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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104112659B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410158402.4
申请日：2014-04-18
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/78 , H01L23/00
CPC classification number: H01L24/26 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L21/784 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/94 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/05562 , H01L2224/05566 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11002 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/94 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2224/11 , H01L2924/014 , H01L2224/03
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体、晶圆级晶片阵列及其制造方法，该晶圆级晶片阵列包含一半导体晶圆，具有相邻排列的至少二晶片以及一承载层，各该晶片具有一上表面及一下表面，且于该上表面包含至少一电子元件，该承载层覆盖于各该晶片的上表面；以及至少一外延线保护块，配置于该承载层之下且位于该至少二晶片之间，该外延线保护块的厚度小于该晶片的厚度，其中，该外延线保护块内部具有至少一外延线。本发明具有制程简化以及成本低廉的功效。
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公开(公告)号：CN104037144A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410081689.5
申请日：2014-03-06
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/78 , H01L23/3185 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L2224/02371 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/94 , H01L2924/10156 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含晶片、至少一非金属氧化层、焊垫、保护层、绝缘层与导电层。晶片具有彼此平行的第一表面、第二表面、第三表面、第一段差面及第二段差面。第一段差面连接于第二表面与第三表面之间，第二段差面连接于第一表面与第三表面之间。非金属氧化层位于晶片的第一表面上。焊垫位于非金属氧化层上，且电性连接晶片。保护层位于非金属氧化层上。绝缘层位于保护层、非金属氧化层、晶片的第一表面、第二表面、第三表面、第一段差面与第二段差面上。导电层位于绝缘层上，且电性接触焊垫。本发明的半导体结构不会因为焊垫上方覆盖外盖而影响其信号传输效果，而其厚度不会受限于导线。
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公开(公告)号：CN104037144B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410081689.5
申请日：2014-03-06
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/78 , H01L23/3185 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L2224/02371 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/94 , H01L2924/10156 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含晶片、至少一非金属氧化层、焊垫、保护层、绝缘层与导电层。晶片具有彼此平行的第一表面、第二表面、第三表面、第一段差面及第二段差面。第一段差面连接于第二表面与第三表面之间，第二段差面连接于第一表面与第三表面之间。非金属氧化层位于晶片的第一表面上。焊垫位于非金属氧化层上，且电性连接晶片。保护层位于非金属氧化层上。绝缘层位于保护层、非金属氧化层、晶片的第一表面、第二表面、第三表面、第一段差面与第二段差面上。导电层位于绝缘层上，且电性接触焊垫。本发明的半导体结构不会因为焊垫上方覆盖外盖而影响其信号传输效果，而其厚度不会受限于导线。
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公开(公告)号：CN104112659A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410158402.4
申请日：2014-04-18
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/78 , H01L23/00
CPC classification number: H01L24/26 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L21/784 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/94 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/05562 , H01L2224/05566 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11002 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/94 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2224/11 , H01L2924/014 , H01L2224/03
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体、晶圆级晶片阵列及其制造方法，该晶圆级晶片阵列包含一半导体晶圆，具有相邻排列的至少二晶片以及一承载层，各该晶片具有一上表面及一下表面，且于该上表面包含至少一电子元件，该承载层覆盖于各该晶片的上表面；以及至少一外延线保护块，配置于该承载层之下且位于该至少二晶片之间，该外延线保护块的厚度小于该晶片的厚度，其中，该外延线保护块内部具有至少一外延线。本发明具有制程简化以及成本低廉的功效。
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公开(公告)号：CN104517828A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410524510.9
申请日：2014-10-08
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L23/367
CPC classification number: H01L25/0655 , H01L21/6835 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L23/585 , H01L2221/68327 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法，该制造方法包括：提供一第一基底；将一第二基底贴附于第一基底上，其中第二基底具有矩形的多个晶片区及隔开晶片区的一切割道区；以及移除切割道区的第二基底的一部分，以在第一基底上形成多个晶片，其中晶片中相邻的晶片之间形成至少一桥接部。本发明能够改善晶片封装体的品质。
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