公开(公告)号：CN111107949A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201880061646.7

申请日：2018-12-17

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 饗场广明 ,  日野守 ,  赤堀政人

IPC: B08B7/00 ,  C23G5/00 ,  H01L21/304

Abstract: 当对形成有易氧化性的金属层的基板表面进行干式处理后而进行湿式清洗时，抑制或防止金属层受到损坏。使干式处理部(10)中含有还原性成分的还原性气体状流体与被处理基板(90)的表面的易氧化性的金属层(93)接触，并且在所述接触前后使还原性气体状流体活性化。然后，将被处理基板(90)送至湿式清洗部(20)而用清洗液(29)进行清洗。

公开(公告)号：CN116997599A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280021802.3

申请日：2022-03-11

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 宫本荣司 ,  赤堀政人 ,  近藤英规 ,  日野守

IPC: C08J7/00

Abstract: 本发明改善由氟类的难粘接性材料构成的被处理物的粘接性。将包含一氧化碳、二氧化碳、氢、水蒸气、乙醇、丙醇、己醇、乙二醇、氨中的任一种或两种以上的工艺气体从工艺气体供给部(10)供给至等离子体生成部(20)。在等离子体生成部(20)中，通过等离子体使工艺气体活化，使其与被处理物(9)接触，通过基于所述接触的反应，使被处理物(9)的表面的氟原子的残存比例为所述接触前的60％以下，并且对所述被处理物的表面赋予碳原子、氢原子、氧原子中的任一种或包含它们中的一种以上的分子。

公开(公告)号：CN111107949B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN201880061646.7

申请日：2018-12-17

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 饗场广明 ,  日野守 ,  赤堀政人

IPC: B08B7/00 ,  C23G5/00 ,  H01L21/304

Abstract: 当对形成有易氧化性的金属层的基板表面进行干式处理后而进行湿式清洗时，抑制或防止金属层受到损坏。使干式处理部(10)中含有还原性成分的还原性气体状流体与被处理基板(90)的表面的易氧化性的金属层(93)接触，并且在所述接触前后使还原性气体状流体活性化。然后，将被处理基板(90)送至湿式清洗部(20)而用清洗液(29)进行清洗。

公开(公告)号：CN111112808A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201910999186.9

申请日：2019-10-21

Applicant: 三星钻石工业股份有限公司 ,  积水化学工业株式会社

Inventor： 西岛浩一 ,  中谷郁祥 ,  松田启和 ,  赤堀政人

IPC: B23K10/00

Abstract: 在本发明的基板分断装置中，通过仅加热刻划线的附近而将基板分断。基板分断装置(100)包括激光加工装置(1)和等离子体装置(2)。激光加工装置(1)在玻璃基板(G)上形成刻划线(S)。等离子体装置(2)通过对玻璃基板(G)的刻划线(S)照射等离子体(P)，通过热应力沿刻划线(S)分断玻璃基板(G)。