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发明公开
辅助前体、薄膜前体组合物、薄膜形成方法以及通过该方法制造的半导体基板审中-实审

公开(公告)号：CN116981795A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280015910.X

申请日：2022-02-22

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 郑在善 , 延昌峰 , 李承铉 , 南知贤 , 赵成禹

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种辅助前体、薄膜前体组合物、利用其的薄膜形成方法以及通过该方法制造的半导体基板，提供包含对薄膜前体化合物表现出反应稳定性的预定结构的化合物作为辅助前体的薄膜前体组合物，在薄膜沉积工艺中利用所述薄膜前体组合物以抑制副反应，而且适当地控制薄膜生长率，并去除薄膜中的工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上沉积薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性、薄膜的厚度均匀性以及电阻率特性，减少腐蚀和劣化，改善薄膜的结晶度，从而改善薄膜的电学特性。

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