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公开(公告)号：CN102070746A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010299478.0
申请日：2010-09-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08F220/28 , C08F220/18 , C08F220/38 , C08F220/22 , G03F7/004 , G03F7/075 , G03F7/20 , G03F7/00
CPC classification number: C08F220/28 , C08F220/18 , C08F220/22 , C08F220/38 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/2041
Abstract: 本发明披露了一种用于抗蚀剂保护层的聚合物、包括该聚合物的抗蚀剂保护层组合物、以及形成图案的方法。该聚合物包括由以下化学式1表示的第一重复单元以及第二重复单元，该第二重复单元包括由以下化学式2至6表示的至少一种重复单元。[化学式1]、[化学式2]、[化学式3][化学式4]、[化学式5]、[化学式6]在化学式1至6中，每种取代基与在具体实施方式中限定的相同。
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公开(公告)号：CN102143990A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200880130954.7
申请日：2008-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08G77/04
CPC classification number: C08G77/04 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供一种适合用于制造半导体电容器的节点分离工艺的化合物。聚合物的分子量在贮存期间维持基本不改变。此外，聚合物以所需要的速率溶解于碱性显影溶液中，且在溶解速率(DR)无任何显著改变的情况下，在贮存期间具有高度稳定性。本发明还提供包含此化合物的组合物。该组合物在贮存期间具有高度稳定性。因此，该组合物适合用于填充半导体装置内部的小间隙。
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公开(公告)号：CN102143990B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200880130954.7
申请日：2008-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08G77/04
CPC classification number: C08G77/04 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供一种适合用于制造半导体电容器的节点分离工艺的化合物。聚合物的分子量在贮存期间维持基本不改变。此外，聚合物以所需要的速率溶解于碱性显影溶液中，且在溶解速率(DR)无任何显著改变的情况下，在贮存期间具有高度稳定性。本发明还提供包含此化合物的组合物。该组合物在贮存期间具有高度稳定性。因此，该组合物适合用于填充半导体装置内部的小间隙。
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公开(公告)号：CN102070735A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010237809.8
申请日：2010-07-23
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08F120/28 , C08F220/28 , C09D133/16 , H01L23/29 , H01L21/311
CPC classification number: C08F220/22 , C08F20/22 , C08F120/28 , C08F220/24 , C08F220/28 , C08F220/38 , C09D133/14 , C09J133/02 , C09J133/06 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/2041 , C08F220/06 , C08F230/08
Abstract: 本发明披露了一种聚合物、用于保护层的组合物、以及使用其的图案化方法，尤其是一种通过聚合由化学式1表示的单体所获得的聚合物、包括该聚合物的保护层组合物、以及图案化方法。[化学式1]在化学式1中，每个符号与在具体实施方式中限定的相同。
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