公开(公告)号：CN1744342A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510092161.9

申请日：2005-08-22

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 戴维·拉塞尔 ,  克里斯托夫·纽瑟姆 ,  托马斯·库格勒 ,  李顺普

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L51/0019 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/105

Abstract: 提供了一种场效应晶体管(10)，其包括金属或碳的源极(14)和功能有机半导体层(28)。注入材料的柱状物(48)延伸通过功能有机半导体层(28)，柱状物与源极(14)和功能有机半导体层(28)同时接触。所述柱状物(48)促进了载流子在源极(14)和半导体层(28)之间的迁移。优选地，注入材料是有机化合物，例如聚－3－己基噻吩、聚芳基胺、聚(3，4－亚乙基二氯基噻吩)－聚苯乙烯硫酸或聚苯胺。

公开(公告)号：CN100454601C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200510092161.9

申请日：2005-08-22

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 戴维·拉塞尔 ,  克里斯托夫·纽瑟姆 ,  托马斯·库格勒 ,  李顺普

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L51/0019 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/105

Abstract: 提供了一种场效应晶体管(10)，其包括金属或碳的源极(14)和功能有机半导体层(28)。注入材料的柱状物(48)延伸通过功能有机半导体层(28)，柱状物与源极(14)和功能有机半导体层(28)同时接触。所述柱状物(48)促进了载流子在源极(14)和半导体层(28)之间的迁移。优选地，注入材料是有机化合物，例如聚-3-己基噻吩、聚芳基胺、聚(3，4-亚乙基二氯基噻吩)-聚苯乙烯硫酸或聚苯胺。

公开(公告)号：CN1832104A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610054986.6

申请日：2006-02-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 李顺普 ,  克里斯托·纽瑟姆 ,  戴维·拉塞尔 ,  托马斯·库格勒

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/105

Abstract: 提供一种图案化方法，包括：(i)预先图案化衬底上的一层材料，(ii)在预图案化的衬底上旋涂薄膜形成物质的溶液，(iii)干燥被旋涂的溶液以在衬底的未图案化区域和被预图案化的材料的表面和侧面上形成薄膜形成物质的薄膜，(iv)以这种方式蚀刻干燥后的薄膜：即仅保留在预图案化的材料的侧面周围，及(v)去除预图案化的材料以在衬底上留下脊状薄膜形成物质，脊的图案对应预图案化的材料的轮廓。然后在所得图案化衬底上沉积金属层，随后除去脊，剩下离散的金属区域，这些金属区域形成薄膜晶体管的潜在源极和漏极。然后通过选择性地沉积半导体、绝缘体和导体区而形成薄膜晶体管阵列，其中导体区形成了与每对源极和漏极相关的栅极。