公开(公告)号：CN1938835A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580009831.4

申请日：2005-03-25

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 藤村纪文 ,  早川竜马 ,  北畠裕也 ,  上原刚 ,  屋良卓也

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32009 ,  C23C8/24 ,  C23C8/28 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: 均匀氧氮化物和氮化物膜可通过不依赖于的氮化时间或氮化温度的低温和高速氮化反应而形成。将固体电介质在300(托)或更高的压力下提供在相互相对的一对电极的至少一个相对表面上，将包含等于或低于0.2％的氧化物的氮气引入所述一对相对电极之间的空间，将电场施加到氮气上，并将所得N2(第二p.s.)或N2(H.I.R)活性物质与待加工的物体加成，在待加工的物体的表面上形成氧氮化物膜/氮化物膜。

公开(公告)号：CN1938835B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200580009831.4

申请日：2005-03-25

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 藤村纪文 ,  早川竜马 ,  北畠裕也 ,  上原刚 ,  屋良卓也

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32009 ,  C23C8/24 ,  C23C8/28 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: 均匀氧氮化物和氮化物膜可通过不依赖于的氮化时间或氮化温度的低温和高速氮化反应而形成。将固体电介质在300(托)或更高的压强下提供在相互相对的一对电极的至少一个相对表面上，将包含等于或低于0.2％的氧化物的氮气引入所述一对相对电极之间的空间，将电场施加到氮气上，并将所得N2(第二p.s.)或N2(H.I.R)活性物质与待加工的物体加成，在待加工的物体的表面上形成氧氮化物膜/氮化物膜。