573786B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200780048700.6
申请日：2007-02-08
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及复合结构体的制造方法，所述复合结构体的散热性大于具有相同尺寸的大块单晶硅结构体的散热性，所述结构体包含支持基片、顶层以及所述支持基片与所述顶层之间的氧化物层，所述方法包括如下步骤：a)提供由结晶材料制成的顶层，b)将所述顶层与由具有高散热性的多晶材料制成的支持基片结合，由此在结合界面处形成氧化物层，从而获得所述结构体，其特征在于，所述方法还包括以预定温度和预定的持续时间、在惰性或还原性氛围中对所述结构体进行热处理，从而通过分解至少部分所述氧化物层来增加散热性。
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公开(公告)号：CN102113102A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130308.5
申请日：2009-08-06
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
Inventor： 法布里斯·勒泰特 , 卡洛斯·马祖拉 , 迈克尔·R·卡梅斯 , 梅尔文·B·麦克劳林 , 内森·F·加的纳
CPC classification number: H01L21/2007 , H01L21/02422 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/3245 , H01L33/0095
Abstract: 本发明涉及一种用于松弛应变材料层的方法，该方法包括以下步骤：在所述应变材料层上淀积包括第一柔性材料的第一低粘度层；在所述应变材料层上淀积包括第二柔性材料的第二低粘度层，以形成第一夹层结构；以及使所述第一夹层结构经受热处理，使得造成所述第一低粘度层和所述第二低粘度层的回流，由此至少部分地松弛所述应变材料层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101573786A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200780048700.6
申请日：2007-02-08
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及复合结构体的制造方法，所述复合结构体的散热性大于具有相同尺寸的大块单晶硅结构体的散热性，所述结构体包含支持基片、顶层以及所述支持基片与所述顶层之间的氧化物层，所述方法包括如下步骤：a)提供由结晶材料制成的顶层，b)将所述顶层与由具有高散热性的多晶材料制成的支持基片结合，由此在结合界面处形成氧化物层，从而获得所述结构体，其特征在于，所述方法还包括以预定温度和预定的持续时间、在惰性或还原性氛围中对所述结构体进行热处理，从而通过分解至少部分所述氧化物层来增加散热性。
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公开(公告)号：CN102246291B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN200880132349.3
申请日：2008-12-19
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L33/00 , H01L21/20
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/76254 , H01L33/0079
Abstract: 本发明生产包括在支持基片上的应变III族氮化物材料晶种层的复合基片。所述复合基片的生产方法包括发展在所述III族氮化物材料中的所需晶格应变，以产生与将在所述复合基片上形成的装置结构体的晶格参数基本上匹配的晶格参数。可以形成具有Ga极性或N极性的所述III族氮化物材料。可以通过在所述III族氮化物材料和生长基片之间形成缓冲层、在所述III族氮化物材料中注入掺杂物或引入杂质以修改其晶格参数，或在具有不同热膨胀系数(CTE)的生长基片上形成具有热膨胀系数(CTE)的III族氮化物材料，而发展所需晶格应变。
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公开(公告)号：CN102246291A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200880132349.3
申请日：2008-12-19
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L33/00 , H01L21/20
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/76254 , H01L33/0079
Abstract: 本发明生产包括在支持基片上的应变III族氮化物材料晶种层的复合基片。所述复合基片的生产方法包括发展在所述III族氮化物材料中的所需晶格应变，以产生与将在所述复合基片上形成的装置结构体的晶格参数基本上匹配的晶格参数。可以形成具有Ga极性或N极性的所述III族氮化物材料。可以通过在所述III族氮化物材料和生长基片之间形成缓冲层、在所述III族氮化物材料中注入掺杂物或引入杂质以修改其晶格参数，或在具有不同热膨胀系数(CTE)的生长基片上形成具有热膨胀系数(CTE)的III族氮化物材料，而发展所需晶格应变。
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公开(公告)号：CN100521098C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510112843.1
申请日：2003-12-05
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
Inventor： 法布里斯·勒泰特 , 克里斯托夫·马勒维尔 , 蒂博·莫里斯 , 卡洛斯·马祖拉 , 弗雷德里克·梅特拉尔
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02032 , B23K26/066 , B23K26/38 , B26F3/004 , H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及一种用于重复利用由于注入处理而在表面具有残留物并具有剥离形貌的衬底的方法。该方法包括从衬底上将残留物切断到基本等于剥离形貌的水平高度，以在衬底上获得基本均匀的平坦表面；以及抛光衬底的整个表面，以消除缺陷并制备能与另一个衬底进行分子焊接的表面。
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公开(公告)号：CN100472709C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200510123683.0
申请日：2005-11-18
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司 , 法国原子能委员会
Inventor： 康斯坦丁·布德尔 , 法布里斯·勒泰特 , 布鲁斯·富尔 , 克里斯托夫·莫拉莱斯 , 克里斯特洛·德盖
IPC: H01L21/00 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及绝缘体上覆锗型晶片的制造方法，该方法包括以下步骤：提供锗基材或包含外延锗层的基材，在所述锗基材的一个主表面上或该主表面内提供电介质层，将所述源基材附着在操作基材上以形成源-操作-复合物和在预先设置在源基材内并基本与所述主表面平行的预定分离区将所述基材从源-操作-复合物上拆分，从而制造绝缘体上覆锗型晶片。为改善电介质薄膜的品质并同时实现更具有成本效益的制造工艺，本发明提出在所述锗基材和所述操作基材之间提供锗氮氧化物层作为电介质层。
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