表面处理方法和装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111107949B

    公开(公告)日:2022-04-19

    申请号:CN201880061646.7

    申请日:2018-12-17

    Abstract: 当对形成有易氧化性的金属层的基板表面进行干式处理后而进行湿式清洗时,抑制或防止金属层受到损坏。使干式处理部(10)中含有还原性成分的还原性气体状流体与被处理基板(90)的表面的易氧化性的金属层(93)接触,并且在所述接触前后使还原性气体状流体活性化。然后,将被处理基板(90)送至湿式清洗部(20)而用清洗液(29)进行清洗。

    等离子处理装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1754409B

    公开(公告)日:2010-07-28

    申请号:CN03801713.X

    申请日:2003-08-28

    Abstract: 一种等离子处理装置,用于对电场中的处理气进行等离子化(也包括激活、离子化和激化),然后喷出处理气。等离子处理装置包括:喷嘴头,包括一对平行设置的电极和支撑电极的支架,每个电极具有第一和第二侧边,电场被施加在电极对之间,第一侧边之间的开口用作处理气接收孔,第二侧边之间的开口用作处理气吹气孔;所述电极为沿第一侧边和第二侧边伸长的长条电极,喷嘴头进一步包括防变形设备,防变形设备防止成对的电极在所述电极平行布置的方向上变形;而且防变形设备包括靠近变形阻止器,靠近变形阻止器防止电极中的一个电极变形而靠近另一电极。可以防止电极之间的间距变得不均匀,等离子流可以沿着电极纵向均匀吹出,最后可以执行均匀表面处理。

    等离子处理设备
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101296549B

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN200810094984.9

    申请日:2004-05-13

    Abstract: 本发明公开了一种等离子处理设备,包括:由用于形成等离子化空间的一对电极组成的电极结构;设置成以遮蔽所述电极结构的朝向所述物体的侧面的电接地的传导件;以及介于所述电极结构和所述传导件之间并设置成以使其彼此绝缘的绝缘装置,所述绝缘装置分成包括用于形成连接到所述等离子化空间的下游的处理气体引出路径的表面的第一绝缘部分,以及分离设置在所述第一绝缘部分的所述引出路径侧的相反侧上并彼此分离的第二绝缘部分。

    等离子处理设备及其制作方法

    公开(公告)号:CN101296549A

    公开(公告)日:2008-10-29

    申请号:CN200810094984.9

    申请日:2004-05-13

    Abstract: 本发明涉及等离子处理设备及其制作方法,其中传导元件51相对电极结构30设置在与物体W相对的边上。传导元件51电接地。绝缘装置45插在电极结构30和传导元件51之间。绝缘装置45分为第一绝缘部分41和第二绝缘部分42。第一绝缘部分41形成与电极之间的所述等离子化空间30a的下游相连的引出路径40a,第二绝缘部分42相对第一绝缘部分41被分离设置在与引出路径40a相对的边上,第一和第二绝缘部分41、42可彼此分离,如果第一绝缘部分41被损坏,只简单的对第一绝缘部分41进行更换,而没有必要更换整个绝缘装置45,只有第一绝缘部分41由等离子电阻高于第二绝缘部分42的材料构成,其结果是可大大降低材料成本。

    表面处理方法和装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111107949A

    公开(公告)日:2020-05-05

    申请号:CN201880061646.7

    申请日:2018-12-17

    Abstract: 当对形成有易氧化性的金属层的基板表面进行干式处理后而进行湿式清洗时,抑制或防止金属层受到损坏。使干式处理部(10)中含有还原性成分的还原性气体状流体与被处理基板(90)的表面的易氧化性的金属层(93)接触,并且在所述接触前后使还原性气体状流体活性化。然后,将被处理基板(90)送至湿式清洗部(20)而用清洗液(29)进行清洗。

    表面改性方法
    7.
    发明公开
    表面改性方法 审中-实审

    公开(公告)号:CN116997599A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202280021802.3

    申请日:2022-03-11

    Abstract: 本发明改善由氟类的难粘接性材料构成的被处理物的粘接性。将包含一氧化碳、二氧化碳、氢、水蒸气、乙醇、丙醇、己醇、乙二醇、氨中的任一种或两种以上的工艺气体从工艺气体供给部(10)供给至等离子体生成部(20)。在等离子体生成部(20)中,通过等离子体使工艺气体活化,使其与被处理物(9)接触,通过基于所述接触的反应,使被处理物(9)的表面的氟原子的残存比例为所述接触前的60%以下,并且对所述被处理物的表面赋予碳原子、氢原子、氧原子中的任一种或包含它们中的一种以上的分子。

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