公开(公告)号：CN109686654A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811597810.4

申请日：2018-12-26

Applicant: 上海芯钛信息科技有限公司

Inventor： 蒋晓倩 ,  高攀 ,  李佐 ,  冯华 ,  李澜涛 ,  林宗芳 ,  钟伟 ,  熊民权 ,  赵宗盛

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/0272 ,  H01L21/0274 ,  H01L29/401

Abstract: 本发明公开一种改善Lift-off工艺划片道形貌的方法，包括：在衬底上形成有划片道凹槽的面上涂负胶层；对负胶层曝光并显影，形成完全覆盖划片道凹槽的负胶层；在衬底及负胶层上表面蒸发金属膜；去除负胶层上的金属膜及负胶层；形成透过金属膜暴露于外界环境的划片道凹槽。该方案解决了划片道金属膜层断裂导致封装成品率低的问题，改善划片道形貌，提高封装成品率。

公开(公告)号：CN105206567B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201510655501.8

申请日：2015-10-10

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 石龙强

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/823462 ,  G02F1/1333 ,  G02F2001/1635 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0331 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法。该方法包括：通过第一道光罩图案化第一金属层，以形成间隔设置的栅极和第一导体；通过第二道光罩图案化半导体层和栅极绝缘层，以形成暴露出第一导体的通孔；通过栅极和第一导体图案化半导体层，以形成间隔设置的第一沟道区和第二沟道区；通过第三道光罩图案化第二金属层，以形成间隔设置的源极、漏极和第二导体；其中，第二导体通过通孔与第一导体相接触。通过上述方式，本发明采用一道光罩图案化半导体层和栅极绝缘层，降低了阵列基板的生产成本，另外，本发明能够以相对简单的方式实现第一导体和第二导体的桥接，进而提高阵列基板的生产效率。

公开(公告)号：CN104103567B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201410122665.X

申请日：2014-03-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  C·D·迪米特罗普洛斯 ,  K·E·福格尔 ,  J·B·汗农 ,  金志焕 ,  朴弘植 ,  D·法伊弗 ,  D·K·萨达那

IPC: H01L21/683

CPC classification number: C01B31/0446 ,  C01B32/184 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/1606 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1153

Abstract: 本发明涉及晶片尺度外延石墨烯转移。一种用于二维材料的转移的方法包括：在衬底上形成二维材料的扩展层，扩展层具有单层。在扩展层上形成应力源层，以及应力源层被配置为向扩展层的最近单层施加应力。通过机械分裂扩展层剥落最近单层，其中最近单层保留在应力源层上。

公开(公告)号：CN107195539A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710331331.7

申请日：2017-05-11

Applicant: 武汉华星光电技术有限公司

Inventor： 陈逸

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0271 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0273

Abstract: 本发明提供一种改善光阻残膜的方法，在进行离子掺杂制程之前对光阻层(5)仅进行软烤，使得光阻层(5)的上表面(51)遮盖住光阻层(5)的下表面(52)与基板(1)的交接处，以所述光阻层(5)为遮挡基板(1)进行离子掺杂制程时，在所述光阻层(5)的上表面(51)的保护下，光阻层(5)的下表面(52)与基板(1)的交接处便不会因离子掺杂而变性，在剥离光阻时，也不会在所述光阻层(5)的下表面(52)与基板(1)的交接处出现光阻残膜，从而易于对所述交接处的光阻层(5)进行清除，保证所述交接处的清洁，有助于提高产品良率。

公开(公告)号：CN107154344A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201611193075.1

申请日：2016-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑雅玲 ,  王筱姗 ,  陈建志 ,  林纬良 ,  陈俊光 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/327 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3086 ,  G03F7/26 ,  H01L21/0272

Abstract: 一种微影方法，包括形成第一层于基板上；形成图案化光致抗蚀剂层于第一层上；施加溶液于图案化光致抗蚀剂层上，以形成顺应层于图案化光致抗蚀剂层上，其中顺应层还包括第一部分于图案化光致抗蚀剂层的上表面上，以及第二部分沿着图案化光致抗蚀剂层的侧壁延伸；选择性移除图案化光致抗蚀剂层的上表面上的顺应层的第一部分；以及选择性移除图案化光致抗蚀剂层，以保留顺应层的第二部分。

公开(公告)号：CN106647182A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611217732.1

申请日：2016-12-26

Applicant: 武汉华星光电技术有限公司

Inventor： 彭少凯

IPC: G03F7/20 ,  H01L27/02

CPC classification number: G03F7/42 ,  G03F7/427 ,  H01L21/0272

Abstract: 本发明公开了一种处理基板表面碳化光阻的方法。所述方法包括：使空气在高电压下被电离，产生离子；用电极吸引或排斥所述离子；所述离子在吸引或排斥力的作用下轰击所述基板表面，清除碳化光阻。本发明还进一步公开了一种处理基板表面碳化光阻的装置。本发明以电离空气得到的离子轰击所述基板表面，达到清除碳化的光阻的目的，可以完全清除碳化的光阻，同时节约成本，提高产能。

公开(公告)号：CN105467782A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510929529.6

申请日：2015-12-15

Applicant: 吴来友

Inventor： 吴来友

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/426 ,  H01L21/0272

Abstract: 本发明公开了一种去胶液，它包括按重量份计：10-20份无机碱、5-10份松香水、0.2-0.6份松油醇、1.2-1.6份乙二醇单甲醚、4-8份甘油和6-10份去离子水。本发明的有益效果是制得的去胶剂性质温和，可以适用于大多数胶质和介质，去胶时间短，效果好，由于加入了甘油，可以提高去胶剂的活性及抗氧化能力，延长其存储时间。

公开(公告)号：CN103258719B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201310105928.1

申请日：2008-10-30

Applicant: WJ通信公司

Inventor： 周显辉 ,  陈艳

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0272 ,  H01L21/0331

Abstract: 提供使蚀刻底切最小化并在随后的金属沉积中提供清洁金属剥离的方法。在一个实施例中，首先通过标准光刻技术和在第一显影剂中的抗蚀剂显影将对选定范围的能量敏感的顶部层抗蚀剂图形化，以暴露出部分的底部抗蚀剂层，其对不同的选定范围的能量敏感。然后，通过各向异性蚀刻，利用顶部抗蚀剂层作为蚀刻掩模，去除底部抗蚀剂层的暴露部分，以暴露出部分的下面衬底。使得顶部光致抗蚀剂开口周围的底部抗蚀剂中的底切最小化。然后，将获得的图形化的双层抗蚀剂叠层用作蚀刻掩模，以用于随后的下面衬底材料暴露部分的蚀刻。由于在底部抗蚀剂层中不存在底切，因此使得衬底材料相对于顶部光致抗蚀剂开口边缘的蚀刻底切最小化。

公开(公告)号：CN104752342A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410433157.3

申请日：2014-08-28

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 俞一善 ,  李熙元 ,  权纯明 ,  金炫秀

IPC: H01L21/77

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L24/83 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83902

Abstract: 本发明提供一种接合半导体基板的方法，其可包括：在第一半导体基板上形成对准键；在第一半导体基板和对准键上形成绝缘层；在绝缘层上形成第一金属层图案和第二金属层图案；在第二半导体基板上形成第一突起和第二突起，以及位于第一突起与第二突起之间的对准凹部；分别在第一突起和第二突起上形成第三金属层图案和第四金属层图案；以及接合第一半导体基板和第二半导体基板，其中当接合第一半导体基板和第二半导体基板时，对准键位于对准凹部。

公开(公告)号：CN102714140B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201080044742.4

申请日：2010-11-10

Applicant: 韩国生命工学研究院

Inventor： 慎容范 ,  李承雨

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0272 ,  B82Y20/00 ,  G02B2207/101 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明涉及一种利用倾斜蒸镀的光刻方法，所述方法的特征在于包括：步骤(1)，在基板上表面涂布抗蚀剂；步骤(2)，利用光刻工艺使所述抗蚀剂图案化；步骤(3)，在图案化后的所述抗蚀剂的上层倾斜蒸镀第一薄膜材料，形成变形的图案掩膜；步骤(4)，通过变形的所述图案掩膜，在所述基板的上表面蒸镀第二薄膜材料；及步骤(5)，去除涂布在所述基板的上表面的抗蚀剂。