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发明公开
蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模审中-实审

公开(公告)号：CN115715334A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202180046634.9

申请日：2021-07-06

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 , 郑在善 , 都昇哲 , 王虎林

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模，具体涉及作为由化学式1表示的化合物的蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模，[化学式1]AnBmXoYiZj其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)以及碘(I)中的一种以上；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；所述m为0～2n+1；所述i和j为0～3的整数。根据本发明，能够提供一种蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模，所述蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂不仅不会降低蒙版的透射率，而且还能够防止腐蚀或劣化，从而大幅延长采用其的掩模的寿命。

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