公开(公告)号：CN1735960A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200380100254.0

申请日：2003-10-07

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 川崎真一 ,  中武纯夫 ,  北畠裕也 ,  中嵨节男 ,  江口勇司 ,  安西纯一郎 ,  中野良宪

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/50

Abstract: 在等离子体成膜设备中，连接到电源(4)的两个第一种电极(51)和两个接地的第二种电极(52)以第二种电极(52)、第一种电极(51)、第一种电极(51)和第二种电极(52)的顺序安置。在中心第一种电极(51)之间形成的第一种流道(50a)使用于形成到膜中的原材料气体(第一种气体)从其中通过。在两侧的第一种和第二种电极(51、52)之间形成的第二种流道的等离子体放电空间(50b)使可激发气体(第二种气体)从其中通过，可激发气体被等离子体激发使得原材料可形成到膜中，但是可激发气体本身仅仅被激发，但是不形成到膜中。那些气体汇集在第一种和第二种流道之间的交叉部分(20c)，通过共同喷气通道(25a)喷出。这样可以防止设备组成构件例如电极被膜粘附。

公开(公告)号：CN100423194C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200380100254.0

申请日：2003-10-07

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 川崎真一 ,  中武纯夫 ,  北畠裕也 ,  中嶋节男 ,  江口勇司 ,  安西纯一郎 ,  中野良宪

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/50

Abstract: 在等离子体成膜设备中，连接到电源(4)的两个第一种电极(51)和两个接地的第二种电极(52)以第二种电极(52)、第一种电极(51)、第一种电极(51)和第二种电极(52)的顺序安置。在中心第一种电极(51)之间形成的第一种流道(50a)使用于形成到膜中的原材料气体(第一种气体)从其中通过。在两侧的第一种和第二种电极(51、52)之间形成的第二种流道的等离子体放电空间(50b)使可激发气体(第二种气体)从其中通过，可激发气体被等离子体激发使得原材料可形成到膜中，但是可激发气体本身仅仅被激发，但是不形成到膜中。那些气体汇集在第一种和第二种流道之间的交叉部分(20c)，通过共同喷气通道(25a)喷出。这样可以防止设备组成构件例如电极被膜粘附。

公开(公告)号：CN1938835A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580009831.4

申请日：2005-03-25

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 藤村纪文 ,  早川竜马 ,  北畠裕也 ,  上原刚 ,  屋良卓也

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32009 ,  C23C8/24 ,  C23C8/28 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: 均匀氧氮化物和氮化物膜可通过不依赖于的氮化时间或氮化温度的低温和高速氮化反应而形成。将固体电介质在300(托)或更高的压力下提供在相互相对的一对电极的至少一个相对表面上，将包含等于或低于0.2％的氧化物的氮气引入所述一对相对电极之间的空间，将电场施加到氮气上，并将所得N2(第二p.s.)或N2(H.I.R)活性物质与待加工的物体加成，在待加工的物体的表面上形成氧氮化物膜/氮化物膜。

公开(公告)号：CN1938835B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200580009831.4

申请日：2005-03-25

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 藤村纪文 ,  早川竜马 ,  北畠裕也 ,  上原刚 ,  屋良卓也

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32009 ,  C23C8/24 ,  C23C8/28 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: 均匀氧氮化物和氮化物膜可通过不依赖于的氮化时间或氮化温度的低温和高速氮化反应而形成。将固体电介质在300(托)或更高的压强下提供在相互相对的一对电极的至少一个相对表面上，将包含等于或低于0.2％的氧化物的氮气引入所述一对相对电极之间的空间，将电场施加到氮气上，并将所得N2(第二p.s.)或N2(H.I.R)活性物质与待加工的物体加成，在待加工的物体的表面上形成氧氮化物膜/氮化物膜。

公开(公告)号：CN1811012A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200610005949.6

申请日：2003-10-07

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 川崎真一 ,  中武纯夫 ,  北畠裕也 ,  山嶋节男 ,  江口勇司 ,  安西纯一郎 ,  中野良宪

IPC: C23C16/513 ,  H01L21/205

Abstract: 一种包含加工头3的等离子体表面加工设备。加工头3包括其上设置有第一种流道50a的电场施加电极51和其上设置有第二种流道50b的接地电极52，通过在电极51、52之间施加电场产生等离子体放电。加工头3的下表面与基材W平行相对。在加工头3的下表面中，设置有与所述第一种流道50a连通的第一种喷气口25a和与所述第二种流道50b连通的第二种喷气口25b。喷气口25a、25b在将基材W相对于加工头3转移的方向上彼此分离。第一种气体通过第一种流道50a并通过第一种喷气口25a喷出。第二种气体通过第二种流道50b时被激发并通过第二种喷气口25b喷出。第一种气体与激发的第二种气体接触使得第一种气体被激发并与基材W接触，从而加工基材W。