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公开(公告)号:CN107039481A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201710116295.2
申请日:2015-04-23
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种半导体结构的制造方法,包含下列步骤:使用暂时粘着层将载板贴附于晶圆的第一表面上;将晶圆的第二表面贴附于框体上的紫外光胶带,并移除暂时粘着层与载板;贴附保护胶带于晶圆的第一表面上,其中保护胶带的面积大于晶圆的面积;使得保护胶带凸出于晶圆。照射紫外光于紫外光胶带,使紫外光胶带的粘性消失;贴附切割胶带于保护胶带与框体上,并移除紫外光胶带;使用第一刀具从晶圆的第二表面切割晶圆,而形成多个晶片与晶片间的多个间隙;以及使用宽度小于第一刀具的第二刀具沿间隙切割保护胶带,使得切割后的保护胶带分别凸出于晶片。本发明可提升半导体结构的良率以及制造上的便利性,且可节省在晶片上设置玻璃片的成本。
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公开(公告)号:CN107039481B
公开(公告)日:2019-11-26
申请号:CN201710116295.2
申请日:2015-04-23
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种半导体结构的制造方法,包含下列步骤:使用暂时粘着层将载板贴附于晶圆的第一表面上;将晶圆的第二表面贴附于框体上的紫外光胶带,并移除暂时粘着层与载板;贴附保护胶带于晶圆的第一表面上,其中保护胶带的面积大于晶圆的面积;使得保护胶带凸出于晶圆。照射紫外光于紫外光胶带,使紫外光胶带的粘性消失;贴附切割胶带于保护胶带与框体上,并移除紫外光胶带;使用第一刀具从晶圆的第二表面切割晶圆,而形成多个晶片与晶片间的多个间隙;以及使用宽度小于第一刀具的第二刀具沿间隙切割保护胶带,使得切割后的保护胶带分别凸出于晶片。本发明可提升半导体结构的良率以及制造上的便利性,且可节省在晶片上设置玻璃片的成本。
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公开(公告)号:CN104037144B
公开(公告)日:2017-01-11
申请号:CN201410081689.5
申请日:2014-03-06
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/78 , H01L23/3185 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L2224/02371 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/94 , H01L2924/10156 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体结构及其制作方法,该半导体结构包含晶片、至少一非金属氧化层、焊垫、保护层、绝缘层与导电层。晶片具有彼此平行的第一表面、第二表面、第三表面、第一段差面及第二段差面。第一段差面连接于第二表面与第三表面之间,第二段差面连接于第一表面与第三表面之间。非金属氧化层位于晶片的第一表面上。焊垫位于非金属氧化层上,且电性连接晶片。保护层位于非金属氧化层上。绝缘层位于保护层、非金属氧化层、晶片的第一表面、第二表面、第三表面、第一段差面与第二段差面上。导电层位于绝缘层上,且电性接触焊垫。本发明的半导体结构不会因为焊垫上方覆盖外盖而影响其信号传输效果,而其厚度不会受限于导线。
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公开(公告)号:CN105097990B
公开(公告)日:2017-04-05
申请号:CN201510195387.5
申请日:2015-04-23
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L21/67092 , H01L21/6836 , H01L27/14685 , H01L31/18
Abstract: 一种半导体结构的制造方法,包含下列步骤:使用暂时粘着层将载板贴附于晶圆的第一表面上;将晶圆的第二表面贴附于框体上的紫外光胶带,并移除暂时粘着层与载板;贴附保护胶带于晶圆的第一表面上,其中保护胶带的面积大于晶圆的面积;使得保护胶带凸出于晶圆。照射紫外光于紫外光胶带,使紫外光胶带的粘性消失;贴附切割胶带于保护胶带与框体上,并移除紫外光胶带;使用第一刀具从晶圆的第二表面切割晶圆,而形成多个晶片与晶片间的多个间隙;以及使用宽度小于第一刀具的第二刀具沿间隙切割保护胶带,使得切割后的保护胶带分别凸出于晶片。本发明可提升半导体结构的良率以及制造上的便利性,且可节省在晶片上设置玻璃片的成本。
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公开(公告)号:CN105097990A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201510195387.5
申请日:2015-04-23
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L21/67092 , H01L21/6836 , H01L27/14685 , H01L31/18
Abstract: 一种半导体结构的制造方法,包含下列步骤:使用暂时粘着层将载板贴附于晶圆的第一表面上;将晶圆的第二表面贴附于框体上的紫外光胶带,并移除暂时粘着层与载板;贴附保护胶带于晶圆的第一表面上,其中保护胶带的面积大于晶圆的面积;使得保护胶带凸出于晶圆。照射紫外光于紫外光胶带,使紫外光胶带的粘性消失;贴附切割胶带于保护胶带与框体上,并移除紫外光胶带;使用第一刀具从晶圆的第二表面切割晶圆,而形成多个晶片与晶片间的多个间隙;以及使用宽度小于第一刀具的第二刀具沿间隙切割保护胶带,使得切割后的保护胶带分别凸出于晶片。本发明可提升半导体结构的良率以及制造上的便利性,且可节省在晶片上设置玻璃片的成本。
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公开(公告)号:CN104037144A
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201410081689.5
申请日:2014-03-06
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/78 , H01L23/3185 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L2224/02371 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/94 , H01L2924/10156 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体结构及其制作方法,该半导体结构包含晶片、至少一非金属氧化层、焊垫、保护层、绝缘层与导电层。晶片具有彼此平行的第一表面、第二表面、第三表面、第一段差面及第二段差面。第一段差面连接于第二表面与第三表面之间,第二段差面连接于第一表面与第三表面之间。非金属氧化层位于晶片的第一表面上。焊垫位于非金属氧化层上,且电性连接晶片。保护层位于非金属氧化层上。绝缘层位于保护层、非金属氧化层、晶片的第一表面、第二表面、第三表面、第一段差面与第二段差面上。导电层位于绝缘层上,且电性接触焊垫。本发明的半导体结构不会因为焊垫上方覆盖外盖而影响其信号传输效果,而其厚度不会受限于导线。
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