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公开(公告)号：CN101146398A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710169239.1
申请日：2004-03-04
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H05H1/34 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/3065 , C23C16/5093 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01J37/32724
Abstract: 一种等离子加工装置及其电极结构，其中内介质通道(17)形成在圆环形内电极(11)的内周面(12a)和容纳在电极(11)中的圆环形内通道形成部件(15)之间。圆环形第一密封部件(18)置于电极和部件(15)的上圆周侧面之间。圆环形第二密封部件(19)置于部件(15)的底部平坦表面(15b)和电极(11)的凸缘部分(13)之间。电极(11)和部件(15)的底部圆周侧面大致相互面对，并且没有任何插入间隙。内电极11经作为气体通道的间隙(lp)被圆环形外电极(21)包围，在气体通道中加工气体被等离子化。外介质通道(27)形成在电极(21)的外周面(22a)和圆环形外通道形成部件(25)之间。第三和第四密封部件(28，29)分别置于电极(21)和部件(25)之间。
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公开(公告)号：CN101145508A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710169240.4
申请日：2004-03-04
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/67 , C23C16/513 , C23C16/509 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/00
CPC classification number: H01L21/3065 , C23C16/5093 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01J37/32724
Abstract: 一种等离子加工装置和方法，其中吹送部件(152)设置有吹风口(Ia’)，该吹风口的尺寸小到不允许吹送的气流被直接地吹送到晶片W的部分上，该晶片W的部分比晶片W的外边缘更位于晶片的中心侧并且不进行等离子加工。吸入件(151)设置有与吹送部件(152)相联的吸入口(81A)。吸入口(81A)靠近吹风口(Ia’)设置并形成相对于吹送气流大致在相反方向上取向的抽吸气流。
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公开(公告)号：CN100433263C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200480018059.8
申请日：2004-06-24
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/31 , C23C16/455 , H05H1/46
Abstract: 在用于将处理气体通过孔排比如狭缝喷射到有待处理的物体的表面的处理设备中，即使该孔排很短，具有大面积的物体的表面也可以被有效地处理。多个电极板(11，12)被并排地设置于等离子表面处理设备(M)的处理器(1)上。狭缝状的孔排(10a)形成于相邻的电极板之间，并且由并排设置的孔排(10a)组成孔排组(100)。该物体(W)通过移动机构(4)沿着每个狭缝(10a)的延伸方向移动。
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公开(公告)号：CN1759474A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200480006180.9
申请日：2004-03-04
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , C23C16/5093 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01J37/32724
Abstract: 等离子加工装置的喷嘴头(NH)包括：环形内保持器(3)；围绕内保持器(3)的环形内电极(11)；围绕内电极的环形外电极(21)；以及围绕外电极(21)的环形外保持器(4)。内保持器(3)设有多个螺栓(7)，所述螺栓以间距周向安置并用于径向向外挤压内电极(11)。外保持器(4)设有多个螺栓(8)，所述多个螺栓(8)以间距周向安置以径向向内挤压外电极(21)。使用此结构，环形电极(11、21)的卸装、安装和对心可以很容易进行。
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公开(公告)号：CN116997599A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280021802.3
申请日：2022-03-11
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: C08J7/00
Abstract: 本发明改善由氟类的难粘接性材料构成的被处理物的粘接性。将包含一氧化碳、二氧化碳、氢、水蒸气、乙醇、丙醇、己醇、乙二醇、氨中的任一种或两种以上的工艺气体从工艺气体供给部(10)供给至等离子体生成部(20)。在等离子体生成部(20)中，通过等离子体使工艺气体活化，使其与被处理物(9)接触，通过基于所述接触的反应，使被处理物(9)的表面的氟原子的残存比例为所述接触前的60％以下，并且对所述被处理物的表面赋予碳原子、氢原子、氧原子中的任一种或包含它们中的一种以上的分子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101145508B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200710169240.4
申请日：2004-03-04
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/67 , C23C16/513 , C23C16/509 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/00
CPC classification number: H01L21/3065 , C23C16/5093 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01J37/32724
Abstract: 一种等离子加工装置和方法，其中吹送部件(152)设置有吹风口(Ia’)，该吹风口的尺寸小到不允许吹送的气流被直接地吹送到晶片W的部分上，该晶片W的部分比晶片W的外边缘更位于晶片的中心侧并且不进行等离子加工。吸入件(151)设置有与吹送部件(152)相联的吸入口(81A)。吸入口(81A)靠近吹风口(Ia’)设置并形成相对于吹送气流大致在相反方向上取向的抽吸气流。
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公开(公告)号：CN101145507A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710169238.7
申请日：2004-03-04
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/67 , C23C16/509 , C23C16/513 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/3065 , C23C16/5093 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01J37/32724
Abstract: 一种等离子加工装置，其中加工气体在圆环形内电极(11)和圆环形外电极(21)之间被等离子化。热导内温度调节部件(50)通过螺栓(7)挤压在内电极(11)的内周面上。热导外温度调节部件(60)通过螺栓(8)挤压在外电极(21)的外周面上。内、外部件(50、60)是可膨胀的和可收缩的C形形状。
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公开(公告)号：CN100375246C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200480006180.9
申请日：2004-03-04
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , C23C16/5093 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01J37/32724
Abstract: 等离子加工装置的喷嘴头(NH)包括：环形内保持器(3)；围绕内保持器(3)的环形内电极(11)；围绕内电极的环形外电极(21)；以及围绕外电极(21)的环形外保持器(4)。内保持器(3)设有多个螺栓(7)，所述螺栓以间距周向安置并用于径向向外挤压内电极(11)。外保持器(4)设有多个螺栓(8)，所述多个螺栓(8)以间距周向安置以径向向内挤压外电极(21)。使用此结构，环形电极(11、21)的卸装、安装和对心可以很容易进行。
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公开(公告)号：CN102770944B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201180010706.0
申请日：2011-02-21
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/24
CPC classification number: H01L21/6776 , C03C15/00 , H01J37/32018 , H01J37/32761 , H01L21/6708 , H01L21/67706
Abstract: 在抑制或防止玻璃基板等含有含硅物的被处理基板的第一面(例如主面)的蚀刻的同时，对背侧的第二面进行蚀刻。在含有氟化氢及水的处理气氛中配置被处理基板(9)。通过包括加热器(21)的调节机构，以使被处理基板(9)的第一面(9a)的温度成为比处理气氛的氟化氢及水的凝结点高的温度，且使第二面(9b)的温度成为上述凝结点以下的方式进行调节。
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公开(公告)号：CN102770944A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201180010706.0
申请日：2011-02-21
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/24
CPC classification number: H01L21/6776 , C03C15/00 , H01J37/32018 , H01J37/32761 , H01L21/6708 , H01L21/67706
Abstract: 在抑制或防止玻璃基板等含有含硅物的被处理基板的第一面(例如主面)的蚀刻的同时，对背侧的第二面进行蚀刻。在含有氟化氢及水的处理气氛中配置被处理基板(9)。通过包括加热器(21)的调节机构，以使被处理基板(9)的第一面(9a)的温度成为比处理气氛的氟化氢及水的凝结点高的温度，且使第二面(9b)的温度成为上述凝结点以下的方式进行调节。
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