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公开(公告)号：CN1627576A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410100546.0
申请日：2004-10-28
CPC classification number: H01S5/18391 , H01S5/18311 , H01S5/18316 , H01S5/18319 , H01S5/18327 , H01S2301/02 , H01S2301/166
Abstract: 公开了一种能够稳定地保持高功率的单一水平模式的结构的表面发光半导体激光器和一种包含具有表面发光半导体激光器的光源装置的光学装置。由低折射率区域组成的散射损失结构部分被设置为围绕表面发光半导体激光器的主流路径，即围绕腔体结构部分；低折射率区域被以一定间隔设置；与中心部分相对的顶端部分的形状被设为逐渐变细的形状，例如为一个锐角。因此，在腔体结构部分中，位于外围部分中的高阶模式发射光的损失变大，从而可以构造一种能够振荡出具有良好特性的单一模式激光的表面发光半导体激光器。
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公开(公告)号：CN1404631A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN01805332.7
申请日：2001-11-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B5/3925 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01F41/302 , H01F41/308 , H01L43/12
Abstract: 一种磁致电阻效应元件的制造方法，包括：形成至少具有反强磁性层(4)、钉扎层(3)、间隔层(5)的层叠膜的成膜工序；把该层叠膜按预定的图案构图的第一构图工序；在该构图后的层叠膜周围埋入绝缘层的埋入工序；在该绝缘层和上述构图后的层叠膜上形成上述磁束导入层或上述自由层兼磁束导入层的成膜工序；以及按预定的图案对上述绝缘层和上述层叠膜同时构图形成上述叠层结构部的、利用离子束蚀刻的第二构图工序。通过把该蚀刻离子束的入射角选择为与蚀刻面的法线的夹角θ为10°≤θ≤40°，优选为15°≤θ≤35°，使叠层结构部的构成材料和绝缘层的构成材料的蚀刻速度基本上相同，从而可以没有过分或不足地粗确地进行各部分的蚀刻，实现特性的稳定化和生产率的提高。
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公开(公告)号：CN1221042C
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN01805332.7
申请日：2001-11-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B5/3925 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01F41/302 , H01F41/308 , H01L43/12
Abstract: 一种磁致电阻效应元件的制造方法，包括：形成至少具有反强磁性层(4)、钉扎层(3)、间隔层(5)的层叠膜的成膜工序；把该层叠膜按预定的图案构图的第一构图工序；在该构图后的层叠膜周围埋入绝缘层的埋入工序；在该绝缘层和上述构图后的层叠膜上形成上述磁束导入层或上述自由层兼磁束导入层的成膜工序；以及按预定的图案对上述绝缘层和上述层叠膜同时构图形成上述叠层结构部的、利用离子束蚀刻的第二构图工序。通过把该蚀刻离子束的入射角选择为与蚀刻面的法线的夹角θ为10°≤θ≤40°，优选为15°≤θ≤35°，使叠层结构部的构成材料和绝缘层的构成材料的蚀刻速度基本上相同，从而可以没有过分或不足地粗确地进行各部分的蚀刻，实现特性的稳定化和生产率的提高。
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公开(公告)号：CN1627576B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200410100546.0
申请日：2004-10-28
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18391 , H01S5/18311 , H01S5/18316 , H01S5/18319 , H01S5/18327 , H01S2301/02 , H01S2301/166
Abstract: 公开了一种能够稳定地保持高功率的单一水平模式的结构的表面发光半导体激光器和一种包含具有表面发光半导体激光器的光源装置的光学装置。由低折射率区域组成的散射损失结构部份被设置为围绕表面发光半导体激光器的主流路径，即围绕腔体结构部分；低折射率区域被以一定间隔设置；与中心部分相对的顶端部分的形状被设为逐渐变细的形状，例如为一个锐角。因此，在腔体结构部分中，位于外围部分中的高阶模式发射光的损失变大，从而可以构造一种能够振荡出具有良好特性的单一模式激光的表面发光半导体激光器。
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